公司新闻
公司新闻
动态 | 超宽禁带半导体AlN功率电子学的新进展（一）
目前在功率电子学领域，以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体器件与电路已成为当今产业发展的主流，而在后摩尔时代，功率电子领域的超宽禁带半导体的发展受到人们的广泛关注，
阅读全文
动态 | 超宽禁带半导体AlN功率电子学的新进展（二）
目前在功率电子学领域，以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体器件与电路已成为当今产业发展的主流，而在后摩尔时代，功率电子领域的超宽禁带半导体的发展受到人们的广泛关注
阅读全文
动态 | 奥趋光电推出新一代超高透过率AlN单晶衬底
奥趋光电技术（杭州）有限公司，全球领先的AlN/AlScN材料综合解决方案服务商，日前推出了新一代面向深紫外光电器件的高透过率AlN单晶衬底。第三方检测表明，该衬 底的深紫外透过率在远紫外（Far-...
阅读全文
动态 ｜基于AlN单晶衬底的AlGaN沟道型 MOSHFET功率器件最新进展
近期，美国南卡罗来纳大学报道了在AlN单晶衬底上通过MOCVD生长的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金属氧化物半导体异质结场效应晶体管（MOSHFET）器件。
阅读全文
动态 | “AlN 单晶衬底制备和同质外延关键技术”国家重点研发计划重大专项启动会在京召开
2023年4月6日，奥趋光电技术（杭州）有限公司（以下简称“奥趋光电”）参与的国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”专项项目—— “AlN 单晶衬底制备和同质外延关键技术（共性关键技术类）” （...
阅读全文
动态 | 奥趋光电发布5G射频前端FBAR/BAW/SAW滤波及功率器件用高质量准单晶铝钪氮（Al₀.₅₆Sc₀.₄₄N）薄膜产品
奥趋光电技术（杭州）有限公司（简称：奥趋光电）是一家全球领先的氮化铝晶体材料解决方案供应商。奥趋光电在SEMICON China 2021举办的“2021 年功率与化合物半导体国际论坛”推出了采...
阅读全文
动态 | 奥趋光电应邀访问沙特阿卜杜拉国王科技大学
阿卜杜拉国王科技大学（King Abdullah University of Science & Technology，以下简称KAUST）作为一所沙特王室重点打造的专攻理工领域的国际化、研究型大学，...
阅读全文
动态 | 奥趋光电成功制备出高质量3英寸氮化铝单晶晶体
奥趋光电于近期成功实现了AlN晶体从2英寸到3英寸的迭代扩径生长（见图一），制备出了直径达76 mm的铝极性AlN单晶锭及3英寸衬底样片（见图二）。此3英寸AlN单晶锭及衬底样片的成功制备被认为是4英...
阅读全文
动态 | 奥趋光电参与的2022年国家重点研发计划重点专项“氮化铝单晶衬底制备和同质外延关键技术”获批
近日，科技部公布了“十四五”国家重点研发计划重点专项立项信息，奥趋光电参与的国家重点研发计划重点专项“氮化铝单晶衬底制备和同质外延关键技术”（新型显示与战略性电子材料专项）获批立项，项目编号2022Y...
阅读全文
动态 | 奥趋光电应微电子学院龙世兵执行院长邀请拜访中国科学技术大学
中国科学技术大学（以下简称“中科大”）作为中国科学院直属的以前沿科学和高新技术为主的综合性高等学府，数年来与奥趋光电在宽禁带半导体材料和应用技术领域保持着持续的沟通、交流与合作。7月19日，应微电子学...
阅读全文