6月13日，应国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台/深圳平湖实验室万玉喜主任、第四代半导体首席科学家/新加坡工程院院士张道华教授等专家邀请，奥趋光电技术（杭州）有限公司创始人吴亮博士赴国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台/深圳平湖实验室开展访问交流与合作洽谈。
吴亮博士首先与来自国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台、深圳平湖实验室的十余位专家学者、科研人员进行了座谈，并随后发表了题为“第四代半导体AlN单晶生长技术及其应用前景展望”的交流报告，详细介绍了奥趋光电在超宽禁带半导体氮化铝单晶PVT生长模拟仿真软件、长晶装备及生长工艺、衬底加工制备及大规模化量产等领域的最新进展及未来规划，并分享了全球氮化铝材料在外延生长、光电器件、射频器件及功率电子等领域的最新应用和面临的挑战。报告结束后，与会科研人员围绕氮化铝单晶外延生长N型/P型掺杂、分布式梯度极化掺杂（DPD）、器件欧姆接触优化、功率电子/射频器件结构设计与优化等众多热点问题进行了深入的交流与热烈讨论。万玉喜主任在讨论中指出，氮化铝具有极其优异的材料特性，不仅在紫外光电领域拥有先天优势，在功率半导体方面更具有广泛的应用前景，是最具大规模产业化应用前景的超宽禁带半导体材料之一；奥趋光电是全球氮化铝材料领域的知名企业，而深圳平湖实验室也正在打造世界领先的国家级第三代及第四代功率半导体科研与中试平台，双方在材料制备、外延生长和各类功率、射频器件设计开发等环节拥有广泛的合作契机；作为国内超宽禁带半导体领域的代表性团队，希望双方能强强联合、相互支持，实现协同创新，共同快速推进中国氮化铝材料和器件产业化进步与应用。张道华院士对奥趋光电在氮化铝材料领域持续攻关并取得丰硕成果给予高度评价，期待奥趋光电再接再厉，快速实现氮化铝单晶衬底的大批量量产；深圳平湖实验室第四代半导体研究团队拥有来自国内外的专家/学者共二十余人，建有包括超宽和超窄带隙半导体理论研究、外延生长、器件模拟、器件制备及产品开发在内的完整研发和产业化中试平台；氮化铝基器件是第四代半导体团队重点布局方向，希望双方发挥各自优势，在氮化铝材料外延生长、器件研发和产业化领域协同发展。吴亮博士对万玉喜主任、张道华院士的邀请表示感谢，对平湖实验室集聚学术和产业界创新力量，以市场需求为牵引，服务关键核心技术攻关，打通宽禁带/超宽禁带半导体全产业链的服务理念和运营模式给予了高度认可，对实验室成立以来在科研和平台建设等方面所取得的成绩表达了由衷赞赏，并希望与平湖实验室在充分发挥各自优势的基础上紧密配合，共同推进氮化铝材料和功率半导体器件技术的研发和市场化应用。最后，双方就下一步的多层次合作深入交换意见，并达成了广泛共识。
交流报告会结束后，吴亮博士在平湖实验室公共政府部/科技发展部宋子杰部长等的带领下参观了平湖实验室多个先进功率半导体课题组、第三代/四代半导体研发及中试平台、核心装备及零部件和材料验证平台、 材料研究及器件测试与认证共享服务平台及科技服务共享平台等，对平湖实验室高强度投入、高标准建设、严格管理制度和高素质人才队伍留下了深刻印象。
关于深圳平湖实验室
深圳平湖实验室成立于2022年8月，是由深圳市科技创新委员会和南方科技大学共同举办的事业法人单位。实验室以成为世界领先的第三代及第四代功率半导体创新、中试及共享平台为愿景，专注于第三代、第四代半导体的科学研究、技术开发、技术服务及成果转化。下设多个先进功率半导体课题组，面向新能源汽车与轨道交通电驱动、新型电力系统、新一代通信和数据中心的基础设施供电、消费类电子和通用电源、特种装备等五大应用方向开展前沿探索、应用基础研究、重大技术攻关及产业应用示范、知识产权创造和科技成果转移转化工作。
平湖实验室配套建设第三代半导体工艺及器件研发中试线，形成8英寸SiC、GaN芯片研发、核心装备及零部件和材料验证、材料研究及器件测试与认证共享服务、科技服务共享平台四大技术平台。实验室采用开放共享模式，积极推动国内外科技合作与学术交流，建设全国性的公共、开放、共享平台，促进科技资源的高效利用。旨在建设世界领先的功率半导体领域创新高地，培养世界级人才，产出一流科研成果；落实国产化设备验证、材料验证，打造全流程国产化产线并持续牵引、推动国产设备和材料的进步和赶超；整合高等院校、科研院所、行业龙头企业的科研基础和技术创新力量，以市场需求为牵引，突破第三代半导体产业链环节的共性难题和关键技术，不断驱动创新，服务第三代半导体全产业链。
关于国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台
根据科技部统一部署，深圳市从2021年开始承接国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台的建设任务，于2022年设立深圳平湖实验室作为建设和运营主体，并于2024年正式建成。平台以“一体统筹规划、多地分布布局、协同创新联动”为建设原则，聚焦第三代半导体领域器件物理研究、材料研究、技术开发、产品中试，第四代半导体材料器件前沿研究，致力于打造世界领先的第三、第四代功率半导体创新、中试及共享平台。
国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台作为宽禁带半导体领域中立性科研机构，覆盖了从基础研发到工程化应用各环节。平台立足深圳及大湾区，协同国家第三代半导体技术创新中心的其他平台、全国高等院校、科研机构及企业的优质资源，持续提升创新能力、保障人才供给。以前瞻性技术为引领，大力推动第三代半导体关键技术攻关、供应安全和成果产业化。目前平台已布局1200-6500V SiC MOSFET及15-1200V GaN HEMT产品及工艺平台，积极构建从材料制备、芯片设计、晶圆制造到封装测试的完整产业链，与上下游紧密合作，推动协同发展，形成生态系统。同时，积极参与行业标准制定，与国内外高校、研究机构深度合作探索更多应用场景；在质量控制方面建立了完善的质量控制体系，为半导体产品的高质量生产提供坚实的保障。
深圳综合平台是粤港澳大湾区乃至全国在第三代半导体技术创新方面的核心力量，有助于深圳打造具有全球影响力的半导体技术创新中心、中试转化集聚中心、产业合作促进中心，支撑国家重大战略需求，在重点关键核心技术领域实现突破，重塑产业技术格局，将持续推动我国半导体产业高水平、高质量发展。
关于奥趋光电
奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔，于2016年5月创立的高新技术、创新型企业，总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录，是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、高温/高频射频器件、高频/高功率电子及激光器件的理想衬底/压电材料。
奥趋光电经过多年的高强度研发投入，于2019年成功开发出全球最大，直径60mm的氮化铝单晶及晶圆，并于2022年开发出直径达76mm的铝极性氮化铝单晶及3英寸晶圆样片，奥趋光电同时也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供2英寸及以下尺寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品，同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2025年5月，共申请/授权国际、国内专利60余项，是全球范围内本领域专利数量最多的企业之一，被公认为本领域全球技术的领导者。