行业 | 阿卜杜拉沙特国王科技大学在n型AlN上实现创纪录的低接触电阻率

2024-08-26 管理员


超宽带隙氮化铝(AlN)作为高功率电子器件的高吸引力材料脱颖而出。然而,AlN功率器件由于接触电阻率超过10-1 Ω cm2而面临性能挑战。在本工作中,我们展示了通过直接应用于n型AlN的精细金属化工艺,实现了10-4 Ω cm2级别的低接触电阻率。最小的接触电阻率达到5.82 x 10-4 Ω cm2。

 

译自原文
Low contact resistivity at the 10−4 Ω cm2 level fabricated directly on n-type AlN

 

原文作者
Haicheng Cao ; Mingtao Nong ; Jiaqiang Li ; Xiao Tang ; Tingang Liu ; Zhiyuan Liu ; Biplab Sarkar ; Zhiping Lai ; Ying Wu ; Xiaohang Li, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST)

 

原文链接
https://doi.org/10.1063/5.0215744  Appl. Phys. Lett. 125, 081602 (2024)

 

项目支持方
多项KAUST Baseline Fund、KAUST Competitive Research Grants资助

 

 

摘要

 

超宽带隙氮化铝(AlN)作为高功率电子器件的高吸引力材料脱颖而出。然而,AlN功率器件由于接触电阻率超过10-1 Ω cm2而面临性能挑战。在本工作中,我们展示了通过直接应用于n型AlN的精细金属化工艺,实现了10-4 Ω cm2级别的低接触电阻率。最小的接触电阻率达到5.82 x 10-4 Ω cm2。我们的分析揭示,低接触电阻主要归因于稳定的TiAlTi/AlN界面,即使在严格的退火条件下也具有弹性,这有利地形成了一个薄的Al-Ti-N中间层,促进了大量的氮空位,增强了界面处的净载流子密度,并降低了接触势垒。这项工作标志着在实现n型AlN的优越欧姆接触方面迈出了重要的一步,为更高效的功率电子和光电器件铺平了道路。

 

 

 

 

 

 

氮化铝(AlN)以其超宽带隙、高击穿强度、卓越的热导率和出色的稳定性而受到青睐,被用于高功率电子器件。因此,追求高效的AlN基功率电子引起了越来越多的关注。目前,金属有机化学气相沉积(MOCVD)是商业AlN生长的主要方法。MOCVD生长的nAlN的高掺杂电离能限制了其在室温(RT)下的载流子浓度低于1016 cm-3。再加上低电子亲和力,AlN遭受高欧姆接触势垒的问题,这导致非线性行为和升高的电阻率。为了实现低接触电阻,当前的主要策略是在nAlN薄膜上使用n型渐变AlGaN层。然而,这种方法高度依赖于MOCVD设备条件,并且需要精细控制参数,如Ga梯度和前驱体流速。此外,它还涉及额外的生长和蚀刻步骤。相比之下,金属化过程优化更为直接。策略包括选择适当的主要接触层(如钒和薄硅氮化物)来减少接触势垒,以及通过快速热退火过程(RTP)在AlN/金属界面诱导氮(N)空位,以创建额外的供体态。在n型高Al含量AlGaN中,N空位作为供体,在退火后在金属下形成薄的、高掺杂层,并提高了界面净载流子浓度。这增加了载流子通过金属/半导体(M/S)界面空间电荷区的隧穿概率,这对于降低欧姆接触电阻至关重要。然而,AlN表面的高解离能使得热退火后形成N空位更具挑战性。迄今为止,尽管付出了巨大努力,nAlN在室温下的接触电阻率仍超过10-1 Ω cm2,没有达到渐变n-AlGaN方法的优势(10-2 Ω cm2)。

在本研究中,展示了优化的金属化策略,实现了在nAlN上达到创纪录的低接触电阻率10-4 Ω cm2水平,绕过了对AlGaN梯度层的需要。对欧姆接触的电学和结构属性进行了全面的研究。这些发现突显了直接在nAlN上实现优越欧姆接触的巨大潜力,这对于推进高性能AlN基功率电子的发展具有重要意义。

