行业新闻
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行业 | SiC/GaN的强劲对手 — 新一代AlN基晶体管
在过去的十年中，半导体领域最大的新闻之一就是传统硅的意外被超越——在电力电子领域，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）已经超越了硅，占据了数十亿美元的市场份额。随着这些具有优越性能的新秀逐渐占据主要应用...
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行业 | 美国Crystal IS 4英寸单晶AlN衬底荣获2024年年度半导体电子最高材料奖
Crystal IS，一家旭化成公司，今天宣布成功实现了直径为100 mm的单晶氮化铝（AlN）衬底的批量生产，这些衬底的可用面积达到99%，以满足当前UVC LED的需求，生产将在美国进行。AlN的...
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行业 | 德国在单晶AlN衬底上实现耐压2200 V、功率密度达1.17 GW/cm2的AlN基GaN沟道HEMT器件
我们在AlN衬底上，采用MOCVD生长的AlGaN/GaN/AlN外延层实现了基于AlN的GaN沟道HEMT，在VGS = 1 V时，实现了400 mA/mm的电流密度和125 V/µm的击穿电压（V...
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行业 | N极性AlN单晶衬底上AlGaN/AlN异质结极化诱导二维电子气（2DEGs）研究
极化诱导载流子在实现超宽带隙半导体AlGaN的高电导率方面起着重要作用，这对于从射频和功率电子到深紫外光电器件的各种应用至关重要。尽管具有重要的科学和技术意义，但在N极性AlGaN中关于极化诱导载流子...
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行业 | 康乃尔大学和日本化工巨头旭化成首次在N极性单晶AlN衬底上实现GaN/AlGaN/AlN 高电子迁移率晶体管(HEMT)
氮化镓的宽带隙和高电子速度使其在商业和国防毫米波应用中极具吸引力。如今，氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）能够在毫米波频率下提供高功率，从而抵消这些频率下高大气衰减的影响。然而，基于GaN...
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行业 | 美国基于AlN单晶实现创纪录击穿场强（~11.5 MV/cm）的高电子迁移率晶体管
具有1.3 μm间距的两端台面击穿特性显示出未掺杂Al0.6Ga0.4N沟道层的创纪录的高击穿场强约为11.5 MV/cm。对于栅漏距离为4 μm和9 μm的三端器件，测量的击穿电压分别为850 V和...
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行业 | 南卡罗来纳大学基于AlN单晶衬底实现Al0.64Ga0.36N沟道型MOSHFET器件创记录BFOM优值
我们在AlN单晶衬底上采用MOCVD工艺实现了Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金属氧化物半导体异质结场效应晶体管（MOSHFET）。与AlN模板上的器件相比，AlN单晶上器件的热...
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行业 | 清华大学曹炳阳教授团队提出三传感器2ω新方法实现AlN单晶衬底热导率测试
各向异性热传输在热传导理论和工程实践中起着关键作用，而准确测量固体材料的各向异性热导率是一个重大挑战。现有的实验技术包括光学方法和电学方法，但它们存在局限性，如对表面结构热物理性质的敏感性和依赖于多变...
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行业 | AlN掺杂技术及其在功率电子与光电领域应用展望
新兴AlN基半导体电力电子和和光电器件的未来应用得到了低温非平衡外延技术支持的新兴掺杂技术的推动。本文通过低温非平衡外延掺杂技术实现了AlN的空穴浓度约为4.4×1018 cm-3，电阻率为0.045...
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