行业新闻
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行业 | 郝跃院士团队在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面获重要进展
半导体产业网讯：从西安电子科技大学微电子学院官网获悉，近期，西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、周弘教授等在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展，研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/...
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行业 | 宁波材料所在氮化物宽禁带半导体极性调控及应用取得系列研究进展
宽禁带半导体以GaN、SiC等材料为代表，具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、高频下功率特性优良等优越性能，在半导体照明、5G通信、智能电网、新能源汽车、消费类电子、国防安全等领域拥有广阔的应用前景...
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行业 | 至芯半导体成功研制日盲深紫外器件 拓展紫外探测及图像传感领域
至芯半导体成功研发出AlGaN的高灵敏日盲型深紫外光的光电探测器，相关成果已申请发明专利（申请号: 202210045910.6），这一成果为实现高性能日盲深紫外光电探测器和图像传感提供了一种新的策略...
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行业 | AlN单晶衬底，这个英寸非终点
氮化铝（AlN）是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料，具有很多优良的性质。其禁带宽度高达6.2eV，具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学和热稳定性，以及高导热、抗辐射等优异性能。可作为紫外/深紫外...
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行业 | 北京大学沈波、许福军团队制备出高质量的p型AlGaN 短周期超晶格
近日，北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室、宽禁带半导体研究中心沈波、许福军团队在高Al组分AlGaN的高效p型掺杂研究中获得重要进展。
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行业 | 厦门大学研究团队最新成果：深紫外发光强度提高近2倍
近日，厦门大学研究团队创新性地设计了一种倒棱锥/台状人工纳米结构，通过纳米压印、干法刻蚀技术与湿法腐蚀工艺相结合，在发光波长短至 234 nm的(AlN)8/(GaN)2 有源层形成(0001)、(1...
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行业 | 德国AlScN项目有望将5G能耗减半
弗劳恩霍夫研究所IAF和IIS以及弗莱堡大学和多个工业合作伙伴已经开始了一个为期三年的项目，利用基于 AlScN 的组件和需求驱动的控制，在2025年前开发和测试一个节能的边缘云系统。德国联邦教育和研...
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行业 | 2022年度“十四五”国家重点研发计划启动，新型显示与战略性电子材料等24个重点专项指南征求意见
半导体产业网消息：2022年3月4日，记者从国家科技管理信息系统公共服务平台获悉，科技部发布了《关于征求“十四五”国家重点研发计划“煤炭清洁高效利用技术”等24个重点专项2022年度项目申报指南意见的...
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行业 | 奥趋光电王琦琨博士：PVT法生长高质量、大尺寸AlN单晶的最新进展与挑战
氮化铝（AlN）具有超宽禁带宽度（6.2 eV）、高热导率（340 W/m.K）、高击穿场强（11.7 MV/cm）、良好的紫外透过率、化学和热稳定性等优异性能，是制备高温高频及高功率电子器件以及高A...
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行业 | AlScN项目获得德国创新奖
弗劳恩霍夫研究所（Fraunhofer Institutes）IAF和IIS与弗莱堡大学（University of Freiburg）/INATECH一起，在德国联邦教育和研究部（BMBF）发起的 ...
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