动态 | 第四届全国宽禁带半导体学术会议在厦门胜利闭幕

11月9日，第四届全国宽禁带半导体学术会议在厦门胜利闭幕。

本届会议由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)联合主办，厦门大学、南京大学承办，福建省半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心、福建省半导体材料及应用重点实验室、厦门市未来显示技术研究院、厦门大学物理科学与技术学院、微纳光电子材料与器件教育部工程研究中心、半导体照明联合创新国家重点实验室、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司全力协办。

其中，中科潞安、亚格盛电子、中微公司、先普、奥趋光电、Crystal、昂坤视觉、南大光电、Novel Crystal、中镓半导体、金竟科技、力冠微电子装备、良允科技、化合积电、志橙半导体、南京伯奢咏怀、上海翱晶、卓立汉光、纳维科技、尚勤光电、迈塔光电、中电化合物、恒普真空、镓特半导体、中紫半导体、泰克科技、鹏城半导体、鸿阳科技、JAPAN CREATE、江苏第三代半导体研究院、元旭半导体在内的国内外知名厂商的参与展示，以及来自国内宽禁带半导体领域学术界、产业界的专家学者、科研技术人员、院校师生、企业家代表近150家单位超500人参与。围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流，促进产学研用的交流合作。

闭幕大会现场

在闭幕大会报告环节，香港科技大学刘纪美教授、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所徐科研究员、英国谢菲尔德大学王涛教授、北京大学理学部副主任沈波教授、台湾交通大学郭浩中教授、山东大学徐现刚教授等嘉宾带来了精彩报告。沈波教授和半导体照明联合创新国家重点实验室主任、中国科学院半导体研究所研究员李晋闽共同主持了闭幕大会报告环节。

北京大学理学部副主任沈波教授主持大会报告环节

香港科技大学刘纪美教授云视频报告

香港科技大学刘纪美教授远程视频的方式带来了题为“高性能GaN垂直沟槽栅极MOSFET”的主题报告，具体分享了GaN功率晶体管：横向和纵向设计;GaN垂直沟槽MOSFET的优势与挑战；不同清洗处理器的设备结果；具有厚底电介质的器件设计；厚底电介质工艺等内容。

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所徐科研究员

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所徐科研究员详细分享了氮化镓单晶材料的HVPE法与液相法生长研究的最新成果。涉及GaN在尺寸Si衬底上的MOCVD外延生长、GaN在蓝宝石衬底上的MBE外延生长，HVPE方法和生长装备，HVPE生长GaN单晶衬底的现状，从界面到表面的应力调控和应力分布，HVPE方法生长GaN的厚度和位错密度的关系，生长界面调控和应力调控，降低位错密度，氨热法生长GaN的原理和装备等。报告同时指出，GaN单晶材料生长的关键难题是面临各类器件的特殊需求的挑战，比如更大的晶面尺寸，更高的晶体质量，更优异的光学质量，更优异的电学性能，合适的镜面取向，更低的成本等。

英国谢菲尔德大学王涛教授云视频报告

英国谢菲尔德大学王涛教授通过远程云视频的方式，分享了关于用于微型显示器和VLC的μLED和HEMT的，一种实现单片片上集成的直接外延方法。涉及到μLED显示屏的当前状态、内量子效率、外延生长，在单芯片上实现单片集成μLED/HEMT微显示的外延等。报告指出，研究开发出了一种新的选择性外延方法，在不涉及任何干蚀刻的情况下实现微型 LED；新的选择性外延方法，以集成具有最高EQE和最窄光谱线宽的μLED/晶格匹配DBR等。

中国科学院半导体研究所李晋闽研究员主持接下来大会报告环节

北京大学理学部副主任沈波教授分享大会报告

AIN是具有战略意义的超宽禁带半导体，禁带宽度6-2eV,高击穿场强11.7MV/cm,高热导率3.41W/cm.K，具有二阶和三阶光学非线性。与GaN晶格失配率2.4%，热膨胀系数非常接近，在深紫外光电器件，高功率密度电子器件、滤波器、非线性光学器件等领域，具有不可替代的重要应用。北京大学沈波教授做了题为“高质量AIN单晶衬底和外延薄膜的制备”的主题报告，具体分享了AIN单晶衬底的PVT生长，蓝宝石上AIN薄膜的MOCVD外延生长，Si衬底上AIN薄膜的MOCVD外延生长等最新研究进展。

