动态 | 中国科学院院士祝世宁教授等来访奥趋光电
8月28日，《人工晶体学报》主编、中国科学院院士、南京大学学术委员会副主任祝世宁教授，《人工晶体学报》执行主编彭珍珍，《人工晶体学报》编委、南京大学赵刚教授等一行来访奥趋光电。《人工晶体学报》编委、奥...
动态 | 宽禁带材料5位行业大伽齐聚上海光机所第四届尚光材料论坛！
为了促进国内宽禁带半导体领域的科研创新和产业化，增强宽禁带半导体材料科学家的凝聚力，中国科学院上海光学精密机械研究所（以下简称：上海光机所）先进激光与光电功能材料部主办第四期尚光材料论坛，会议将于20...
综述 | 第四代半导体氮化铝生长及其器件最新进展综述
奥趋光电（Ultratrend Technologies）公众号2025年1月13日翻译、刊载了Stanford University宽禁带及超宽禁带高功率高频电子器件综述，英文原文2024年发表于J...
动态 | 1月22-24日，奥趋光电亮相第39届NEPCON JAPAN
2025年1月22-24日，第39届NEPCON JAPAN电子科技博览会将在日本东京有明国际展览中心隆重举行。作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸氮化铝单晶衬底全套制程和制造能力的领先技术企业之一，...
动态 | 中国科学院院士祝世宁教授等来访奥趋光电
8月28日，《人工晶体学报》主编、中国科学院院士、南京大学学术委员会副主任祝世宁教授，《人工晶体学报》执行主编彭珍珍，《人工晶体学报》编委、南京大学赵刚教授等一行来访奥趋光电。《人工晶体学报》编委、奥...
动态 | 宽禁带材料5位行业大伽齐聚上海光机所第四届尚光材料论坛！
为了促进国内宽禁带半导体领域的科研创新和产业化，增强宽禁带半导体材料科学家的凝聚力，中国科学院上海光学精密机械研究所（以下简称：上海光机所）先进激光与光电功能材料部主办第四期尚光材料论坛，会议将于20...
为了促进国内宽禁带半导体领域的科研创新和产业化，增强宽禁带半导体材料科学家的凝聚力，中国科学院上海光学精密机械研究所（以下简称：上海光机所）先进激光与光电功能材料部主办第四期尚光材料论坛，会议将于2025 年 02 月 27 日（13:30—18:00）在上海光机所王大珩厅举行。
奥趋光电（Ultratrend Technologies）公众号2025年1月13日翻译、刊载了Stanford University宽禁带及超宽禁带高功率高频电子器件综述，英文原文2024年发表于Journal of Physics: Materials, Volume 7。这...
新春快乐，蛇年大吉！
2025年1月22-24日，第39届NEPCON JAPAN电子科技博览会将在日本东京有明国际展览中心隆重举行。作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸氮化铝单晶衬底全套制程和制造能力的领先技术企业之一，奥趋光电技术（杭州）有限公司将亮相本届NEPCON JAPAN，展出包括2英寸A...
8月28日，《人工晶体学报》主编、中国科学院院士、南京大学学术委员会副主任祝世宁教授，《人工晶体学报》执行主编彭珍珍，《人工晶体学报》编委、南京大学赵刚教授等一行来访奥趋光电。《人工晶体学报》编委、奥趋光电首席执行官吴亮博士、研发总监王琦琨博士、综合管理部总经理陈鹏等进行了热情接...
2024年8月21日至23日，第四届紫外LED会议暨长治LED产业发展大会将在山西长治滨湖文旅服务中心举办。本届会议以“创新发展跨界共生，成果转化生态构建”为主题，邀请了来自紫外LED全产业链、多领域的专家、知名企业代表组成的百人嘉宾团，将共同探讨“紫外LED+”新机遇，挖掘紫外...
在飞速发展的半导体技术领域，一种材料正崭露头角，有望成为半导体技术游戏规则的改变者（game-changer）：氮化铝（AlN）。
氮化铝（AlN）作为一种超宽禁带（UWBG）半导体材料，已被证实可有效满足紫外光电器件在210-280 nm波段的工作需求。目前，商用的2英寸AlN衬底已实现大规模生产，展现出优异的晶体质量、低吸收系数以及数千片量级的生产能力。然而，基于AlN作为超宽禁带半导体的巨大应用潜力，尽...
本研究报道了一种通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在单晶氮化铝（AlN）衬底上制备的超宽带隙Al₀.₆₄Ga₀.₃₆N量子阱沟道高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件的顶部和底部势垒层均采用Al₀.₈₇Ga₀.₁₃N材料，实验测得其临界击穿电场强度达11.37 MV/cm...
氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMTs）作为现代射频功率放大器的核心部件，在提升器件性能方面发挥着关键作用。为优化器件的电学与热学性能（如实现更高电流密度及更优散热效能），研究人员致力于将氮化铝（AlN）引入GaN HEMT结构。对于设计和优化将AlN作为势垒层、缓冲层...
亚利桑那州立大学的研究团队宣称，他们成功研制出首款在AlN单晶衬底上的纯AlN基晶体管。该团队所制备的金属 - 半导体场效应晶体管（MESFET），其击穿电压超过2 kV，且据称漏极饱和电流及开关比（开/关比值）的数值亦颇为可观。
宽禁带和超宽禁带（U/WBG）材料因其巨大的带隙特性，能够提升器件性能，在半导体器件领域受到了广泛关注。这些卓越的材料特性有望使器件在高功率、高频率和极端环境条件下更加稳健和高效。尽管前景光明，但超宽禁带材料的物理特性仍不被充分理解，导致理论预测与实验器件行为之间存在显著差距。为...