7月9日,第十八届全国MOCVD学术会议在湖北恩施华龙城大酒店圆满落幕。奥趋光电技术(杭州)有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业亮相本届大会,现场设展向与会嘉宾汇报展示了面向紫外光电器件、功率电子器件、微波...
第十八届全国MOCVD学术会议于今日在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术(杭州)有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业亮相本届大会,向与会嘉宾汇报展示面向紫外光电器件、功率电子器件、微波射频器件等应用...
2024年7月7-10日,由中国科学技术大学主办的第十八届全国MOCVD学术会议将在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术(杭州)有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业,受组委会邀请将出席本次会议并发表主...
6月25-26日,“十四五”国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2024年度第三代半导体材料与器件技术方向19个项目中期检查会议在杭州光学精密机械研究所召开。奥趋光电作为“AlN单晶衬底制备和同质外延关键技术”项目(编号2022YFB3605300,项目负责人北京...
2024年7月2日至4日,2024第三届射频滤波器创新技术大会将在安徽合肥召开。本次大会以“宽带·共存”为主题,邀请了射频滤波材料、器件、芯片及相关产业链的资深专家学者、头部企业代表共聚一堂,围绕5G、6G和Wi-Fi 7等高频、大带宽滤波器技术,共同探讨关键基础材料、器件设计、...
2024年7月7-10日,由中国科学技术大学主办的第十八届全国MOCVD学术会议将在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术(杭州)有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业,受组委会邀请将出席本次会议并发表主...
为了提高量子阱高电子迁移率晶体管(QW HEMTs)中的电子迁移率,我们研究了在Al极性单晶AlN衬底上的AlN/GaN/AlN异质结构中的输运特性。理论建模与实验相结合表明,量子阱中高电场引起的界面粗糙度散射限制了迁移率。将量子阱宽度增加到其松弛形态可以减小内部电场和散射,从而...
本文展示了采用等离子辅助分子束外延(PAMBE)技术实现了N极性AlN单晶衬底上同质外延生长AlN薄膜中的可控Si掺杂。通过优化生长条件,我们在950℃下获得了高质量的N极性AlN薄膜。然而,我们的研究揭示,在这样的高温生长环境下,Si的掺入量会显著降低。为了实现更高的Si掺入量...
在过去的十年中,半导体领域最大的新闻之一就是传统硅的意外被超越——在电力电子领域,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)已经超越了硅,占据了数十亿美元的市场份额。随着这些具有优越性能的新秀逐渐占据主要应用领域,人们自然会提出一个问题:下一代新的功率半导体会是什么——哪一种半导体将凭借...
Crystal IS,一家旭化成公司,今天宣布成功实现了直径为100 mm的单晶氮化铝(AlN)衬底的批量生产,这些衬底的可用面积达到99%,以满足当前UVC LED的需求,生产将在美国进行。AlN的超宽带隙和高热导率不仅有助于提高UVC LED器件的可靠性和性能,还有助于提高下...
我们在AlN衬底上,采用MOCVD生长的AlGaN/GaN/AlN外延层实现了基于AlN的GaN沟道HEMT,在VGS = 1 V时,实现了400 mA/mm的电流密度和125 V/µm的击穿电压(VBr)缩放。与类似的AlN-on-SiC器件不同,高VBr缩放在1000 V以上...
极化诱导载流子在实现超宽带隙半导体AlGaN的高电导率方面起着重要作用,这对于从射频和功率电子到深紫外光电器件的各种应用至关重要。尽管具有重要的科学和技术意义,但在N极性AlGaN中关于极化诱导载流子的研究仍然较少。我们通过系统改变8 nm顶层中的Al含量,从x=0到x=0.6,...