报告指出，AIN单晶衬底和高质量AIN外延薄膜是宽禁带半导体器件发展的关键基础材料，是国家的战略需求，也是国际上尚未攻破的难题之一。研究创新发展了“蔓延式PVT生长”方法，研制了PVT专用装备，初步解决了一系列技术难题，成功研制出2英寸AIN晶体和衬底晶片。创新发展了“小合拢区NPSS侧向外延”方法，蓝宝石衬底上AIN外延层XRD摇摆曲线半高宽132（002）/140（102）arcsec;AIGaN基MQW发光波长276nm时IQE达83.1%，p-AIGaN基MQW发光波长276nm时IQE达83.1%。研究也创新发展了“纳米图形化符合AIN/Si衬底”技术，Si衬底上AIN外延薄膜XRD摇摆曲线半高宽409（002）/677（102）arcsec 。

台湾交通大学郭浩中教授云视频报告

台湾交通大学郭浩中教授通过云视频报告，介绍了用于全彩显示和VLC的新型 microLED的最新技术成果以及相关应用的研究进展，包括下一代显示技术，MicroLED的全彩挑战、嵌入量子点的高均匀性和高效率纳米多孔GaN用于颜色转换MicroLED显示器，具有VLC应用潜力的高稳定性全彩显示设备，高速绿色半极性等。

山东大学副教授彭燕云视频报告

“芯片之争就是材料之争，没有材料核心技术，就相当于在别人的地基上盖房子，再大也不堪一击”，一代材料，一代芯片，半导体材料具有核心地位，当前从研发到规模量产，进入产业快速发展期，“十四五”开局之年，国家启动了多项第三代半导体项目，涉及新型显示和战略电子材料、高性能制造技术与重大装备等，政策支持力度更大，资产市场活跃。也面临着应用市场需求增长等机遇。

山东大学徐现刚教授（彭燕老师代讲）通过云视频方式带来了题为“碳化硅单晶衬底的研究进展”的主题报告，分享了SiC材料研究进展及产业现状等内容，包括SiC功率器件，SiC基射频器件，SiC生长系统，SiC中位错缺陷等。其中，报告指出，国内SiC商业化衬底以4英寸为主，逐步向6英寸过渡。微管密度小于1个/cm2 ，实现95%的衬底可用面积，存在单晶性能一致性差，成品率低下，成本高等问题，国产高性能衬底自给率仍然较低，占全球的市场份额不到5%。

厦门大学康俊勇教授主持大会闭幕环节

大会报告结束后，厦门大学康俊勇教授主持了大会闭幕式环节，并宣布了大会评选出的5位优秀青年论坛邀请报告获奖者和10位最佳海报奖获得者名单。

大会执行主席康俊勇教授主持闭幕式环节并宣布获奖名单

张荣校长、张国义教授、徐科研究员为优秀青年论坛邀请报告获奖者颁奖

张国义教授、黎大兵研究员、刘斌教授为最佳海报奖获奖者颁奖

闭幕式上，厦门大学张荣校长、北京大学张国义教授、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所徐科研究员，以及北大东莞光电研究院常务副院长、北京大学教授张国义共同为优秀青年论坛邀请报告获奖者颁奖，长春光学精密机械与物理研究所博导黎大兵研究员与南京大学电子科学与工程学院副院长刘斌教授共同为本次会议最佳海报奖获得者颁奖。

大会组委会秘书处高娜秘书长

本次会议组委会秘书处高娜秘书长代表组委会介绍了本届会议筹办情况。高娜秘书长表示，本次会议得到了业界、学界广泛的支持与积极参与，感谢主办单位及所有现场参与单位和代表的暖心支持和帮助，也感谢默默守候在云端，与我们进行学术交流的专家学者们，感谢大会主席张荣校长，大会执行主席康俊勇教授不顾疲惫的细心指导每个细节，衷心感谢厦门大学宽禁带半导体研究组，以及所有台前幕后老师和志愿者们的辛勤付出。

会议为期两天，包含开闭幕两场大会，同期设置了“材料生长与表征”、“光电子器件及应用”、“电力电子器件及应用”、“新型宽禁带半导体材料及应用”和青年论坛五场同期分会，并有POSTER交流和企业展览展示。共收录论文摘要355篇，其中大会报告12个，邀请报告58个，口头报告71个，海报展示186个。根据注册统计数据显示参会代表超过600人，因疫情原因实际参会代表超过500人；参与单位超过150家，其中有赞助单位31家和展示单位29家；线上开闭幕式报告直播观看人次超过13000+。密集高水平学术报告，前沿研究内容分享交相辉映，让与会的嘉宾和青年科研代表享受到宽禁带技术“科研盛宴”。

最后，康俊勇教授介绍了大会委员会会议关于下届会议讨论情况，对下一届会议的组织筹备充满期待，并宣布本届大会圆满闭幕！

此外，大会组委会为丰富参会代表本次学习行程，11月10日，还特别组织安排考察三安光电股份有限公司和集美学村—集美大学。组委会为方便大家高效返程，还贴心为参会代表组织免费的核酸检测服务，得到了与会者们的一致好评。

部分嘉宾代表合影