 

AlN层通过MOCVD(0001) AlN/蓝宝石衬底上外延生长。外延结构包括一个100 nm的未掺杂AlN再生长层和一个250 nm的硅掺杂AlN层(Si: 6.4x1018 cm-3)。评估了两种欧姆接触金属堆叠,TiAlTiAu20/120/50/200 nm)和TiAlTi20/120/80 nm),通过溅射制备,并在氮气氛围下进行了快速热处理(RTP),温度范围从800950,持续时间从30120秒。退火后,使用圆传输线法(CTLM)在室温(RT)下确定了接触特性。评估了nAlNRT下的导电率和电离能分别为4.2x10-3 Ω-1 cm-1和约320 meV。示意图结构和制备流程如图1(a)所示。使用聚焦离子束技术准备了两个具有不同金属堆叠的退火样品,以便在Titan ST显微镜中进行横截面透射电子显微镜(TEM)分析。采用高分辨率TEMHRTEM)和高角环形暗场扫描TEMHAADF-STEM),结合能量色散X射线光谱(EDXS)和电子能量损失光谱(EELS),研究了退火后M/S界面的结构和组成均匀性。为了评估其对二极管的影响,制备了使用NiAu40/100 nm)堆叠作为肖特基金属的肖特基势垒二极管(SBDs),电极直径为150 μm,间隙为3 μm。电学特性分析使用Keithley 4200-SCS分析仪进行。通过原子力显微镜(AFM)扫描获得了退火金属堆叠的表面形态。

 

在相同条件(95060 s)下,两种金属堆叠的表面形态比较如图1(b)1(c)所示,由于金在高退火温度下易于互扩散,以及金和铝的低熔点,TiAlTiAu堆叠的表面更为粗糙。图2(a)2(b)展示了在不同退火条件下两种金属堆叠的I-V特性。结果显示所有接触都表现出适度的整流行为。TiAlTi堆叠显示出更接近线性的I-V特性,并且电流显著增加。特别是,TiAlTi堆叠的膝点电压(Vknee)降低到仅1.5 V,远低于TiAlTiAu堆叠观察到的5 V,这表明接触势垒较低。

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图1. (a) 圆传输线法(CTLM)图案示意图,垫片直径为300 μm,间隙为10-60 μm;(b) TiAlTiAu和(c) TiAlTi接触退火后的原子力显微镜(AFM)表面形态。

 

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图2. (a) 和 (b) 在不同快速热处理(RTP)条件下,具有10 μm间隙的I-V特性比较。(c) 和 (d) 相应提取的接触电阻率。(e) 使用TiAlTiAu和TiAlTi接触的AlN肖特基势垒二极管(SBDs)的I-V特性。

 

2(c)展示了从I-V特性的线性区域得出的接触电阻率。在所有堆叠中,更高的退火温度导致更低的接触电阻率和减少的整流倾向,尤其是在900以上。这种增强是由于在升高的温度下加速了表面AlN的分解和N空位的形成。对于TiAlTiAu堆叠,在900下退火60 s得到了最小的接触电阻率ρc0.036 Ω cm2。相比之下,将TiAlTi堆叠的退火温度提高到950显著降低了其整流行为。将TiAlTi堆叠的退火时间延长到90 s进一步降低了其接触电阻率ρc,最小值为5.82 x 10-4 Ω cm2,接触电阻Rc82.7 Ω mm。图2(d)显示了最佳退火后两种金属堆叠的SBDsI-V特性,突出了导电性和阈值电压的显著提高。具体来说,二极管的正向电阻从110.9 Ω cm-2下降到11.1 Ω cm-2,达到1 μA所需的电压从3.9 V降低到2.5 V

 

