行业新闻
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行业 | 康奈尔大学研制出基于AlN单晶衬底的E-Mode AlN/GaN/AlN XHEMT
我们在通过分子束外延（MBE）在AlN单晶衬底上生长的AlN/GaN/AlN异质结构中，于原位生长、未掺杂的10 nm相干应变GaN层中观察到了室温下的二维空穴气（2DHG）。类比于硅MOSFET中的...
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美国空军实验室等联合团队实现具有超薄缓冲层的AlGaN极化梯度场效应晶体管
本文报道了具有超薄沟道的超宽禁带AlGaN极化梯度场效应晶体管（PolFET）的设计与实验验证。该器件旨在实现高电流能力、优异的射频性能以及更低的热阻。研究采用极化梯度AlGaN层与超薄赝同构AlGa...
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行业 | 西安电子科技大学与苏州实验室在AlN基超薄全应变GaN沟道HEMT器件制备领域取得重大进展
本工作采用等离子体辅助分子束外延技术，在蓝宝石上AlN模板上制备了具有超晶格势垒的全应变GaN沟道高电子迁移率晶体管（HEMTs），并在异质结构中引入铁电Sc₀.₁₈Al₀.₈₂N外延层以调控器件性能...
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行业 | 美国空军实验室等联合团队实现创纪录AlN单晶衬底基AlGaN晶体管
本文展示了高性能超宽禁带（UWBG）AlGaN 极化场效应晶体管（PolFET）。在高面密度（1.15×10¹³ cm⁻²）条件下，该器件实现了创纪录的近 1 A/mm 导通电流（约 960 mA/m...
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行业 | 美国空军实验室等联合团队基于AlN单晶衬底实现新一代高性能毫米波场效应晶体管
本文报道了超宽禁带（UWBG）AlGaN极化梯度场效应晶体管（PolFET）的设计与实现，该器件实现了超过 85 GHz 的电流增益截止频率和超过 1.3 A/mm 的电流密度。我们在 AlN单晶衬底...
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康乃尔大学基于介质辅助剥离实现AlN单晶衬底 pn二极管n/p型微分接触电阻率协同优化
超宽禁带（UWBG）半导体pn结二极管在高电压电力电子与紫外光电子器件领域具有重要应用前景。然而，受限于AlGaN中掺杂剂溶解度低、缺乏功函数匹配的金属、工艺诱导损伤以及单晶体AlN衬底中位错缺失等因...
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行业 | 剑桥大学等团队在低电阻率Si掺杂n型Al₀.₆₈Ga₀.₃₂N取得突破性进展
富铝AlGaN是制备深紫外光电器件与高功率功率电子的理想候选材料，然而在低成本蓝宝石衬底上实现高效n型导电仍面临巨大挑战，这主要归因于高位错密度、缺陷辅助补偿效应以及有限的施主激活效率。本研究系统研究...
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行业 | 弗劳恩霍夫IISB与PVA TePla共建氮化铝衬底联合实验室
德国弗劳恩霍夫集成系统与器件技术研究所（IISB）与PVA TePla AG在联合实验室框架下整合专业优势，共同致力于氮化铝（AlN）晶体的生长。作为欧洲首个此类合作项目，该联合实验室可实现直径2英寸...
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行业 | 南加州大学基于AlN单晶衬底和DPD掺杂研制出电流密度达 14 kA/cm²的准垂直SBD
本研究在单晶AlN衬底上生长了高铝组分 AlₓGa₁₋ₓN (0.7 < x < 1) 分布式极化掺杂准垂直肖特基势垒二极管（SBD）。该器件表现出优异的整流特性，具备高达约 14 kA/cm² 的正...
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行业 | 南卡罗来纳大学基于氮化铝单晶衬底实现创纪录电流密度（高达14 kA cm⁻²）准垂直SBD器件
原文标题 Record forward-current for AlGaN Schottky barrier diodes 原文链接 https://compound...
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