2021年10月15至16日，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海新硅聚合半导体有限公司以及上海智能传感器产业园主办，武汉敏声新技术有限公司、安徽云塔电子科技有限公司、天通瑞宏科技有限公司等协办的“第一届射频滤波器创新技术大会”在上海嘉定成功召开。
据全球知名权威杂志Compound Semiconductor英文版报导，奥趋光电技术（杭州）有限公司于今年3月，在SEMICON China 2021上，正式发布了5G射频前端FBAR/BAW/SAW滤波及功率器件用高质量铝钪氮（Al₀.₅₆Sc₀.₄₄N）薄膜产品，第三方权威检测表明该系列产品质量和关键参数处于国际领先水平，引发了业内的广泛关注。作为新一代5G射频滤波芯片用高端压电关键基础材料领域的全球技术领导者，奥趋光电技术（杭州）有限公司受组委会主席团邀请参加了本次盛会，公司CEO吴亮博士作为特邀嘉宾，与会发表了题为“5G 射频前端滤波用AlN/AlScN 材料制备技术及其应用前景展望”的邀请报告，分享了奥趋光电在AlN/AlScN薄膜材料制备、相关器件工艺技术开发最新进展及其应用前景展望。
本届大会吸引了来自国内外众多高校、科研院所和滤波器领域知名企业的专家、学者和企业家参会，旨在关注国内的射频滤波器产业，搭建高端技术交流平台，满足国家通讯基础建设的重大需求，解决高端滤波器“卡脖子”的关键问题。清华大学潘峰教授、上海交通大学韩韬教授、浙江大学董树荣教授、西南科技大学高杨教授、电子科技大学鲍景富教授、中国科学院上海微系统与信息技术研究所张师斌博士、南京邮电大学副教授黄晓东等著名学者分别发表了会议报告，围绕“高频大带宽声表面波射频滤波器材料设计与器件加工技术”、“声表面波谐振器的多场耦合建模与应用”、“单晶BAW滤波器技术研究”、“Performance enhancement of RF-MEMS Resonators via Phononic Crystals(PnC)”、“RF Acoustic Filters on Heterogeneous Substrates for 5G Front-Ends”和“下一代无反射滤波器：从LC到传输线实现”等主题，进行了广泛技术交流。终端厂商专家李挺钊、偲百创（深圳）科技有限公司董事长龚颂斌、汉天下董事长杨清华、武汉敏声新技术有限公司副总经理孙博文、云塔科技董事长左成杰、天通瑞宏执行董事沈瞿欢等作为滤波器制造和设计企业的专家、企业家代表，从产业发展和市场需求出发，针对“5G终端对射频声波滤波器需求的趋势”、“关于射频滤波技术飞跃的思考”、“FBAR 滤波器产业现状及技术发展”、“微声器件应用及发展”、“中国射频芯片的现状及挑战”、“声表滤波器在市场技术领域的创新实践探索”等主题进行了深入探讨。
本次大会的召开，为滤波器行业的科研机构和设计制造企业提供了一个宝贵的创新技术交流平台。与会专家、企业家围绕滤波器产业发展相关的关键基础材料、器件工艺、EDA软件、封装测试、装备技术以及射频滤波器技术发展趋势等议题，展开了深入研讨，促进了国内射频滤波器领域的产学研结合和业内多角度、深层次、全方位的交流与合作，将有效推动我国该领域的学术创新、技术进步、和产业发展。
关于射频滤波器创新技术大会
射频滤波器是移动通信射频前端的核心部件之一，在无线通信、智能传感、物联网等领域具有极其广泛的应用前景。5G时代对射频滤波器技术提出了全新的要求：更高频率、更大带宽、更低插损、更高集成度，同时也为新技术发展带来了无限机遇。为提升国内在声表面波滤波器（SAW，TC-SAW、IHP-SAW、ultra-SAW、SuperSAW等）及体声波滤波器（BAW、FBAR、XBAR等）技术原始创新能力，射频滤波器创新技术大会聚焦5G应用的高性能滤波器技术基础和应用研究成果，面向滤波器发展的关键基础材料、器件工艺、EDA软件、封装测试、装备技术发展，推动该领域的产学研结合。计划每年举办一届，形成在国内射频滤波器领域具有重大影响力的创新技术论坛。
第一届射频滤波器创新技术大会于2021年10月15至16日在上海嘉定举办，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海新硅聚合半导体有限公司以及上海智能传感器产业园主办，武汉敏声新技术有限公司、安徽云塔电子科技有限公司、天通瑞宏科技有限公司、广州艾佛光通科技有限公司、无锡麦姆斯咨询有限公司、偲百创（深圳）科技有限公司、苏州捷研芯电子科技有限公司协办。中国科学院邹世昌院士担任大会名誉主席，徐红星院士担任大会顾问，中国科学院上海微系统与信息技术研究所欧欣研究员、武汉大学孙成亮教授、中国科学技术大学左成杰教授担任会议主席。
关于奥趋光电
奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔，于2016年5月创立的高新技术、创新型企业，总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录，是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、高温/高频射频器件、高频/高功率电子及激光器件的理想衬底/压电材料。
奥趋光电经过多年的高强度研发投入，成功开发出全球最大，直径60mm的氮化铝单晶及晶圆，也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供1英寸/2英寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品，同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2021年9月，共申请/授权国际、国内专利50余项，是全球范围内本领域专利数量最多的团队之一，被公认为本领域全球技术的领导者。