行业新闻
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行业 | 加州大学：高温反而更强-- N极性高铝AlGaN HEMT器件的300°C直流与射频性能
本文报道了一种采用等离子体辅助分子束外延（PAMBE）生长的 N 极性 Al₀.₅₅Ga₀.₄₅N 沟道高电子迁移率晶体管（HEMT），该器件在高温下表现出稳定的直流与射频性能。在 300°C 时，器...
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行业 | 康奈尔大学基于AlN单晶衬底和极化掺杂实现创纪录低比导通电阻和高电流密度AlGaN二极管
我们报道了通过分子束外延在AlN单晶衬底上生长的高电流密度AlGaN pn二极管。AlGaN层在n型和p型区域均采用70%至95%之间线性渐变的Al组分。无掺杂pn结耗尽区由杂质掺杂的n型和p型接触层...
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行业 | 德国IISB基于AlN单晶衬底实现新一代6G/卫星通信K/Ka波段射频芯片突破
我们首次展示了AlN单晶衬底上栅长 220 nm 的AlGaN/GaN/AlN HEMT 在 20 GHz 及以上的 K/Ka 波段连续波（CW）负载牵引（LP）测量结果。与生长在 SiC 衬底上的同...
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行业 | 海思和西电团队在AlN单晶衬底基AlGaN/GaN HEMT器件制备取得突破性进展
在这项工作中，我们揭示了在AlN衬底上直接外延生长GaN薄膜时出现的不完全合并现象，强调了界面调制在实现高质量GaN生长中的关键作用。界面调制增强了吸附原子的扩散，从而减少了缺陷的形成。这种方法能够在...
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行业 | 康奈尔大学研制出基于AlN单晶衬底的E-Mode AlN/GaN/AlN XHEMT
我们在通过分子束外延（MBE）在AlN单晶衬底上生长的AlN/GaN/AlN异质结构中，于原位生长、未掺杂的10 nm相干应变GaN层中观察到了室温下的二维空穴气（2DHG）。类比于硅MOSFET中的...
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美国空军实验室等联合团队实现具有超薄缓冲层的AlGaN极化梯度场效应晶体管
本文报道了具有超薄沟道的超宽禁带AlGaN极化梯度场效应晶体管（PolFET）的设计与实验验证。该器件旨在实现高电流能力、优异的射频性能以及更低的热阻。研究采用极化梯度AlGaN层与超薄赝同构AlGa...
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行业 | 西安电子科技大学与苏州实验室在AlN基超薄全应变GaN沟道HEMT器件制备领域取得重大进展
本工作采用等离子体辅助分子束外延技术，在蓝宝石上AlN模板上制备了具有超晶格势垒的全应变GaN沟道高电子迁移率晶体管（HEMTs），并在异质结构中引入铁电Sc₀.₁₈Al₀.₈₂N外延层以调控器件性能...
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行业 | 美国空军实验室等联合团队实现创纪录AlN单晶衬底基AlGaN晶体管
本文展示了高性能超宽禁带（UWBG）AlGaN 极化场效应晶体管（PolFET）。在高面密度（1.15×10¹³ cm⁻²）条件下，该器件实现了创纪录的近 1 A/mm 导通电流（约 960 mA/m...
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行业 | 美国空军实验室等联合团队基于AlN单晶衬底实现新一代高性能毫米波场效应晶体管
本文报道了超宽禁带（UWBG）AlGaN极化梯度场效应晶体管（PolFET）的设计与实现，该器件实现了超过 85 GHz 的电流增益截止频率和超过 1.3 A/mm 的电流密度。我们在 AlN单晶衬底...
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康乃尔大学基于介质辅助剥离实现AlN单晶衬底 pn二极管n/p型微分接触电阻率协同优化
超宽禁带（UWBG）半导体pn结二极管在高电压电力电子与紫外光电子器件领域具有重要应用前景。然而，受限于AlGaN中掺杂剂溶解度低、缺乏功函数匹配的金属、工艺诱导损伤以及单晶体AlN衬底中位错缺失等因...
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