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7月8日，2025年度国家科学技术奖揭晓。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为第二完成单位参与攻关的“高性能氮化铝基半导体材料制备及其光电芯片关键技术”项目，斩获国家技术发明奖二等奖，拿下国家级顶尖科技荣...
致敬努力奋斗的平凡人，奥趋光电祝您五一节快乐！
4月23日，2026九峰山论坛暨中国光谷国际化合物半导体产业博览会在光谷科技会展中心隆重开幕。论坛首日，“中国新质半导体创新发展三十年特展”同期举办，由工信部中国电子信息产业发展研究院与九峰山实验室联...
近日，国际知名行业媒体Semiconductor Review 公布了“2026年亚洲最佳氮化铝单晶衬底制造商（Top AlN Single Crystal Wafer Substrate Manuf...
2026年3月18-19日，由浙江大学杭州国际科创中心、硅及先进半导体材料全国重点实验室、国家第三代半导体技术创新中心和半导体在线主办的第二届第四代半导体研讨会在浙江杭州成功举办。奥趋光电技术（杭州）...
7月8日，2025年度国家科学技术奖揭晓。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为第二完成单位参与攻关的“高性能氮化铝基半导体材料制备及其光电芯片关键技术”项目，斩获国家技术发明奖二等奖，拿下国家级顶尖科技荣誉。
致敬努力奋斗的平凡人，奥趋光电祝您五一节快乐！
4月23日，2026九峰山论坛暨中国光谷国际化合物半导体产业博览会在光谷科技会展中心隆重开幕。论坛首日，“中国新质半导体创新发展三十年特展”同期举办，由工信部中国电子信息产业发展研究院与九峰山实验室联合摄制的国内首部化合物半导体大型专题纪录片《新质芯力量》正式首映。
近日，国际知名行业媒体Semiconductor Review 公布了“2026年亚洲最佳氮化铝单晶衬底制造商（Top AlN Single Crystal Wafer Substrate Manufacturer in Asia 2026）”评选结果，奥趋光电技术（杭州）有限公...
2026年3月18-19日，由浙江大学杭州国际科创中心、硅及先进半导体材料全国重点实验室、国家第三代半导体技术创新中心和半导体在线主办的第二届第四代半导体研讨会在浙江杭州成功举办。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸第四代半导体氮化铝单晶衬底全套制程能...
2026年3月18-19日，由浙江大学杭州国际科创中心、硅及先进半导体材料全国重点实验室、国家第三代半导体技术创新中心和半导体在线主办的第二届第四代半导体研讨会将在浙江杭州举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸第四代半导体AlN单晶衬底全套制程能力...
本研究在单晶AlN衬底上生长了高铝组分 AlₓGa₁₋ₓN (0.7 < x < 1) 分布式极化掺杂准垂直肖特基势垒二极管（SBD）。该器件表现出优异的整流特性，具备高达约 14 kA/cm² 的正向电流密度及约 8.3 MV/cm 的击穿场强。同时，该二极管呈现出低理想因子（...
原文标题 Record forward-current for AlGaN Schottky barrier diodes 原文链接 https://compoundsemiconductor.net/article/124419/Record_...
我们报道了采用再生长外延 AlN 栅极中间层的超宽禁带（UWBG）AlGaN 极化梯度场效应晶体管（PolFET）。通过引入外延 AlN 栅极中间层显著提高了击穿强度，平均击穿场强超过 6.94 MV/cm，这代表了横向场效应晶体管的先进水平，同时保持了超过 1 A/mm 的优异...
本文报道了超宽禁带（UWBG）富铝 Al₀.₆₈Ga₀.₃₂N 沟道高电子迁移率晶体管（HEMTs）在常压氮气氛围中 850 °C 下的工作特性。我们采用原位测试技术，系统表征了器件在高达 850 °C 温度下的变温直流（DC）电学特性，并监测了其在 850 °C 恒温老化 60...
大尺寸AlN单晶衬底的进展为其在紫外光电子之外的应用开辟了道路，推动了下一代集成电力电子的发展。本研究针对δ掺杂AlN/GaN/AlN异质结构展开了系统研究，通过在结构中引入n型δ掺杂层，有效抑制了底部GaN/AlN界面处不期望出现的二维空穴气（2DHG），从而显著提升了顶部Al...
超宽禁带半导体因其宽带隙、高临界击穿电场和优异的化学稳定性，在高功率、高电压、高效率电力电子与射频电子器件以及恶劣环境工作能力方面展现出巨大潜力，近年来引起了广泛的研究兴趣。在常见超宽禁带半导体（如Ga₂O₃、金刚石、AlGaN和BN）中，氮化铝因其最大的带隙（约6.1 eV）、...
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