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2月4日，临平区委书记周徐胤同志来访奥趋光电，开展指导调研和服务工作，区委办、临平经开区相关负责人等陪同。奥趋光电首席执行官吴亮、综合管理部总经理陈鹏等进行了热情接待。
2026年1月21-23日，第40届NEPCON JAPAN电子科技博览会在日本东京有明国际展览中心隆重举行。作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸氮化铝单晶衬底全套制程和批量制造能力的领先技术企业之一...
——2英寸AlN衬底P级标准片仅需25,000元/片，同等投入实现双倍研发效能，加速超宽禁带半导体产业化
日前，奥趋光电技术（杭州）有限公司正式通过认定，获评国家高新技术企业。证书已于近日下达。
2026，马踏新程，势启未来！
2月4日，临平区委书记周徐胤同志来访奥趋光电，开展指导调研和服务工作，区委办、临平经开区相关负责人等陪同。奥趋光电首席执行官吴亮、综合管理部总经理陈鹏等进行了热情接待。
2026年1月21-23日，第40届NEPCON JAPAN电子科技博览会在日本东京有明国际展览中心隆重举行。作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸氮化铝单晶衬底全套制程和批量制造能力的领先技术企业之一，奥趋光电技术（杭州）有限公司连续第三届亮相NEPCON JAPAN，本次展出了...
——2英寸AlN衬底P级标准片仅需25,000元/片，同等投入实现双倍研发效能，加速超宽禁带半导体产业化
日前，奥趋光电技术（杭州）有限公司正式通过认定，获评国家高新技术企业。证书已于近日下达。
2026，马踏新程，势启未来！
2025年11月29-30日，由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会主办，奥趋光电技术（杭州）有限公司、北京大学、山东大学、西安电子科技大学、广东省科学院半导体研究所共同承办的超宽禁带半导体AlN材料和器件专题研讨会在浙江杭州顺利召开。
译自原文Low Resistance Non-Alloyed Ohmic Contacts to High Al Composition n-type AlGaN 原文链接https://arxiv.org/abs/2512.08871v1, su...
日本NTT成功开发全球首款用于后5G通信的AlN基高频晶体管 – 拓展氮化铝应用领域：从功率转换到无线通信
氮化铝（AlN）作为电力电子材料具有巨大潜力，其关键指标——巴利加优值（Baliga figure of merit）超过所有其他超宽禁带半导体。然而，器件性能受限于与掺杂相关的困难，包括高电离能以及自补偿缺陷的形成。
康奈尔大学的研究人员开发出一种新型晶体管架构，该技术有望重塑高功率无线电子产品的设计范式，同时能缓解关键半导体材料的供应链风险。这种名为XHEMT的器件在氮化铝体单晶衬底上生长了超薄氮化镓层。氮化铝作为超宽禁带半导体材料，具有缺陷密度低、耐高压高温、可减少电能损耗等优异特性。
本研究开发了一种可控碳掺杂的两步生长工艺，利用热壁金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，成功在AlN单晶衬底上实现了150 nm和50 nm厚GaN沟道层的完全融合生长。所制备的HEMT器件展现出国际领先的二维电子气（2DEG）迁移率：150 nm厚沟道器件的迁移率达1805 ...
AlN背势垒高电子迁移率晶体管（HEMTs）通过在AlN背势垒上生长超薄GaN沟道层，在高压、高频应用中展现出巨大潜力。然而，由于GaN与AlN之间存在晶格失配和热失配，需对薄GaN沟道层的生长模式进行精确调控。本研究采用低温（LT）和高温（HT）两步生长法调控GaN沟道层，通过...
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