为了阐明接触形成机制,图中展示了退火后金属接触的代表性HAADF-STEM图像。通过EDXS分析,识别出两种金属堆叠之间存在明显的相位差异。与TiAlTi堆叠相比,TiAlTiAu堆叠观察到了明显的金属簇,这归因于粗糙的表面。此外,在TiAlTiAu堆叠中,观察到金的互扩散,导致形成了Al-Au合金,并促使钛的外扩散。在任一堆叠中都没有观察到AlTi之间的相互扩散。此外,M/S界面非常平滑,没有凸起或金属扩散进入生长的AlN层。接触界面的EDXS分析[3(c)3(d)]显示,在退火后TiAlTiAu/AlN界面形成了一个厚(25-35 nm)的Al-N中间层,覆盖了整个界面,而在TiAlTi/AlN界面则识别出了一个薄得多的(1-6 nmAl-Ti-N层。图3(e)展示了从界面提取的EELS光谱。EELS光谱和这些界面层的原子百分比(在补充材料中)证实了它们的主要成分,与EDXS结果一致。值得注意的是,在两种金属堆叠的表面上都检测到了Ti-N,表明N的存在显著,很可能来源于N2气体氛围。在TiAlTiAu堆叠中,厚Al-N层中的N也可能部分来源于N2,因为金属簇的存在使得金属/AlN界面更接近外部气体。此外,RTP设备的不完美真空(仅3-4 Torr)使得Al更容易氧化,因此在EDXS结果中观察到了Al(O)。在关于富Al AlGaN的文献中也报告了类似的现象。

 

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3. (a) (b) 退火后的TiAlTiAu900, 60 s)和TiAlTi950, 90 s)接触的HAADF-STEM图像。(c) (d) EDXS元素剖面[(a)(b)中的黄色虚线]以及(e) M/S界面测量的N-KTi-LAl-KO-K边缘的EELS光谱[(a)(b)中的黄色矩形区域](f) (g) 退火后的TiAlTiAuTiAlTi接触的M/S界面的HRTEM图像。下方图像(h)-(m)显示了HRTEM显微图中相应标记区域的FFTM/S界面由白色虚线指示。(a) (b) 中的比例尺为100 nm(f) (g) 中的比例尺为5 nm

 

在图3(f)–3(m)中,HRTEM图像和快速傅里叶变换(FFT)衍射图案显示两个界面都存在部分氮化物晶体结构,表明从生长的AlN中提取了N并形成了N空位。然而,在TiAlTiAu堆叠中,较厚的Al-N中间层阻碍了退火过程中金属堆叠对N的进一步提取,这可以解释尽管温度从900升高到950,电阻率仍未改善的原因。同时,这个缺陷较多的较厚中间层抑制了M/S界面的载流子隧穿,反而增加了接触势垒并加剧了整流行为。相比之下,TiAlTi堆叠在950时的较薄中间层显示出较低的接触电阻率,通过延长退火时间进一步降低,这促进了N空位的产生和载流子隧穿。然而,对于TiAlTi堆叠,退火时间延长至120 s后接触电阻率的上升表明中间层可能变厚或Al氧化,这需要进一步研究。图4对比了报道的金属/AlGaN直接欧姆接触的接触电阻率与Al摩尔分数。如观察到的,接触电阻在AlGaNAl摩尔分数超过约70%时迅速增加。因此,通过在AlN上直接接触金属化实现10-4 Ω cm2范围内的接触电阻被认为是有前景的,这有助于全面理解富Al AlGaNAlN薄膜上接触形成的机理。

 

 

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4. 与铝(Al)含量相关的接触电阻率比较

 

总之,本工作展示了在nAlN上直接接触的低接触电阻率,达到了10-4 Ω cm2水平。使用TiAlTi金属堆叠在950下退火90 s获得了最小的接触电阻率5.82x10-4 Ω cm2。实现如此低的接触电阻率归因于界面的最佳金属化。最佳金属化过程促进了界面处净载流子密度的增加,增强了载流子隧穿。这些结果增强了对直接金属/AlN欧姆接触的界面特性和电学性质的理解,为AlN基功率电子和光电器件的设计和应用提供了宝贵的见解。

 

 

 

原文源于【AIP Publishing】

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