应中环股份（002129.SZ）副总经理、中环领先半导体材料有限公司副董事长、总经理王彦君邀请，奥趋光电首席执行官兼总经理吴亮博士一行7月23日拜访了中环股份（002129.SZ）下属中环领先集成电路用大直径硅片项目宜兴工厂，即中环领先半导体材料有限公司。中环领先半导体材料有限公司副董事长、总经理王彦君先生进行了热情接待。
吴亮博士一行首先参观了中环领先宜兴工厂。据现场工作人员介绍，中环领先集成电路用大直径硅片项目一期投资15亿美元，装备投入60亿元，建设三条8英寸生产线，产能75万片/月；一条12英寸生产线，产能15万片/月，一期目前已建成投产。吴亮博士一行在现场工作人员带领下进入洁净车间，参观了硅片工艺产线从线切、倒角、磨片到抛光、清洗，再到检验、检测、包装全工序流程的设备和生产环境。吴亮博士对于现场高端的自动化设备、先进的车间布局、严格的生产管理表示了高度的认可。
参观结束后，吴亮博士一行与王彦君副董事长进行了座谈。吴亮博士表示其与中环股份的过去密切合作过程中与核心管理层和技术团队建立了深厚的友谊，双方共同回顾了中环股份在沈浩平董事长的带领下从创业初期几千万元销售额高速发展至一家集半导体材料、新能源材料和节能型半导体器件、新能源器件等全球领先、市值近700亿的产业集团全过程。同时，王彦君副董事长向吴亮博士介绍了中环领先半导体材料有限公司的发展历程和项目建设规模，吴亮博士对于中环在大硅片产业的高强度、高集中投资，以及在产品研发、制造、市场占有率等方面所取得的成就表达了高度赞赏，并对中环股份12英寸半导体硅片的量产表达了期待。此外，双方还就硅片等半导体材料的市场现状、疫情对行业的影响等热点问题进行了深入讨论。
随后，吴亮博士介绍了奥趋光电的发展历程、企业概况、主要产品以及氮化铝材料的下游应用市场，同时从技术研发角度出发，着重介绍了奥趋光电在晶体生长模拟仿真开发及应用方面全球领先的技术优势。对于奥趋光电扎根氮化铝材料产业，大力度进行研发投入，持续开展技术创新，并取得突破性研发和产业化成果转化，王彦君副董事长给予了高度评价，并就下一步合作达成了广泛共识。
关于中环股份：
天津中环半导体股份有限公司（简称“中环股份”）是深交所上市公司，股票代码002129。目前旗下4家高新技术企业、1家国家火炬计划重点高新技术企业、1个国家级技术中心、5个省部级研发中心，员工万余人。
中环股份围绕“绿色低碳、可持续发展”，致力于半导体节能和新能源两大产业，公司产品广泛应用于智能电网传输、新能源汽车、高铁、风能发电逆变器、集成电路、消费类电子、航天航空、光伏发电等多个领域。中环股份主导产品电力电子器件用半导体区熔单晶-硅片综合实力全球第三，国外市场占有率超过18%，国内市场占有率超过80%；光伏单晶研发水平全球领先，先后开发了具有自主知识产权的转换效率超过24%的高效N型DW硅片。单晶晶体晶片的综合实力、整体产销规模位列全球前列，高效N型硅片市场占有率全球第一，已形成了跨地域、跨领域、规模化、国际化、多元化的发展态势。
关于中环领先半导体材料有限公司：
中环领先成立于2017年，位于江苏省无锡市宜兴经济技术开发区。公司实行三地化管理模式，以江苏宜兴为中心，分设天津中环领先材料技术有限公司、内蒙古中环领先半导体材料有限公司。天津中环领先材料技术有限公司拥有目前国内同行业企业净化级别最高的1级净化厂房，是全球第一条4-8英寸兼容的全自动抛光片生产线，也是中国最大、世界第三的区熔单晶及硅片生产制造商，计划实现Power-semi半导体晶片产量8英寸及以下50万片/月，12英寸工程试验线2万片/月。江苏中环领先总部，即总投资30亿美元的中环领先集成电路用大直径硅片项目（宜兴工厂），该项目主要产品为8-12英寸抛光硅晶片，是制造集成电路的主要原材料。项目分两期实施，一期投资15亿美元，现已落成投产。二期投资15亿美元，预计于2020年开工，建设两条12英寸生产线，产能30万片/月。项目全部投产后，中环领先将实现8英寸大硅片进入世界前三、12 英寸大硅片进入世界前五的目标，突破国外公司对大硅片的技术封锁和市场垄断。
关于奥趋光电：
奥趋光电是由海归博士、半导体领域顶尖技术专家领衔，于2016年5月创立的高新技术、创新型企业，总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、硅基/蓝宝石基氮化铝薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录，是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、高温/高频射频器件、高频/高功率电子及激光器件的理想衬底/压电材料。
奥趋光电经过多年的高强度研发投入，成功开发出全球最大，直径60mm的氮化铝单晶及晶圆，也是全球首家硅基/蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供1英寸/2英寸高质量氮化铝单晶衬底、4/6/8英寸硅基及2/4/6英寸蓝宝石基氮化铝薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品，同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2020年7月，共申请/授权国际、国内专利36项，是全球范围内本领域专利数量最多的团队之一，被公认为本领域全球技术的领导者。