行业新闻
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康乃尔大学基于介质辅助剥离实现AlN单晶衬底 pn二极管n/p型微分接触电阻率协同优化
超宽禁带（UWBG）半导体pn结二极管在高电压电力电子与紫外光电子器件领域具有重要应用前景。然而，受限于AlGaN中掺杂剂溶解度低、缺乏功函数匹配的金属、工艺诱导损伤以及单晶体AlN衬底中位错缺失等因...
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行业 | 剑桥大学等团队在低电阻率Si掺杂n型Al₀.₆₈Ga₀.₃₂N取得突破性进展
富铝AlGaN是制备深紫外光电器件与高功率功率电子的理想候选材料，然而在低成本蓝宝石衬底上实现高效n型导电仍面临巨大挑战，这主要归因于高位错密度、缺陷辅助补偿效应以及有限的施主激活效率。本研究系统研究...
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行业 | 弗劳恩霍夫IISB与PVA TePla共建氮化铝衬底联合实验室
德国弗劳恩霍夫集成系统与器件技术研究所（IISB）与PVA TePla AG在联合实验室框架下整合专业优势，共同致力于氮化铝（AlN）晶体的生长。作为欧洲首个此类合作项目，该联合实验室可实现直径2英寸...
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行业 | 南加州大学基于AlN单晶衬底和DPD掺杂研制出电流密度达 14 kA/cm²的准垂直SBD
本研究在单晶AlN衬底上生长了高铝组分 AlₓGa₁₋ₓN (0.7 < x < 1) 分布式极化掺杂准垂直肖特基势垒二极管（SBD）。该器件表现出优异的整流特性，具备高达约 14 kA/cm² 的正...
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行业 | 南卡罗来纳大学基于氮化铝单晶衬底实现创纪录电流密度（高达14 kA cm⁻²）准垂直SBD器件
原文标题 Record forward-current for AlGaN Schottky barrier diodes 原文链接 https://compound...
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行业 | 俄亥俄州立大学和桑迪亚国家实验室联合团队基于AlN单晶衬底实现超纪录性能场效应晶体管
我们报道了采用再生长外延 AlN 栅极中间层的超宽禁带（UWBG）AlGaN 极化梯度场效应晶体管（PolFET）。通过引入外延 AlN 栅极中间层显著提高了击穿强度，平均击穿场强超过 6.94 MV...
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行业 | 美国海军实验室等联合团队实现850℃超高开关比AlGaN沟道HEMT器件
本文报道了超宽禁带（UWBG）富铝 Al₀.₆₈Ga₀.₃₂N 沟道高电子迁移率晶体管（HEMTs）在常压氮气氛围中 850 °C 下的工作特性。我们采用原位测试技术，系统表征了器件在高达 850 °...
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行业 |康乃尔大学采用MBE实现AlN单晶晶圆级δ掺杂高性能AlN/GaN/AlN XHEMT器件
大尺寸AlN单晶衬底的进展为其在紫外光电子之外的应用开辟了道路，推动了下一代集成电力电子的发展。本研究针对δ掺杂AlN/GaN/AlN异质结构展开了系统研究，通过在结构中引入n型δ掺杂层，有效抑制了底...
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行业 | 亚利桑那州立大学基于AlN单晶衬底成功开发出高电流密度准垂直SBD器件
超宽禁带半导体因其宽带隙、高临界击穿电场和优异的化学稳定性，在高功率、高电压、高效率电力电子与射频电子器件以及恶劣环境工作能力方面展现出巨大潜力，近年来引起了广泛的研究兴趣。在常见超宽禁带半导体（如G...
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行业 | UCSB等联合团队采用组分渐变实现创纪录低欧姆接触电阻AlGaN场效应晶体管
为实现适用于高频、高功率场景的超宽禁带AlGaN晶体管，必须尽可能降低高迁移率导电沟道的接入电阻，以满足高频工作需求。AlGaN材料相对较低的电子亲和能对其欧姆接触的形成构成严峻挑战。本研究报道了在极...
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