公司新闻
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行业 | UCSB等联合团队采用组分渐变实现创纪录低欧姆接触电阻AlGaN场效应晶体管
为实现适用于高频、高功率场景的超宽禁带AlGaN晶体管，必须尽可能降低高迁移率导电沟道的接入电阻，以满足高频工作需求。AlGaN材料相对较低的电子亲和能对其欧姆接触的形成构成严峻挑战。本研究报道了在极...
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动态 | 奥趋光电荣获Semiconductor Review“2026年亚洲最佳氮化铝单晶衬底制造商”奖
近日，国际知名行业媒体Semiconductor Review 公布了“2026年亚洲最佳氮化铝单晶衬底制造商（Top AlN Single Crystal Wafer Substrate Manuf...
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动态 | 奥趋光电亮相第二届第四代半导体研讨会
2026年3月18-19日，由浙江大学杭州国际科创中心、硅及先进半导体材料全国重点实验室、国家第三代半导体技术创新中心和半导体在线主办的第二届第四代半导体研讨会在浙江杭州成功举办。奥趋光电技术（杭州）...
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邀请 | 奥趋光电与您相约第二届第四代半导体研讨会
2026年3月18-19日，由浙江大学杭州国际科创中心、硅及先进半导体材料全国重点实验室、国家第三代半导体技术创新中心和半导体在线主办的第二届第四代半导体研讨会将在浙江杭州举行。奥趋光电技术（杭州）有...
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动态 | 区委书记周徐胤一行莅临奥趋光电指导调研
2月4日，临平区委书记周徐胤同志来访奥趋光电，开展指导调研和服务工作，区委办、临平经开区相关负责人等陪同。奥趋光电首席执行官吴亮、综合管理部总经理陈鹏等进行了热情接待。
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动态 | 奥趋光电亮相第40届NEPCON JAPAN，全球同步推行AlN单晶衬底普惠价
2026年1月21-23日，第40届NEPCON JAPAN电子科技博览会在日本东京有明国际展览中心隆重举行。作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸氮化铝单晶衬底全套制程和批量制造能力的领先技术企业之一...
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