￥25,000.00
￥1,500.00
￥7,000.00
￥0.00
2026年3月18-19日，由浙江大学杭州国际科创中心、硅及先进半导体材料全国重点实验室、国家第三代半导体技术创新中心和半导体在线主办的第二届第四代半导体研讨会将在浙江杭州举行。奥趋光电技术（杭州）有...
奥趋光电祝您新春快乐，马年大吉
2月4日，临平区委书记周徐胤同志来访奥趋光电，开展指导调研和服务工作，区委办、临平经开区相关负责人等陪同。奥趋光电首席执行官吴亮、综合管理部总经理陈鹏等进行了热情接待。
2026年1月21-23日，第40届NEPCON JAPAN电子科技博览会在日本东京有明国际展览中心隆重举行。作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸氮化铝单晶衬底全套制程和批量制造能力的领先技术企业之一...
——2英寸AlN衬底P级标准片仅需25,000元/片，同等投入实现双倍研发效能，加速超宽禁带半导体产业化
2026年3月18-19日，由浙江大学杭州国际科创中心、硅及先进半导体材料全国重点实验室、国家第三代半导体技术创新中心和半导体在线主办的第二届第四代半导体研讨会将在浙江杭州举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸第四代半导体AlN单晶衬底全套制程能力...
奥趋光电祝您新春快乐，马年大吉
2月4日，临平区委书记周徐胤同志来访奥趋光电，开展指导调研和服务工作，区委办、临平经开区相关负责人等陪同。奥趋光电首席执行官吴亮、综合管理部总经理陈鹏等进行了热情接待。
2026年1月21-23日，第40届NEPCON JAPAN电子科技博览会在日本东京有明国际展览中心隆重举行。作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸氮化铝单晶衬底全套制程和批量制造能力的领先技术企业之一，奥趋光电技术（杭州）有限公司连续第三届亮相NEPCON JAPAN，本次展出了...
——2英寸AlN衬底P级标准片仅需25,000元/片，同等投入实现双倍研发效能，加速超宽禁带半导体产业化
日前，奥趋光电技术（杭州）有限公司正式通过认定，获评国家高新技术企业。证书已于近日下达。
超宽禁带（UWBG）AlGaN合金（Al组分 xAl > 0.50）因其固有的高临界电场强度，以及由此产生的、优于当前GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）技术的约翰逊优值（∝ Ecrit * vsat），正被研究用于下一代高频（> 90 GHz）射频晶体管。此外，与GaN相比，...
美国Soctera公司与射频巨头Qorvo公司的研究人员展示了一种在射频代工工厂中制造的高电子迁移率晶体管（HEMT），其氮化镓（GaN）沟道层夹在超宽带隙氮化铝（AlN）顶部和背部势垒/缓冲层之间。
译自原文Low Resistance Non-Alloyed Ohmic Contacts to High Al Composition n-type AlGaN 原文链接https://arxiv.org/abs/2512.08871v1, su...
日本NTT成功开发全球首款用于后5G通信的AlN基高频晶体管 – 拓展氮化铝应用领域：从功率转换到无线通信
氮化铝（AlN）作为电力电子材料具有巨大潜力，其关键指标——巴利加优值（Baliga figure of merit）超过所有其他超宽禁带半导体。然而，器件性能受限于与掺杂相关的困难，包括高电离能以及自补偿缺陷的形成。
康奈尔大学的研究人员开发出一种新型晶体管架构，该技术有望重塑高功率无线电子产品的设计范式，同时能缓解关键半导体材料的供应链风险。这种名为XHEMT的器件在氮化铝体单晶衬底上生长了超薄氮化镓层。氮化铝作为超宽禁带半导体材料，具有缺陷密度低、耐高压高温、可减少电能损耗等优异特性。
.png)
