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为实现适用于高频、高功率场景的超宽禁带AlGaN晶体管，必须尽可能降低高迁移率导电沟道的接入电阻，以满足高频工作需求。AlGaN材料相对较低的电子亲和能对其欧姆接触的形成构成严峻挑战。本研究报道了在极...
近日，国际知名行业媒体Semiconductor Review 公布了“2026年亚洲最佳氮化铝单晶衬底制造商（Top AlN Single Crystal Wafer Substrate Manuf...
2026年3月18-19日，由浙江大学杭州国际科创中心、硅及先进半导体材料全国重点实验室、国家第三代半导体技术创新中心和半导体在线主办的第二届第四代半导体研讨会在浙江杭州成功举办。奥趋光电技术（杭州）...
2026年3月18-19日，由浙江大学杭州国际科创中心、硅及先进半导体材料全国重点实验室、国家第三代半导体技术创新中心和半导体在线主办的第二届第四代半导体研讨会将在浙江杭州举行。奥趋光电技术（杭州）有...
奥趋光电祝您新春快乐，马年大吉
为实现适用于高频、高功率场景的超宽禁带AlGaN晶体管，必须尽可能降低高迁移率导电沟道的接入电阻，以满足高频工作需求。AlGaN材料相对较低的电子亲和能对其欧姆接触的形成构成严峻挑战。本研究报道了在极化掺杂场效应晶体管（PolFET）中，面向Al₀.₇₅Ga₀.₂₅N沟道所制备的...
近日，国际知名行业媒体Semiconductor Review 公布了“2026年亚洲最佳氮化铝单晶衬底制造商（Top AlN Single Crystal Wafer Substrate Manufacturer in Asia 2026）”评选结果，奥趋光电技术（杭州）有限公...
2026年3月18-19日，由浙江大学杭州国际科创中心、硅及先进半导体材料全国重点实验室、国家第三代半导体技术创新中心和半导体在线主办的第二届第四代半导体研讨会在浙江杭州成功举办。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸第四代半导体氮化铝单晶衬底全套制程能...
2026年3月18-19日，由浙江大学杭州国际科创中心、硅及先进半导体材料全国重点实验室、国家第三代半导体技术创新中心和半导体在线主办的第二届第四代半导体研讨会将在浙江杭州举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸第四代半导体AlN单晶衬底全套制程能力...
奥趋光电祝您新春快乐，马年大吉
2月4日，临平区委书记周徐胤同志来访奥趋光电，开展指导调研和服务工作，区委办、临平经开区相关负责人等陪同。奥趋光电首席执行官吴亮、综合管理部总经理陈鹏等进行了热情接待。
在AlN）单晶衬底上制备了具有顶部渐变AlGaN接触层的横向AlN肖特基势垒二极管（AlN基SBD）。其欧姆接触表现出近乎线性的电学特性，接触电阻率低至1.54 × 10⁻³ Ω·cm²。该器件展现出良好的整流特性：开关比高达10⁷–10⁹，理想因子在2.94至1.07之间，肖特...
超宽禁带（UWBG）AlGaN合金（Al组分 xAl > 0.50）因其固有的高临界电场强度，以及由此产生的、优于当前GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）技术的约翰逊优值（∝ Ecrit * vsat），正被研究用于下一代高频（> 90 GHz）射频晶体管。此外，与GaN相比，...
美国Soctera公司与射频巨头Qorvo公司的研究人员展示了一种在射频代工工厂中制造的高电子迁移率晶体管（HEMT），其氮化镓（GaN）沟道层夹在超宽带隙氮化铝（AlN）顶部和背部势垒/缓冲层之间。
译自原文Low Resistance Non-Alloyed Ohmic Contacts to High Al Composition n-type AlGaN 原文链接https://arxiv.org/abs/2512.08871v1, su...
日本NTT成功开发全球首款用于后5G通信的AlN基高频晶体管 – 拓展氮化铝应用领域：从功率转换到无线通信
氮化铝（AlN）作为电力电子材料具有巨大潜力，其关键指标——巴利加优值（Baliga figure of merit）超过所有其他超宽禁带半导体。然而，器件性能受限于与掺杂相关的困难，包括高电离能以及自补偿缺陷的形成。
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