2022年7月2日晚上7点，由《人工晶体学报》编委会组织的“砥砺五十年”线上学术讲堂第五讲在《人工晶体学报》青年编委、山东大学贾志泰教授的主持下顺利开讲。《人工晶体学报》编委、奥趋光电技术（杭州）有限公司吴亮教授主讲了“超宽禁带半导体AlN单晶生长技术最新进展及其面临挑战”。腾讯会议室、《人工晶体学报》公众号、DT新材料、半导体在线、寇享学术在线直播总共2000余人收听了报告。
主讲嘉宾
吴亮教授
嘉宾主持
贾志泰教授
AlN单晶是当前超宽禁带半导体领域的热点材料，国际上许多著名研究机构和企业都投入大量人力和巨额资金进行开发研究。这是因为它具有超宽禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高化学和热稳定性等优异性能，是高压、高频、高功率电子器件、MEMS传感器以及高Al组分深紫外光电器件等理想衬底材料。物理气相传输（physical vapor transport, PVT）法是目前制备高质量AlN单晶的唯一方法，但该方法仍存在形核控制、大尺寸扩晶技术、晶圆加工、N型掺杂及大规模量产稳定性、良率等一系列难题有待解决。奥趋光电（杭州）技术有限公司自主开发了针对AlN单晶生长工艺过程中对流、传质、过饱和度、生长速率及应力预测等的一系列有限元软件，并迭代设计了多代全自动AlN单晶PVT炉及其配套热场与工艺。基于上述研究基础，成功解决了AlN籽晶粘接、生长形核控制、快速扩径技术、晶圆加工等一系列难题，生长出了高质量、直径近60 mm的Al极性AlN单晶，以及配套的稳定、可重复同质外延生长工艺装备，并实现了2英寸及以下尺寸AlN单晶衬底的小批量量产。
以下全文分享吴亮教授的演讲ppt，欢迎大家一起交流学习，感兴趣的朋友还可以通过关注“人工晶体学报”公众号查看本次讲堂的视频回放。
下周五（7月8日）将继续“砥砺五十年”纪念《人工晶体学报》创刊五十周年线上学术讲堂第五讲，主讲嘉宾为中国工程物理研究院激光聚变研究中心郑万国研究员，报告题目为“激光核聚变研究进展与展望”，由中国工程物理研究院化工材料研究所康彬研究员担任嘉宾主持，晚上7点腾讯会议430191124，与您不见不散！
错过本次讲座的朋友们，请关注“人工晶体学报”公众号查看视频回放。
文章转载于公众号【人工晶体学报】