2021年12月6日至8日，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）联合主办的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳会展中心隆重举行。
奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体氮化铝单晶衬底全套制程能力和批量制造能力的领先技术企业之一，同时也是开发出2-6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、铝钪氮薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等完整工艺解决方案的专业技术服务商，受组委会特别邀请出席本次论坛，将由公司CEO吴亮博士发表题为《PVT生长高质量、大尺寸AlN单晶最新进展及其未来挑战》的主题报告，分享AlN晶体生长、单晶衬底制备及相关工艺技术和设备开发领域的最新进展。
图1 奥趋光电制备的直径26mm、36mm, 45mm及57mm左右AlN单晶锭
图2 奥趋光电各尺寸高质量AlN单晶衬底
图3 奥趋光电高质量氮化铝单晶衬底系列产品
图4 奥趋光电硅基/蓝宝石基AlN/AlScN薄膜系列产品
本届论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）以“创芯生态 碳索未来”为主题，特别邀请了全国政协教科卫体委员会副主任、国家科技部原副部长、国际半导体照明联盟主席曹健林，厦门大学校长、教授张荣，中国科学院院士、南昌大学副校长江风益，中国工程院院士、全球能源互联网研究院院长汤广福，美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授、诺贝尔物理学奖得主中村修二，瑞典皇家理工学院教授Carl-Mikael Zetterling，博世苏州汽车部件总经理、博世汽车电子中国区总裁Georges Andary，京东方科技集团显示与传感器件研究院院长、半导体技术首席科学家袁广才等来自国内外的重量级专家与业界同仁，共同聚焦第三代半导体行业的进步与发展，研讨创新技术、把脉产业商机。
本届论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）分设材料与装备论坛、功率电子器件与应用论坛、射频电子器件与应用论坛、半导体照明与应用论坛、Mini/Micro-LED及其他新型显示论坛、超越照明论坛、固态紫外器件与应用论坛、车用半导体创新合作峰会等一系列论坛活动。其中奥趋光电技术（杭州）有限公司CEO吴亮博士将于12月7日在“氮化物半导体衬底与外延技术”论坛发表邀请报告：
报告主题：《PVT生长高质量、大尺寸AlN单晶最新进展及其未来挑战》
报告时间：11月7日（周二）下午15:45
报告地点：深圳会展中心•五层玫瑰厅3
（受疫情影响，该报告改为线上发表，时间地点不变，尽请期待。）
本届论坛（IFWS & SSLCHINA 2021）力邀国内外知名专家、领军企业、行业精英代表深度参与，将围绕第三代半导体材料技术、功率电子技术、光电子技术、射频电子技术的国内外前沿进展，以及第三代半导体与新一代信息技术、新能源汽车、新一代通用电源、高端装备等产业的创新性融合等关键问题开展广泛和深入的交流，将有力推动国内该领域的产学研结合和产业链协同，有效促进我国第三代半导体产业的健康有序发展。
12月6-7日，第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛（IFWS & SSLCHINA 2021），奥趋光电期待与您相聚。
论坛地点：深圳市福田区福华三路111号深圳会展中心
论坛网址：
关于IFWS & SSLCHINA
国际第三代半导体论坛（IFWS）是第三代半导体产业在中国地区的年度盛会，是前瞻性、全球性、高层次的综合性论坛。会议以促进第三代半导体与电力电子技术、移动通信技术、紫外探测技术和应用的国际交流与合作，引领第三代半导体新兴产业的发展方向为活动宗旨，全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展，联结产、学、研、用，提供全球范围的全产业链合作平台。在过去的六年时间里，IFWS延请宽禁带半导体领域国际顶级学术权威分享最前沿技术动态，已发展成具有业界影响力的综合性专业论坛。
中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）是半导体照明领域最具规模、参与度最高、口碑最好的全球性专业论坛。论坛以促进半导体照明技术和应用的国际交流与合作，引领半导体照明产业的发展方向为活动宗旨，全面覆盖行业工艺装备、原材料，技术、产品与应用的创新发展，提供全球范围的全产业链合作平台，致力于拓展业界所关注的目标市场，以专业精神恒久缔造企业的商业价值。在过去的十七年里，SSLCHINA邀请了包括诺贝尔奖得主在内的全球最顶级专家阵容，呈现了超过1800个专业报告，累计参会代表覆盖全球70多个国家逾26500人次。
关于奥趋光电
奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔，于2016年5月创立的高新技术、创新型企业，总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录，是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、高温/高频射频器件、高频/高功率电子及激光器件的理想衬底/压电材料。
奥趋光电经过多年的高强度研发投入，成功开发出全球最大，直径60mm的氮化铝单晶及晶圆，也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供1英寸/2英寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品，同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2021年11月，共申请/授权国际、国内专利50余项，是全球范围内本领域专利数量最多的团队之一，被公认为本领域全球技术的领导者。