行业新闻
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行业 | 美国/日本联合团队首次实现N极性AlN单晶衬底基HEMT器件
生长于氮化铝（AlN）单晶衬底之上的N极性AlGaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）在射频性能表现与热管理效能方面呈现出极为可观的应用潜力。
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行业 | 100 mm AlN单晶生长技术及其衬底制备工艺
氮化铝（AlN）作为一种超宽禁带（UWBG）半导体材料，已被证实可有效满足紫外光电器件在210-280 nm波段的工作需求。目前，商用的2英寸AlN衬底已实现大规模生产，展现出优异的晶体质量、低吸收系...
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行业 | 基于AlN单晶衬底的量子阱超宽带隙AlGaN HEMT
本研究报道了一种通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在单晶氮化铝（AlN）衬底上制备的超宽带隙Al₀.₆₄Ga₀.₃₆N量子阱沟道高电子迁移率晶体管（HEMT）。该器件的顶部和底部势垒层均采用A...
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行业 | 宾夕法尼亚州立大学对比测量GaN/SiC、GaN/AlN和AlN/SiC异质外延晶圆的热物理特性
氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMTs）作为现代射频功率放大器的核心部件，在提升器件性能方面发挥着关键作用。为优化器件的电学与热学性能（如实现更高电流密度及更优散热效能），研究人员致力于将氮...
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行业 | 首款纯AlN基MESFET晶体管面世
亚利桑那州立大学的研究团队宣称，他们成功研制出首款在AlN单晶衬底上的纯AlN基晶体管。该团队所制备的金属 - 半导体场效应晶体管（MESFET），其击穿电压超过2 kV，且据称漏极饱和电流及开关比（...
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行业 | 斯坦福大学综述：宽禁带及超宽禁带高功率高频电子器件
宽禁带和超宽禁带（U/WBG）材料因其巨大的带隙特性，能够提升器件性能，在半导体器件领域受到了广泛关注。这些卓越的材料特性有望使器件在高功率、高频率和极端环境条件下更加稳健和高效。尽管前景光明，但超宽...
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行业 | 日本NTT和东京大学开发出接近理想因子的AlN基SBD器件
东京大学研究生院工学部研究科电气系工学专业的前田拓也课题组（以下简称东京大学）和日本电信电话株式会社（以下简称NTT）阐明了使用氮化铝（AlN）基半导体（注1）的肖特基二极管（SBD）（注2） 的电流...
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行业 | AlN上的集成电力电子：材料与器件
超宽带隙（UWBG）半导体氮化铝（AlN）传统上被用于光电子学领域，以及作为射频（RF）微机电系统（MEMS）中的压电层。现在，AlN作为一个电子平台，被定位为满足下一代高频通信需求的有力候选者。这归...
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行业 | 康奈尔大学在AlN单晶衬底上实现创纪录的低片电阻及高迁移率XHEMT异质结
在超宽带隙AlN衬底上的AlN/GaN/AlN量子阱高电子迁移率晶体管中，由极化诱导的二维电子气（2DEGs）为推进氮化物半导体在微波和功率电子领域的应用开辟了充满希望的道路。
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