行业新闻

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行业 | 基于超宽禁带半导体氮化铝平台的下一代电子器件(一)

氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在国防(雷达、SATCOM)和商业(5G 等)领域正处于快速发展阶段。而在这一发展阶段,标准的氮化镓异质结构仍未达到最佳性能。因此,我们建议转向氮化铝(Al...

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行业 | 基于超宽禁带半导体氮化铝平台的下一代电子器件(二)

氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在国防(雷达、SATCOM)和商业(5G 等)领域正处于快速发展阶段。而在这一发展阶段,标准的氮化镓异质结构仍未达到最佳性能。因此,我们建议转向氮化铝(Al...

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行业 | 天野浩团队通过极化掺杂实现接近理想因子的AlN基垂直p-n结二极管

本文报道了在AlN单晶衬底上制备出近乎理想品质因子的垂直AlxGa1−xN(0.7≤ x <1.0)p-n结二极管,p-n结的p型层和n型层均采用分布式极化掺杂(DPD),而不是传统的杂质掺杂,克服了...

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行业 | 南卡罗来纳大学/加州大学基于AlN单晶衬底实现创纪录品质因子AlGaN异质结

我们报道了在单晶AlN衬底上实现了高质量n-Al0.87Ga0.13N-A0.64Ga0.36N异质结构。对于这些赝晶异质结构,我们使用高分辨率的X射线和X射线形貌分析其穿透位错密度为7×103 cm...

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行业 | 佐治亚理工学院新型AlN基半导体技术有望重塑行业

佐治亚理工学院Alan Doolittle教授团队正在进行一项曾被认为是不可能的研究:将电绝缘体转化为超宽带隙半导体,这一研究成果为高功率电力电子器件、光电子器件及更多领域带来了突破性应用前景。

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行业 | 富士通实现X-band AlN基GaN HEMT器件创纪录功率密度24.4 W/mm

本文报道了一种基于AlN单晶衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),其在X-band实现了创纪录的高输出功率密度24.4 W/mm。通过使用高密度二维电子气沟道和再生欧姆接触,实现了1...

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行业 | 北卡罗来纳州立大学实现接近理想因子的硅掺杂AlN肖特基接触

实现了室温下理想因子低至1.5的n型Si掺杂AlN肖特基接触,从与温度相关的I–V曲线测试中提取出1.9 eV的与温度无关的肖特基势垒高度。在串联电阻中观察到300meV的激活能,其对应于深硅施主态的...

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行业 | AlN衬底外延实现创记录的p/n型掺杂浓度——MME外延开启新一代终极带隙半导体器件

今天的材料无法满足明天的需求。这并不表明GaN和SiC没有取得巨大的成功—它们正在改变电力电子领域,并使固态照明成为现实。然而,这些宽带隙材料在用于电网规模和电动汽车的高功率电力电子器件时存在其局限性...

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动态 | 美国亚利桑那州立大学成功制备出3kV AlN基肖特二极管

氮化铝(AlN)具备优异性能,是电力电子器件领域极具应用前景的超宽禁带半导体材料,如其禁带宽度高达6.2eV、击穿场强高达12-15MV/cm及340W/m•K的高导热系数,这些特性导致Baliga品...

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行业 | 基于AlN单晶衬底的高性能N极性GaN/AlGaN/AlN HEMT功率器件

以美国康奈尔大学为首的研发团队宣称制备出基于AlN单晶衬底全球首个N极性GaN/AlGaN/AlN HEMT器件。

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