￥57,000.00
￥1,500.00
￥7,000.00
￥0.00
6月13日，应国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台/深圳平湖实验室万玉喜主任、第四代半导体首席科学家/新加坡工程院院士张道华教授等专家邀请，奥趋光电技术（杭州）有限公司创始人吴亮博士赴国家第三代半...
6月6日，杭州临平经济技术开发区党工委常务副书记，管委会主任卞吉坤、产业发展局局长陈莺、副局长李逸群等一行来访奥趋光电，开展调研和服务工作。奥趋光电首席执行官吴亮、综合管理部总经理陈鹏等进行了热情接待...
2025年5月15-16日，由浙江大学杭州国际科创中心、半导体在线主办，杭州镓仁半导体有限公司、奥趋光电技术（杭州）有限公司、宁波晶钻科技股份有限公司承办的2025年第四代半导体技术研讨会在杭州成功举...
2025年5月15-16日，由浙江大学杭州国际科创中心、半导体在线主办，杭州镓仁半导体有限公司、奥趋光电技术（杭州）有限公司、宁波晶钻科技股份有限公司承办的2025年第四代半导体技术研讨会在杭州成功举...
近日，“智创芯港·引领未来”2025上海宽禁带与超宽禁带半导体产业创新发展推进会在临港新片区举办，上海市超宽禁带半导体未来产业集聚区启动建设。
6月13日，应国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台/深圳平湖实验室万玉喜主任、第四代半导体首席科学家/新加坡工程院院士张道华教授等专家邀请，奥趋光电技术（杭州）有限公司创始人吴亮博士赴国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台/深圳平湖实验室开展访问交流与合作洽谈。
6月6日，杭州临平经济技术开发区党工委常务副书记，管委会主任卞吉坤、产业发展局局长陈莺、副局长李逸群等一行来访奥趋光电，开展调研和服务工作。奥趋光电首席执行官吴亮、综合管理部总经理陈鹏等进行了热情接待。
2025年5月15-16日，由浙江大学杭州国际科创中心、半导体在线主办，杭州镓仁半导体有限公司、奥趋光电技术（杭州）有限公司、宁波晶钻科技股份有限公司承办的2025年第四代半导体技术研讨会在杭州成功举行。北京大学沈波教授、山东大学陶绪堂教授、中国电子科技集团第十三研究所冯志红首席...
2025年5月15-16日，由浙江大学杭州国际科创中心、半导体在线主办，杭州镓仁半导体有限公司、奥趋光电技术（杭州）有限公司、宁波晶钻科技股份有限公司承办的2025年第四代半导体技术研讨会在杭州成功举行，近400人国内外专业人员报名参会。北京大学沈波教授、山东大学陶绪堂教授、中国...
近日，“智创芯港·引领未来”2025上海宽禁带与超宽禁带半导体产业创新发展推进会在临港新片区举办，上海市超宽禁带半导体未来产业集聚区启动建设。
5月8日，杭州市临平区委常委、统战部部长，临平国家级经济技术开发区党工委书记计子法同志一行莅临云墨智谷园区及奥趋光电，进行走访服务和考察调研。杭州云墨智谷新材料科技发展有限公司/杭州超探新材料科技有限公司董事长汪训国、云墨智谷园区总经理王波，奥趋光电技术（杭州）有限公司首席执行官...
通过金属有机化学气相沉积法（MOCVD）在蓝宝石衬底生长的氮化铝（AlN）外延层上制备出了击穿电压高达11.6 kV的横向NiO/AlN异质结二极管（HJDs）和击穿电压高达8.6 kV的Ni/Au/AlN肖特基势垒二极管（SBDs）。
氮化铝（AlN）衬底技术的突破性进展，正使其成为新一代电子与光电子器件领域具有变革性潜力的关键材料。
本文采用金属有机气相外延法（MOVPE）在氮化铝（AlN）单晶衬底上生长了AlN/GaN赝晶结构，并研究了AlN/GaN界面处二维电子气（2DEG）的霍尔效应特性及基于该结构的HEMT器件性能。
生长于氮化铝（AlN）单晶衬底之上的N极性AlGaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）在射频性能表现与热管理效能方面呈现出极为可观的应用潜力。
在飞速发展的半导体技术领域，一种材料正崭露头角，有望成为半导体技术游戏规则的改变者（game-changer）：氮化铝（AlN）。
氮化铝（AlN）作为一种超宽禁带（UWBG）半导体材料，已被证实可有效满足紫外光电器件在210-280 nm波段的工作需求。目前，商用的2英寸AlN衬底已实现大规模生产，展现出优异的晶体质量、低吸收系数以及数千片量级的生产能力。然而，基于AlN作为超宽禁带半导体的巨大应用潜力，尽...
.png)
