行业新闻

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行业 | 日本旭化成在AlN单晶衬底上实现WPE 2.4%、寿命超过11000小时的Far UVC-LED(231 nm)

本文系统地从实验和模拟分析了AlN单晶衬底上Far UVC-LED的效率和寿命与波长的依赖关系,并观察到效率与发射波长之间存在正相关关系。在波长227 nm、230 nm、233 nm和235 nm下...

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行业 | 阿卜杜拉沙特国王科技大学在n型AlN上实现创纪录的低接触电阻率

超宽带隙氮化铝(AlN)作为高功率电子器件的高吸引力材料脱颖而出。然而,AlN功率器件由于接触电阻率超过10-1 Ω cm2而面临性能挑战。在本工作中,我们展示了通过直接应用于n型AlN的精细金属化工...

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行业 | 康乃尔大学基于AlN单晶衬底实现高漏极电流密度及击穿电场强度AlN/GaN/AlN HEMT器件

GaN的宽带隙特性和高饱和速度对于提升射频(RF)晶体管的输出功率密度(Pout)至关重要,这使得雷达和通信系统的覆盖范围得以增加。然而,目前GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的输出功率密度进一步...

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行业 | 德国研究集群宣布AlN技术取得重大突破

使用这些晶圆制备的首批晶体管已经显示出极具前景的电气性能,例如高达2200 V的击穿电压和优于SiC基/GaN基的功率开关器件的功率密度。与现有的硅器件相比,在AlN晶圆上成功制备出的AlN/GaN ...

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行业 | 康奈尔大学在单晶AlN衬底上实现HEMT器件创纪录高电子迁移率和低片电阻

为了提高量子阱高电子迁移率晶体管(QW HEMTs)中的电子迁移率,我们研究了在Al极性单晶AlN衬底上的AlN/GaN/AlN异质结构中的输运特性。理论建模与实验相结合表明,量子阱中高电场引起的界面...

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行业 | 密歇根大学/加州大学采用等离子辅助MBE实现N极性AlN中可控Si掺杂

本文展示了采用等离子辅助分子束外延(PAMBE)技术实现了N极性AlN单晶衬底上同质外延生长AlN薄膜中的可控Si掺杂。通过优化生长条件,我们在950℃下获得了高质量的N极性AlN薄膜。然而,我们的研...

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行业 | SiC/GaN的强劲对手 — 新一代AlN基晶体管

在过去的十年中,半导体领域最大的新闻之一就是传统硅的意外被超越——在电力电子领域,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)已经超越了硅,占据了数十亿美元的市场份额。随着这些具有优越性能的新秀逐渐占据主要应用...

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行业 | 美国Crystal IS 4英寸单晶AlN衬底荣获2024年年度半导体电子最高材料奖

Crystal IS,一家旭化成公司,今天宣布成功实现了直径为100 mm的单晶氮化铝(AlN)衬底的批量生产,这些衬底的可用面积达到99%,以满足当前UVC LED的需求,生产将在美国进行。AlN的...

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行业 | 德国在单晶AlN衬底上实现耐压2200 V、功率密度达1.17 GW/cm2的AlN基GaN沟道HEMT器件

我们在AlN衬底上,采用MOCVD生长的AlGaN/GaN/AlN外延层实现了基于AlN的GaN沟道HEMT,在VGS = 1 V时,实现了400 mA/mm的电流密度和125 V/µm的击穿电压(V...

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行业 | N极性AlN单晶衬底上AlGaN/AlN异质结极化诱导二维电子气(2DEGs)研究

极化诱导载流子在实现超宽带隙半导体AlGaN的高电导率方面起着重要作用,这对于从射频和功率电子到深紫外光电器件的各种应用至关重要。尽管具有重要的科学和技术意义,但在N极性AlGaN中关于极化诱导载流子...

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