行业新闻
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行业 | 康乃尔大学在AlN单晶衬底上实现理想因子达1.63的p型AlGaN层及超宽禁带异质结 p-n结二极管
本文展示了在AlN单晶衬底上，利用等离子体辅助分子束外延技术制备的具有极化诱导AlGaN p型层的超宽带隙异质结p-n二极管。电流-电压特性显示开启电压为Vbi 5.5 V，室温下最小理想因子为η≈1...
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行业 | 挑战极限：SiC/Ga2O3/AlN基功率器件最新进展
在硅的所有替代品中，可以说AlN（氮化铝）具有最大的潜力。由于具有6 eV的带隙，它的临界电场远高于所有竞争对手，这表明它有可能在阻断电压和特定导通电阻之间实现更好的权衡。
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行业 | 日本化工巨头旭化成基于AlN单晶衬底实现低于230 nm、长寿命mW级Far UVC-LED
我们在AlN单晶衬底上制备出了低于 230 nm（Far-UVC）发光二极管（LED）。利用 20 个量子阱周期来增强有源层中的载流子注入，在 100 毫安工作电流下获得了超过 1-mW的输出功率（2...
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行业 | 法国基于单晶AlN实现高可靠性Al0.23Ga0.77N沟道型HEFT耐高压电子器件
AlxGa1-xN异质结场效应晶体管（HFET）一直是高压电力电子器件领域的研究焦点，凭借其可以通过改变铝组分实现可调节的高临界击穿场强，从而具备了超越前代产品的潜力。在这项工作中，我们展示了在体Al...
阅读全文.jpg/VCG211193120636%20(1)__600x313-600x300.jpg "行业 | 基于超宽禁带半导体氮化铝平台的下一代电子器件（一）")
行业 | 基于超宽禁带半导体氮化铝平台的下一代电子器件（一）
氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）在国防（雷达、SATCOM）和商业（5G 等）领域正处于快速发展阶段。而在这一发展阶段，标准的氮化镓异质结构仍未达到最佳性能。因此，我们建议转向氮化铝（Al...
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行业 | 基于超宽禁带半导体氮化铝平台的下一代电子器件（二）
氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）在国防（雷达、SATCOM）和商业（5G 等）领域正处于快速发展阶段。而在这一发展阶段，标准的氮化镓异质结构仍未达到最佳性能。因此，我们建议转向氮化铝（Al...
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行业 | 天野浩团队通过极化掺杂实现接近理想因子的AlN基垂直p-n结二极管
本文报道了在AlN单晶衬底上制备出近乎理想品质因子的垂直AlxGa1−xN（0.7≤ x ＜1.0）p-n结二极管，p-n结的p型层和n型层均采用分布式极化掺杂(DPD)，而不是传统的杂质掺杂，克服了...
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行业 | 南卡罗来纳大学/加州大学基于AlN单晶衬底实现创纪录品质因子AlGaN异质结
我们报道了在单晶AlN衬底上实现了高质量n-Al0.87Ga0.13N-A0.64Ga0.36N异质结构。对于这些赝晶异质结构，我们使用高分辨率的X射线和X射线形貌分析其穿透位错密度为7×103 cm...
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行业 | 佐治亚理工学院新型AlN基半导体技术有望重塑行业
佐治亚理工学院Alan Doolittle教授团队正在进行一项曾被认为是不可能的研究：将电绝缘体转化为超宽带隙半导体，这一研究成果为高功率电力电子器件、光电子器件及更多领域带来了突破性应用前景。
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