第五讲
超宽禁带半导体AlN单晶生长技术最新进展及其面临挑战
内容要点：作为新一代战略电子材料，AlN具有超宽禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高化学和热稳定性等优异性能，是高压、高频、高功率电子器件、MEMS传感器以及高Al组分深紫外光电器件等理想衬底材料。PVT法是制备高质量AlN单晶唯一方法，但该生长工艺仍存在形核控制、大尺寸扩晶技术、晶圆加工、N型掺杂及大规模量产稳定性、良率等一系列难题有待解决。针对上述问题，奥趋光电自主开发了AlN单晶生长工艺过程对流、传质、过饱和度、生长速率及应力预测等一系列有限元软件，并迭代设计了多代全自动AlN单晶PVT气相沉积炉及其配套热场与工艺。基于上述研究基础，成功解决了AlN籽晶粘接、生长形核控制、快速扩径技术、晶圆加工等一系列难题，生长出了高质量、直径近60mm的Al极性AlN单晶生长及其配套的稳定、可重复同质外延生长工艺，并实现2英寸及其以下尺寸AlN单晶衬底的小批量量产。
主讲嘉宾：吴亮教授
奥趋光电技术（杭州）有限公司创始人兼CEO、《人工晶体学报》编委。分别毕业于比利时鲁汶大学、清华大学及大连理工大学，获博士、硕士及本科学位，南京大学商学院EMBA。有近20年半导体、光伏及LED用各种单晶生长工艺研究与开发经验，曾在Intel、比利时FEMAGSoft SA、苏州协鑫工业应用研究院（现协鑫中央研究院）等担任过研发、市场及管理等各种重要岗位负责人，申请/授权国内国际专利超过50项，在德国出版晶体生长专著一部，发表各种期刊/会议论文及受邀做各种国际/国内报告100多篇/次。
嘉宾主持：贾志泰教授
山东大学教授、博士生导师、泰山学者青年专家，现任晶体材料国家重点实验室主任助理、新一代半导体材料研究院副主任。主要从事人工晶体的设计、生长及性能研究。作为负责人主持了国家重点研发计划、教育部联合基金重点项目、山东省重点研发计划项目等。在Advanced Functional Materials、Crystal Growth & Design、Journal of Crystal Growth等晶体材料领域权威期刊发表SCI论文90余篇，获授权发明专利10余项。担任《人工晶体学报》《发光学报》青年编委，中国稀土学会稀土晶体专业委员会委员等。
2022年7月2日（周六）
19:00-20:00
腾讯会议
650 354 992
五十年栉风沐雨不忘初心，半世纪春华秋实不负耕耘。
从1972年创刊，《人工晶体学报》至今已走过五十年辉煌历程。五十年来，她忠实地记录了中国晶体的发展历程，见证了中国晶体的辉煌，也孕育和传承了我国人工晶体的行业文化！为纪念《人工晶体学报》创刊五十年来在促进学术交流、繁荣产业发展、传播我国人工晶体文化方面的突出贡献，《人工晶体学报》第七届编委会组织“砥砺五十年——纪念《人工晶体学报》创刊五十周年”线上学术讲堂。讲堂聚焦国内外人工晶体研究前沿，邀请了国内知名人工晶体专家讲授激光晶体、闪烁晶体、半导体晶体、压电晶体等新型光电功能晶体的最新研究进展和应用成果，并探讨其未来发展，为广大人工晶体及其应用领域的科研人员提供学术交流平台，拓展研究视野，推动我国人工晶体材料基础研究和应用技术的发展。
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文章转载于公众号【人工晶体学报】