2019年4月23-25日，应诺贝尔物理学奖获得者天野浩教授为会议主席的组委会邀请，奥趋光电技术（杭州）有限公司参加了在日本横滨举行的LED工业应用国际会议（LEDIA-2019）。在会议上，奥趋光电正式推出了全球首批60mm AlN单晶及晶圆产品样片，标志着第三/四代半导体氮化铝单晶技术在全球范围内取得了突破性进展，为下一步相关产品大规模应用和产业化经营奠定了基础。在此之前，美国在全球氮化铝单晶及晶圆制造方面可达的最大直径为2英寸，长期处于技术垄断地位。
60mm AlN晶片系奥趋光电使用自主设计开发的PVT法AlN晶体生长双电阻加热式生长炉，采用物理气相输运法等一系列专有技术研制而成，可利用面积高达98%以上。该晶片表征分析拉曼光谱在半峰宽（FWHM）为2.85-2.87cm-1时具有E2（high）全宽值；对称和不对称的摇摆曲线（HRXRD）分别为172-288 arcsec、103-242 arcsec；位错密度（EPD）小于2.3×105 cm-2；深紫外波段260-280nm(4.43eV-4.77eV)范围内，整个晶片具有世界领先的紫外透光率，吸收系数低至14-21cm-1。晶片内碳、氧、硅杂质含量分别小于45ppmw、100ppmw和9.7ppmw。
中科院宁波材料所、中科院半导体所等第三方检测结果表明该晶片的关键性能指标居全球领先水平，相关成果发表在权威学术期刊《Physica Status Solidi A》上，并作为该期刊封面做特别展示。
氮化铝晶圆是高功率、高频电子器件及紫外探测器、紫外激光和深紫外LED等电子器件最优秀的衬底材料，在国防、航空航天、保密通信、芯片制造、环保、生物医疗等尖端科技领域具有广泛的应用前景。近50年来，世界各国为研发大尺寸氮化铝单晶作出了长期不懈努力，但进展缓慢。奥趋光电投入大量研发人员及资金，成功开发出具备完全自主知识产权的全球首台4英寸氮化铝单晶生长全自动化装备，生长出直径60 mm氮化铝单晶，并掌握技术水平领先且独有专利技术的全套晶圆制程工艺，共申请国际国内专利近30份，成为全球极少数几家掌握大尺寸、高质量第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料全制程技术的企业之一。
由于氮化铝单晶生长装备及生长工艺具有极高的技术壁垒，且在军事、航空航天等领域也具备很高的应用价值，欧美等国对各尺寸的氮化铝晶圆衬底全部对中国实施禁运。奥趋光电的这一重大研发成果为我国在该技术领域突破壁垒，进而实现规模化、产业化奠定了基础。奥趋光电该系列产品也被列入《中国制造2025》绿皮书有待突破的关键战略新材料。