行业新闻
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行业 | 斯坦福大学综述：宽禁带及超宽禁带高功率高频电子器件
宽禁带和超宽禁带（U/WBG）材料因其巨大的带隙特性，能够提升器件性能，在半导体器件领域受到了广泛关注。这些卓越的材料特性有望使器件在高功率、高频率和极端环境条件下更加稳健和高效。尽管前景光明，但超宽...
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行业 | 日本NTT和东京大学开发出接近理想因子的AlN基SBD器件
东京大学研究生院工学部研究科电气系工学专业的前田拓也课题组（以下简称东京大学）和日本电信电话株式会社（以下简称NTT）阐明了使用氮化铝（AlN）基半导体（注1）的肖特基二极管（SBD）（注2） 的电流...
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行业 | AlN上的集成电力电子：材料与器件
超宽带隙（UWBG）半导体氮化铝（AlN）传统上被用于光电子学领域，以及作为射频（RF）微机电系统（MEMS）中的压电层。现在，AlN作为一个电子平台，被定位为满足下一代高频通信需求的有力候选者。这归...
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行业 | 康奈尔大学在AlN单晶衬底上实现创纪录的低片电阻及高迁移率XHEMT异质结
在超宽带隙AlN衬底上的AlN/GaN/AlN量子阱高电子迁移率晶体管中，由极化诱导的二维电子气（2DEGs）为推进氮化物半导体在微波和功率电子领域的应用开辟了充满希望的道路。
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行业 | 超宽禁带半导体AlN：一个迅速崛起的III族氮化物市场
氮化铝（AlN）凭借其出色的电学、光学和热学性能，在高性能功率电子、极端环境半导体器件、射频（RF）器件和深紫外（DUV）光电子等应用领域具有极其重要的意义。相比Si、SiC、GaN和β-Ga2O3等...
阅读全文.jpg/VCG211193120636%20(1)__600x313-600x300.jpg "行业 | 超低理想因子、超600 V横向AlN-on-AlN肖特基二极管")
行业 | 超低理想因子、超600 V横向AlN-on-AlN肖特基二极管
本文报道了通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在单晶AlN衬底上成功制备了横向AlN肖特基势垒二极管（SBDs），该二极管具有η=1.65的超低理想因子，击穿电压（BV）高达640V，并且按照阳...
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行业 | 亚利桑那州立大学在单晶AlN衬底上实现kV级AlN基MESFETs
本文展示了基于单晶AlN衬底的高压AlN基金属-半导体场效应晶体管（MESFETs）及其电学特性表征。相较于采用异质衬底的AlN基MESFETs，本研究所开发的AlN-on-AlN基MESFETs在1...
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行业 | 沙特国王科技大学成功制备出全球首款纯AlN基MOSFET晶体管
氮化铝（AlN）是一种超宽带隙且极具前途的半导体材料，由于其高击穿电压、迁移率和热导率，它在电力电子和光电子应用方面具有显著优势。AlN基肖特基势垒二极管（SBD）和金属半导体场效应晶体管（MOSFE...
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行业 | 北卡罗纳州大学开发出低理想因子、创纪录电流密度AlN单晶基SBD
本文报道了具有低理想因子（ 5 kA cm−2）以及高击穿电压（680 V）的氮化铝（AlN）肖特基势垒二极管。该器件结构由两层准垂直设计组成，包括一层轻掺杂的AlN漂移层和一层在AlN衬底上生长的高...
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行业 | Hexatech获美国国防部1020万美元的4英寸AlN单晶衬底开发合同
HexaTech公司宣布与美国国防部国防高级研究计划局（DARPA）签署了一项为期多年的合同，作为该机构最近宣布的超宽带隙半导体（UWBGS）计划的一部分。UWBGS计划的目标是开发实现实用超宽带隙电...
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