奥趋光电祝您新春快乐，蛇年大吉！
新春快乐，蛇年大吉！
动态 | 1月22-24日，奥趋光电亮相第39届NEPCON JAPAN
2025年1月22-24日，第39届NEPCON JAPAN电子科技博览会将在日本东京有明国际展览中心隆重举行。作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸氮化铝单晶衬底全套制程和制造能力的领先技术企业之一，...
动态 | 中国科学院院士祝世宁教授等来访奥趋光电
8月28日，《人工晶体学报》主编、中国科学院院士、南京大学学术委员会副主任祝世宁教授，《人工晶体学报》执行主编彭珍珍，《人工晶体学报》编委、南京大学赵刚教授等一行来访奥趋光电。《人工晶体学报》编委、奥...
动态 | 奥趋光电将应邀出席第四届紫外LED会议
2024年8月21日至23日，第四届紫外LED会议暨长治LED产业发展大会将在山西长治滨湖文旅服务中心举办。本届会议以“创新发展跨界共生，成果转化生态构建”为主题，邀请了来自紫外LED全产业链、多领域...
动态 | 第十八届全国MOCVD学术会议圆满落幕，奥趋光电AlN单晶优惠持续进行中
7月9日，第十八届全国MOCVD学术会议在湖北恩施华龙城大酒店圆满落幕。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企...
新春快乐，蛇年大吉！
2025年1月22-24日，第39届NEPCON JAPAN电子科技博览会将在日本东京有明国际展览中心隆重举行。作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸氮化铝单晶衬底全套制程和制造能力的领先技术企业之一，奥趋光电技术（杭州）有限公司将亮相本届NEPCON JAPAN，展出包括2英寸A...
8月28日，《人工晶体学报》主编、中国科学院院士、南京大学学术委员会副主任祝世宁教授，《人工晶体学报》执行主编彭珍珍，《人工晶体学报》编委、南京大学赵刚教授等一行来访奥趋光电。《人工晶体学报》编委、奥趋光电首席执行官吴亮博士、研发总监王琦琨博士、综合管理部总经理陈鹏等进行了热情接...
2024年8月21日至23日，第四届紫外LED会议暨长治LED产业发展大会将在山西长治滨湖文旅服务中心举办。本届会议以“创新发展跨界共生，成果转化生态构建”为主题，邀请了来自紫外LED全产业链、多领域的专家、知名企业代表组成的百人嘉宾团，将共同探讨“紫外LED+”新机遇，挖掘紫外...
7月9日，第十八届全国MOCVD学术会议在湖北恩施华龙城大酒店圆满落幕。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业亮相本届大会，现场设展向与会嘉宾汇报展示了面向紫外光电器件、功率电子器件、微波...
第十八届全国MOCVD学术会议于今日在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业亮相本届大会，向与会嘉宾汇报展示面向紫外光电器件、功率电子器件、微波射频器件等应用...
宽禁带和超宽禁带（U/WBG）材料因其巨大的带隙特性，能够提升器件性能，在半导体器件领域受到了广泛关注。这些卓越的材料特性有望使器件在高功率、高频率和极端环境条件下更加稳健和高效。尽管前景光明，但超宽禁带材料的物理特性仍不被充分理解，导致理论预测与实验器件行为之间存在显著差距。为...
东京大学研究生院工学部研究科电气系工学专业的前田拓也课题组（以下简称东京大学）和日本电信电话株式会社（以下简称NTT）阐明了使用氮化铝（AlN）基半导体（注1）的肖特基二极管（SBD）（注2） 的电流传输结构。NTT通过开发低电阻欧姆电极形成技术和漏电流小的肖特基电极形成技术，制...
超宽带隙（UWBG）半导体氮化铝（AlN）传统上被用于光电子学领域，以及作为射频（RF）微机电系统（MEMS）中的压电层。现在，AlN作为一个电子平台，被定位为满足下一代高频通信需求的有力候选者。这归功于其独特的集成能力，能够将射频有源器件（如晶体管）和无源射频器件（如滤波器、天...
在超宽带隙AlN衬底上的AlN/GaN/AlN量子阱高电子迁移率晶体管中，由极化诱导的二维电子气（2DEGs）为推进氮化物半导体在微波和功率电子领域的应用开辟了充满希望的道路。
氮化铝（AlN）凭借其出色的电学、光学和热学性能，在高性能功率电子、极端环境半导体器件、射频（RF）器件和深紫外（DUV）光电子等应用领域具有极其重要的意义。相比Si、SiC、GaN和β-Ga2O3等其他常用半导体材料，AlN具有最高的临界电场和理论击穿电压，所以具有最高的Bal...
本文报道了通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在单晶AlN衬底上成功制备了横向AlN肖特基势垒二极管（SBDs），该二极管具有η=1.65的超低理想因子，击穿电压（BV）高达640V，并且按照阳极至阴极距离（LAC）归一化后的击穿电压达到了创纪录的高水平。同质外延生长的Al...