Industry news
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行业 | 佛罗里达大学/宾州州立大学实现超11 kV横向NiO/AlN异质结整流器及8.6 kV肖特基二极管
通过金属有机化学气相沉积法（MOCVD）在蓝宝石衬底生长的氮化铝（AlN）外延层上制备出了击穿电压高达11.6 kV的横向NiO/AlN异质结二极管（HJDs）和击穿电压高达8.6 kV的Ni/Au/...
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行业 | 天野浩和旭化成团队在AlN单晶衬底上实现击穿电压超2.3 kV HEMT器件
本文采用金属有机气相外延法（MOVPE）在氮化铝（AlN）单晶衬底上生长了AlN/GaN赝晶结构，并研究了AlN/GaN界面处二维电子气（2DEG）的霍尔效应特性及基于该结构的HEMT器件性能。
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行业 | 美国/日本联合团队首次实现N极性AlN单晶衬底基HEMT器件
生长于氮化铝（AlN）单晶衬底之上的N极性AlGaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）在射频性能表现与热管理效能方面呈现出极为可观的应用潜力。
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行业 | 氮化铝单晶衬底：未来半导体技术的游戏规则改变者
在飞速发展的半导体技术领域，一种材料正崭露头角，有望成为半导体技术游戏规则的改变者（game-changer）：氮化铝（AlN）。
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行业 | 100 mm AlN单晶生长技术及其衬底制备工艺
氮化铝（AlN）作为一种超宽禁带（UWBG）半导体材料，已被证实可有效满足紫外光电器件在210-280 nm波段的工作需求。目前，商用的2英寸AlN衬底已实现大规模生产，展现出优异的晶体质量、低吸收系...
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行业 | 基于AlN单晶衬底的量子阱超宽带隙AlGaN HEMT
本研究报道了一种通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在单晶氮化铝（AlN）衬底上制备的超宽带隙Al₀.₆₄Ga₀.₃₆N量子阱沟道高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件的顶部和底部势垒层均采用A...
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行业 | 宾夕法尼亚州立大学对比测量GaN/SiC、GaN/AlN和AlN/SiC异质外延晶圆的热物理特性
氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMTs）作为现代射频功率放大器的核心部件，在提升器件性能方面发挥着关键作用。为优化器件的电学与热学性能（如实现更高电流密度及更优散热效能），研究人员致力于将氮...
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行业 | 首款纯AlN基MESFET晶体管面世
亚利桑那州立大学的研究团队宣称，他们成功研制出首款在AlN单晶衬底上的纯AlN基晶体管。该团队所制备的金属 - 半导体场效应晶体管（MESFET），其击穿电压超过2 kV，且据称漏极饱和电流及开关比（...
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行业 | 斯坦福大学综述：宽禁带及超宽禁带高功率高频电子器件
宽禁带和超宽禁带（U/WBG）材料因其巨大的带隙特性，能够提升器件性能，在半导体器件领域受到了广泛关注。这些卓越的材料特性有望使器件在高功率、高频率和极端环境条件下更加稳健和高效。尽管前景光明，但超宽...
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