动态 | 中国科学院院士祝世宁教授等来访奥趋光电
8月28日，《人工晶体学报》主编、中国科学院院士、南京大学学术委员会副主任祝世宁教授，《人工晶体学报》执行主编彭珍珍，《人工晶体学报》编委、南京大学赵刚教授等一行来访奥趋光电。《人工晶体学报》编委、奥...
动态 | 奥趋光电将应邀出席第四届紫外LED会议
2024年8月21日至23日，第四届紫外LED会议暨长治LED产业发展大会将在山西长治滨湖文旅服务中心举办。本届会议以“创新发展跨界共生，成果转化生态构建”为主题，邀请了来自紫外LED全产业链、多领域...
动态 | 第十八届全国MOCVD学术会议圆满落幕，奥趋光电AlN单晶优惠持续进行中
7月9日，第十八届全国MOCVD学术会议在湖北恩施华龙城大酒店圆满落幕。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企...
动态 | 奥趋光电亮相第十八届全国MOCVD学术会议，AlN单晶优惠火热进行中
第十八届全国MOCVD学术会议于今日在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业亮...
邀请 | 助力第十八届全国MOCVD学术会议，AlN单晶优惠抢先开启
2024年7月7-10日，由中国科学技术大学主办的第十八届全国MOCVD学术会议将在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单...
8月28日，《人工晶体学报》主编、中国科学院院士、南京大学学术委员会副主任祝世宁教授，《人工晶体学报》执行主编彭珍珍，《人工晶体学报》编委、南京大学赵刚教授等一行来访奥趋光电。《人工晶体学报》编委、奥趋光电首席执行官吴亮博士、研发总监王琦琨博士、综合管理部总经理陈鹏等进行了热情接...
2024年8月21日至23日，第四届紫外LED会议暨长治LED产业发展大会将在山西长治滨湖文旅服务中心举办。本届会议以“创新发展跨界共生，成果转化生态构建”为主题，邀请了来自紫外LED全产业链、多领域的专家、知名企业代表组成的百人嘉宾团，将共同探讨“紫外LED+”新机遇，挖掘紫外...
7月9日，第十八届全国MOCVD学术会议在湖北恩施华龙城大酒店圆满落幕。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业亮相本届大会，现场设展向与会嘉宾汇报展示了面向紫外光电器件、功率电子器件、微波...
第十八届全国MOCVD学术会议于今日在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业亮相本届大会，向与会嘉宾汇报展示面向紫外光电器件、功率电子器件、微波射频器件等应用...
2024年7月7-10日，由中国科学技术大学主办的第十八届全国MOCVD学术会议将在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业，受组委会邀请将出席本次会议并发表主...
6月25-26日，“十四五”国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2024年度第三代半导体材料与器件技术方向19个项目中期检查会议在杭州光学精密机械研究所召开。奥趋光电作为“AlN单晶衬底制备和同质外延关键技术”项目（编号2022YFB3605300，项目负责人北京...
超宽带隙（UWBG）半导体氮化铝（AlN）传统上被用于光电子学领域，以及作为射频（RF）微机电系统（MEMS）中的压电层。现在，AlN作为一个电子平台，被定位为满足下一代高频通信需求的有力候选者。这归功于其独特的集成能力，能够将射频有源器件（如晶体管）和无源射频器件（如滤波器、天...
在超宽带隙AlN衬底上的AlN/GaN/AlN量子阱高电子迁移率晶体管中，由极化诱导的二维电子气（2DEGs）为推进氮化物半导体在微波和功率电子领域的应用开辟了充满希望的道路。
氮化铝（AlN）凭借其出色的电学、光学和热学性能，在高性能功率电子、极端环境半导体器件、射频（RF）器件和深紫外（DUV）光电子等应用领域具有极其重要的意义。相比Si、SiC、GaN和β-Ga2O3等其他常用半导体材料，AlN具有最高的临界电场和理论击穿电压，所以具有最高的Bal...
本文报道了通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在单晶AlN衬底上成功制备了横向AlN肖特基势垒二极管（SBDs），该二极管具有η=1.65的超低理想因子，击穿电压（BV）高达640V，并且按照阳极至阴极距离（LAC）归一化后的击穿电压达到了创纪录的高水平。同质外延生长的Al...
本文展示了基于单晶AlN衬底的高压AlN基金属-半导体场效应晶体管（MESFETs）及其电学特性表征。相较于采用异质衬底的AlN基MESFETs，本研究所开发的AlN-on-AlN基MESFETs在15μm漏栅间距下实现了超过2kV的高击穿电压，并且在已报道的AlN基MESFET...
氮化铝（AlN）是一种超宽带隙且极具前途的半导体材料，由于其高击穿电压、迁移率和热导率，它在电力电子和光电子应用方面具有显著优势。AlN基肖特基势垒二极管（SBD）和金属半导体场效应晶体管（MOSFET）已显示出巨大潜力，但受到高关态漏电流和实现欧姆接触的复杂结构等问题的限制。为...