动态 | 宽禁带材料5位行业大伽齐聚上海光机所第四届尚光材料论坛！
为了促进国内宽禁带半导体领域的科研创新和产业化，增强宽禁带半导体材料科学家的凝聚力，中国科学院上海光学精密机械研究所（以下简称：上海光机所）先进激光与光电功能材料部主办第四期尚光材料论坛，会议将于20...
综述 | 第四代半导体氮化铝生长及其器件最新进展综述
奥趋光电（Ultratrend Technologies）公众号2025年1月13日翻译、刊载了Stanford University宽禁带及超宽禁带高功率高频电子器件综述，英文原文2024年发表于J...
奥趋光电祝您新春快乐，蛇年大吉！
新春快乐，蛇年大吉！
动态 | 1月22-24日，奥趋光电亮相第39届NEPCON JAPAN
2025年1月22-24日，第39届NEPCON JAPAN电子科技博览会将在日本东京有明国际展览中心隆重举行。作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸氮化铝单晶衬底全套制程和制造能力的领先技术企业之一，...
动态 | 中国科学院院士祝世宁教授等来访奥趋光电
8月28日，《人工晶体学报》主编、中国科学院院士、南京大学学术委员会副主任祝世宁教授，《人工晶体学报》执行主编彭珍珍，《人工晶体学报》编委、南京大学赵刚教授等一行来访奥趋光电。《人工晶体学报》编委、奥...
为了促进国内宽禁带半导体领域的科研创新和产业化，增强宽禁带半导体材料科学家的凝聚力，中国科学院上海光学精密机械研究所（以下简称：上海光机所）先进激光与光电功能材料部主办第四期尚光材料论坛，会议将于2025 年 02 月 27 日（13:30—18:00）在上海光机所王大珩厅举行。
奥趋光电（Ultratrend Technologies）公众号2025年1月13日翻译、刊载了Stanford University宽禁带及超宽禁带高功率高频电子器件综述，英文原文2024年发表于Journal of Physics: Materials, Volume 7。这...
新春快乐，蛇年大吉！
2025年1月22-24日，第39届NEPCON JAPAN电子科技博览会将在日本东京有明国际展览中心隆重举行。作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸氮化铝单晶衬底全套制程和制造能力的领先技术企业之一，奥趋光电技术（杭州）有限公司将亮相本届NEPCON JAPAN，展出包括2英寸A...
8月28日，《人工晶体学报》主编、中国科学院院士、南京大学学术委员会副主任祝世宁教授，《人工晶体学报》执行主编彭珍珍，《人工晶体学报》编委、南京大学赵刚教授等一行来访奥趋光电。《人工晶体学报》编委、奥趋光电首席执行官吴亮博士、研发总监王琦琨博士、综合管理部总经理陈鹏等进行了热情接...
2024年8月21日至23日，第四届紫外LED会议暨长治LED产业发展大会将在山西长治滨湖文旅服务中心举办。本届会议以“创新发展跨界共生，成果转化生态构建”为主题，邀请了来自紫外LED全产业链、多领域的专家、知名企业代表组成的百人嘉宾团，将共同探讨“紫外LED+”新机遇，挖掘紫外...
亚利桑那州立大学的研究团队宣称，他们成功研制出首款在AlN单晶衬底上的纯AlN基晶体管。该团队所制备的金属 - 半导体场效应晶体管（MESFET），其击穿电压超过2 kV，且据称漏极饱和电流及开关比（开/关比值）的数值亦颇为可观。
宽禁带和超宽禁带（U/WBG）材料因其巨大的带隙特性，能够提升器件性能，在半导体器件领域受到了广泛关注。这些卓越的材料特性有望使器件在高功率、高频率和极端环境条件下更加稳健和高效。尽管前景光明，但超宽禁带材料的物理特性仍不被充分理解，导致理论预测与实验器件行为之间存在显著差距。为...
东京大学研究生院工学部研究科电气系工学专业的前田拓也课题组（以下简称东京大学）和日本电信电话株式会社（以下简称NTT）阐明了使用氮化铝（AlN）基半导体（注1）的肖特基二极管（SBD）（注2） 的电流传输结构。NTT通过开发低电阻欧姆电极形成技术和漏电流小的肖特基电极形成技术，制...
超宽带隙（UWBG）半导体氮化铝（AlN）传统上被用于光电子学领域，以及作为射频（RF）微机电系统（MEMS）中的压电层。现在，AlN作为一个电子平台，被定位为满足下一代高频通信需求的有力候选者。这归功于其独特的集成能力，能够将射频有源器件（如晶体管）和无源射频器件（如滤波器、天...
在超宽带隙AlN衬底上的AlN/GaN/AlN量子阱高电子迁移率晶体管中，由极化诱导的二维电子气（2DEGs）为推进氮化物半导体在微波和功率电子领域的应用开辟了充满希望的道路。
氮化铝（AlN）凭借其出色的电学、光学和热学性能，在高性能功率电子、极端环境半导体器件、射频（RF）器件和深紫外（DUV）光电子等应用领域具有极其重要的意义。相比Si、SiC、GaN和β-Ga2O3等其他常用半导体材料，AlN具有最高的临界电场和理论击穿电压，所以具有最高的Bal...