公司新闻
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动态 | 奥趋光电应邀参加2023深圳国际第三代半导体与应用论坛
8月23-25日，elexcon 2023深圳国际电子展在深圳会展中心举行，2023深圳国际第三代半导体与应用论坛于展会同期隆重召开。论坛汇集了众多专家学者、行业精英和知名企业代表，聚焦宽禁带半导体技...
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动态 | 奥趋光电应邀参加第十九届全国晶体生长与材料学术会议
7月14日至17日，由中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会和中国硅酸盐学会主办的第十九届全国晶体生长与材料学术会议（CCCG-19）在天津成功召开。
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动态 | 奥趋光电应邀参加2023中国电子材料创新发展（唐山）大会
7月5-7日，2023中国电子材料产业创新发展（唐山）大会在唐山顺利举办，来自近400家单位的700余名专家、学者、行业精英齐聚一堂。
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动态 | 奥趋光电荣获临平区委组织部引才“金桥奖”
6月16日，“中国芯”长三角开源创新提质发展大会暨2023年临平区科技人才节在中国（杭州）算力小镇隆重举行。会议现场，临平区委组织部对2022年度临平区人才工作进行了表彰，奥趋光电技术（杭州）有限公司...
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动态 | 超宽禁带半导体AlN功率电子学的新进展（一）
目前在功率电子学领域，以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体器件与电路已成为当今产业发展的主流，而在后摩尔时代，功率电子领域的超宽禁带半导体的发展受到人们的广泛关注，
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动态 | 超宽禁带半导体AlN功率电子学的新进展（二）
目前在功率电子学领域，以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体器件与电路已成为当今产业发展的主流，而在后摩尔时代，功率电子领域的超宽禁带半导体的发展受到人们的广泛关注
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动态 | 奥趋光电推出新一代超高透过率AlN单晶衬底
奥趋光电技术（杭州）有限公司，全球领先的AlN/AlScN材料综合解决方案服务商，日前推出了新一代面向深紫外光电器件的高透过率AlN单晶衬底。第三方检测表明，该衬 底的深紫外透过率在远紫外（Far-...
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动态 ｜基于AlN单晶衬底的AlGaN沟道型 MOSHFET功率器件最新进展
近期，美国南卡罗来纳大学报道了在AlN单晶衬底上通过MOCVD生长的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金属氧化物半导体异质结场效应晶体管（MOSHFET）器件。
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动态 | “AlN 单晶衬底制备和同质外延关键技术”国家重点研发计划重大专项启动会在京召开
2023年4月6日，奥趋光电技术（杭州）有限公司（以下简称“奥趋光电”）参与的国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”专项项目—— “AlN 单晶衬底制备和同质外延关键技术（共性关键技术类）” （...
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动态 | 奥趋光电发布5G射频前端FBAR/BAW/SAW滤波及功率器件用高质量准单晶铝钪氮（Al₀.₅₆Sc₀.₄₄N）薄膜产品
奥趋光电技术（杭州）有限公司（简称：奥趋光电）是一家全球领先的氮化铝晶体材料解决方案供应商。奥趋光电在SEMICON China 2021举办的“2021 年功率与化合物半导体国际论坛”推出了采...
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