行业新闻
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行业 | 富士通实现X-band AlN基GaN HEMT器件创纪录功率密度24.4 W/mm
本文报道了一种基于AlN单晶衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），其在X-band实现了创纪录的高输出功率密度24.4 W/mm。通过使用高密度二维电子气沟道和再生欧姆接触，实现了1...
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行业 | 北卡罗来纳州立大学实现接近理想因子的硅掺杂AlN肖特基接触
实现了室温下理想因子低至1.5的n型Si掺杂AlN肖特基接触，从与温度相关的I–V曲线测试中提取出1.9 eV的与温度无关的肖特基势垒高度。在串联电阻中观察到300meV的激活能，其对应于深硅施主态的...
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行业 | AlN衬底外延实现创记录的p/n型掺杂浓度——MME外延开启新一代终极带隙半导体器件
今天的材料无法满足明天的需求。这并不表明GaN和SiC没有取得巨大的成功—它们正在改变电力电子领域，并使固态照明成为现实。然而，这些宽带隙材料在用于电网规模和电动汽车的高功率电力电子器件时存在其局限性...
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动态 | 美国亚利桑那州立大学成功制备出3kV AlN基肖特二极管
氮化铝（AlN）具备优异性能，是电力电子器件领域极具应用前景的超宽禁带半导体材料，如其禁带宽度高达6.2eV、击穿场强高达12-15MV/cm及340W/m•K的高导热系数，这些特性导致Baliga品...
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行业 | 超低理想因子、超600 V横向AlN-on-AlN肖特基二极管
本文报道了通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术在单晶AlN衬底上成功制备了横向AlN肖特基势垒二极管（SBDs），该二极管具有η=1.65的超低理想因子，击穿电压（BV）高达640V，并且按照阳...
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行业 | 基于AlN单晶衬底的高性能N极性GaN/AlGaN/AlN HEMT功率器件
以美国康奈尔大学为首的研发团队宣称制备出基于AlN单晶衬底全球首个N极性GaN/AlGaN/AlN HEMT器件。
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行业 | 化合物半导体产业痛点堵点并存，产学研链条有待打通
“当前国际竞争已经由产品竞争、企业竞争上升为产业链之间的竞争，未来2至3年是化合物半导体产业发展的关键期，我国急需形成有国际竞争力产品的批量化供应能力。” 中国工程院院士，国家新材料产业发展专家咨询委...
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