￥25,000.00
￥1,500.00
￥7,000.00
￥0.00
4月23日，2026九峰山论坛暨中国光谷国际化合物半导体产业博览会在光谷科技会展中心隆重开幕。论坛首日，“中国新质半导体创新发展三十年特展”同期举办，由工信部中国电子信息产业发展研究院与九峰山实验室联...
近日，国际知名行业媒体Semiconductor Review 公布了“2026年亚洲最佳氮化铝单晶衬底制造商（Top AlN Single Crystal Wafer Substrate Manuf...
2026年3月18-19日，由浙江大学杭州国际科创中心、硅及先进半导体材料全国重点实验室、国家第三代半导体技术创新中心和半导体在线主办的第二届第四代半导体研讨会在浙江杭州成功举办。奥趋光电技术（杭州）...
2026年3月18-19日，由浙江大学杭州国际科创中心、硅及先进半导体材料全国重点实验室、国家第三代半导体技术创新中心和半导体在线主办的第二届第四代半导体研讨会将在浙江杭州举行。奥趋光电技术（杭州）有...
2月4日，临平区委书记周徐胤同志来访奥趋光电，开展指导调研和服务工作，区委办、临平经开区相关负责人等陪同。奥趋光电首席执行官吴亮、综合管理部总经理陈鹏等进行了热情接待。
4月23日，2026九峰山论坛暨中国光谷国际化合物半导体产业博览会在光谷科技会展中心隆重开幕。论坛首日，“中国新质半导体创新发展三十年特展”同期举办，由工信部中国电子信息产业发展研究院与九峰山实验室联合摄制的国内首部化合物半导体大型专题纪录片《新质芯力量》正式首映。
近日，国际知名行业媒体Semiconductor Review 公布了“2026年亚洲最佳氮化铝单晶衬底制造商（Top AlN Single Crystal Wafer Substrate Manufacturer in Asia 2026）”评选结果，奥趋光电技术（杭州）有限公...
2026年3月18-19日，由浙江大学杭州国际科创中心、硅及先进半导体材料全国重点实验室、国家第三代半导体技术创新中心和半导体在线主办的第二届第四代半导体研讨会在浙江杭州成功举办。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸第四代半导体氮化铝单晶衬底全套制程能...
2026年3月18-19日，由浙江大学杭州国际科创中心、硅及先进半导体材料全国重点实验室、国家第三代半导体技术创新中心和半导体在线主办的第二届第四代半导体研讨会将在浙江杭州举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸第四代半导体AlN单晶衬底全套制程能力...
2月4日，临平区委书记周徐胤同志来访奥趋光电，开展指导调研和服务工作，区委办、临平经开区相关负责人等陪同。奥趋光电首席执行官吴亮、综合管理部总经理陈鹏等进行了热情接待。
2026年1月21-23日，第40届NEPCON JAPAN电子科技博览会在日本东京有明国际展览中心隆重举行。作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸氮化铝单晶衬底全套制程和批量制造能力的领先技术企业之一，奥趋光电技术（杭州）有限公司连续第三届亮相NEPCON JAPAN，本次展出了...
超宽禁带半导体因其宽带隙、高临界击穿电场和优异的化学稳定性，在高功率、高电压、高效率电力电子与射频电子器件以及恶劣环境工作能力方面展现出巨大潜力，近年来引起了广泛的研究兴趣。在常见超宽禁带半导体（如Ga₂O₃、金刚石、AlGaN和BN）中，氮化铝因其最大的带隙（约6.1 eV）、...
为实现适用于高频、高功率场景的超宽禁带AlGaN晶体管，必须尽可能降低高迁移率导电沟道的接入电阻，以满足高频工作需求。AlGaN材料相对较低的电子亲和能对其欧姆接触的形成构成严峻挑战。本研究报道了在极化掺杂场效应晶体管（PolFET）中，面向Al₀.₇₅Ga₀.₂₅N沟道所制备的...
本文展示了一种在氮化铝单晶衬底上制备的N极性Al0.65Ga0.35N/Al0.85Ga0.15N高电子迁移率晶体管。外延层采用等离子体辅助分子束外延技术生长，并采用了3 nm原位GaN盖层以防止AlGaN沟道表面氧化。为降低接触电阻，在接触区域通过PAMBE选择性再生长了高浓度...
在AlN）单晶衬底上制备了具有顶部渐变AlGaN接触层的横向AlN肖特基势垒二极管（AlN基SBD）。其欧姆接触表现出近乎线性的电学特性，接触电阻率低至1.54 × 10⁻³ Ω·cm²。该器件展现出良好的整流特性：开关比高达10⁷–10⁹，理想因子在2.94至1.07之间，肖特...
超宽禁带（UWBG）AlGaN合金（Al组分 xAl > 0.50）因其固有的高临界电场强度，以及由此产生的、优于当前GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）技术的约翰逊优值（∝ Ecrit * vsat），正被研究用于下一代高频（> 90 GHz）射频晶体管。此外，与GaN相比，...
美国Soctera公司与射频巨头Qorvo公司的研究人员展示了一种在射频代工工厂中制造的高电子迁移率晶体管（HEMT），其氮化镓（GaN）沟道层夹在超宽带隙氮化铝（AlN）顶部和背部势垒/缓冲层之间。
.png)
