行业新闻

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【前沿技术】中科院宁波材料所郭炜:铝镓氮深紫外量子阱及LED,斜切角衬底及横向极性畴的影响研究

近日,由国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)与第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)主办,南方科技大学微电子学院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十七届中国国际半导体照明...

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中国科学院特聘研究员李晋闽:未来深紫外LED产业将有可能实现万亿市场

2020年11月24日下午,第十七届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2020)暨2020国际第三代半导体论坛(IFWS 2020)开幕大会在深圳会展中心隆重召开。

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北京大学沈波教授:AlGaN基深紫外发光材料和器件技术进展

氮化物半导体是第三代半导体的典型代表,具有禁带变化范围宽、二维电子气密度高等一系列优异性质,是继Si和GaAs之后最重要的半导体材料。

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美国AlN单晶衬底供应商Hexatech宣布推出2英寸UVC-LED透明单晶衬底

据外媒报道,美国AlN单晶基板供应商HexaTech宣布推出2英寸(直径)UVC透明单晶AIN(氮化铝)基板产线,旨在直接支持和推动高性能UVC LED的商用化生产。而奥趋光电技术(杭州)有限公司已于...

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