行业新闻
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行业 | 俄亥俄州立大学和桑迪亚国家实验室联合团队基于AlN单晶衬底实现超纪录性能场效应晶体管
我们报道了采用再生长外延 AlN 栅极中间层的超宽禁带（UWBG）AlGaN 极化梯度场效应晶体管（PolFET）。通过引入外延 AlN 栅极中间层显著提高了击穿强度，平均击穿场强超过 6.94 MV...
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行业 | 美国海军实验室等联合团队实现850℃超高开关比AlGaN沟道HEMT器件
本文报道了超宽禁带（UWBG）富铝 Al₀.₆₈Ga₀.₃₂N 沟道高电子迁移率晶体管（HEMTs）在常压氮气氛围中 850 °C 下的工作特性。我们采用原位测试技术，系统表征了器件在高达 850 °...
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行业 |康乃尔大学采用MBE实现AlN单晶晶圆级δ掺杂高性能AlN/GaN/AlN XHEMT器件
大尺寸AlN单晶衬底的进展为其在紫外光电子之外的应用开辟了道路，推动了下一代集成电力电子的发展。本研究针对δ掺杂AlN/GaN/AlN异质结构展开了系统研究，通过在结构中引入n型δ掺杂层，有效抑制了底...
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行业 | 亚利桑那州立大学基于AlN单晶衬底成功开发出高电流密度准垂直SBD器件
超宽禁带半导体因其宽带隙、高临界击穿电场和优异的化学稳定性，在高功率、高电压、高效率电力电子与射频电子器件以及恶劣环境工作能力方面展现出巨大潜力，近年来引起了广泛的研究兴趣。在常见超宽禁带半导体（如G...
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行业 | UCSB等联合团队采用组分渐变实现创纪录低欧姆接触电阻AlGaN场效应晶体管
为实现适用于高频、高功率场景的超宽禁带AlGaN晶体管，必须尽可能降低高迁移率导电沟道的接入电阻，以满足高频工作需求。AlGaN材料相对较低的电子亲和能对其欧姆接触的形成构成严峻挑战。本研究报道了在极...
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行业 | 加州大学首次采用PAMBE制备出N极性高铝组分AlGaN沟道HEMT器件
本文展示了一种在氮化铝单晶衬底上制备的N极性Al0.65Ga0.35N/Al0.85Ga0.15N高电子迁移率晶体管。外延层采用等离子体辅助分子束外延技术生长，并采用了3 nm原位GaN盖层以防止Al...
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行业 | 亚利桑那州立大学在单晶AlN上实现横向肖特基二极管性能突破
在AlN）单晶衬底上制备了具有顶部渐变AlGaN接触层的横向AlN肖特基势垒二极管（AlN基SBD）。其欧姆接触表现出近乎线性的电学特性，接触电阻率低至1.54 × 10⁻³ Ω·cm²。该器件展现出...
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行业 | 美国桑迪亚国家实验室在AlN基AlGaN射频与横向功率晶体管领域取得突破性进展
超宽禁带（UWBG）AlGaN合金（Al组分 xAl > 0.50）因其固有的高临界电场强度，以及由此产生的、优于当前GaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）技术的约翰逊优值（∝ Ecrit * vsa...
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行业 | 全球射频巨头Qorvo与Soctera合作推出工业化生产的AlN/GaN/AlN HEMT晶体管
美国Soctera公司与射频巨头Qorvo公司的研究人员展示了一种在射频代工工厂中制造的高电子迁移率晶体管（HEMT），其氮化镓（GaN）沟道层夹在超宽带隙氮化铝（AlN）顶部和背部势垒/缓冲层之间。
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行业 | 康奈尔大学基于单晶衬底实现高铝组分n型AlGaN创纪录低阻非合金欧姆接触
译自原文Low Resistance Non-Alloyed Ohmic Contacts to High Al Composition n-type AlGaN 原文链接htt...
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