应中国科学院院士、浙江大学杭州国际科创中心（简称“科创中心”）首席科学家杨德仁教授、科创中心先进半导体研究院院长皮孝东教授及副院长孙一军研究员的邀请，奥趋光电首席执行官吴亮博士一行于7月12日拜访浙大科创中心，杨德仁院士、皮孝东教授、孙一军研究员等进行了热情接待，中国计量大学材料学院院长秦来顺教授、奥趋光电综合管理部总经理陈鹏先生陪同拜访。
吴亮博士一行首先在科创中心先进半导体研究院韩学峰研究员、王蓉研究员等的带领下，参观了科创中心园区。吴亮博士对于科创中心高素质的人才队伍、园区的高标准规划、良好环境及齐全配套及表达了由衷赞赏；并表示在杨院士的领导下，科创中心短时间内在碳化硅、氧化镓等宽禁带半导体材料、晶圆制程、器件制备、芯片封测等领域实现重大技术成果，展现了科创中心强大的创新研发实力和资源整合能力，科创中心的快速崛起将为我国第三代半导体产业、芯片集成电路产业发展注入强大动能。
园区参观完毕后，吴亮博士一行与杨德仁院士、皮孝东教授、孙一军研究员等科创中心的二十余位技术专家、科研人员进行了座谈。杨院士首先代表科创中心对吴亮博士的来访表示了热烈欢迎，并向与会人员简要介绍了奥趋光电团队在宽禁带半导体AlN材料领域所取得的突破性成果及国际影响力，同时对奥趋光电的未来发展表达了期待。吴亮博士表示，此前在硅半导体材料行业曾与杨院士并肩战斗多年，而如今十分有幸能在宽禁带半导体领域与杨院士再度会师；吴亮博士对科创中心极短时间内在宽禁带半导体碳化硅、氧化镓及其器件领域所取得的突破性进展表达了衷心祝贺，并对杨院士长期关注并支持奥趋光电的发展表达了由衷感谢。
座谈结束后，吴亮博士向科创中心技术专家及科研人员作了题为“大尺寸、高质量氮化铝单晶生长最新进展及其应用前景挑战”的学术报告，详细分享了奥趋光电团队在氮化铝单晶PVT生长设备、模拟仿真软件开发、晶体生长工艺及单晶衬底制备领域的最新进展，并介绍了氮化铝材料在紫外光电器件、5G射频器件、功率器件及军工领域的应用前景和面临的挑战。报告结束后，杨德仁院士、皮孝东教授、韩学峰研究员、王蓉研究员等与会专家及科研人员就氮化铝/碳化硅单晶PVT生长设备、生长工艺、极性控制、扩径技术、晶圆切割与抛光等问题与吴亮博士展开了热烈、深入的交流与探讨。
杨德仁院士在听取报告并参与讨论后表示，超宽禁带半导体氮化铝具有极其优异的特性，除紫外光电器件外，在功率器件领域也具有非常广阔的应用前景，因此与金刚石一起并称为终极半导体。但与其它半导体材料如氧化镓、氧化锌等一样，氮化铝单晶在功率器件领域大规模应用之前，必须要解决好碳氧杂质控制、缺陷控制及N/P型掺杂等基础性问题，同时也要做好良率提升及成本控制。杨德仁院士对奥趋光电在氮化铝材料领域前瞻性布局、持续性攻关，集中性投入，并完成成果转化——实现2英寸及以下尺寸氮化铝单晶衬底产品的小批量量产给予了高度评价；鼓励奥趋光电再接再厉，在氮化铝材料研发方面既要敢为人先，又要精益求精，努力在杂质控制、掺杂控制等基础研究领域和更大尺寸晶圆制备工艺方面争取新的突破。吴亮博士感谢杨院士给予的指导、认可和鼓励，并表示奥趋光电将始终以宽禁带半导体氮化铝材料为核心，坚持技术为本、创新驱动，发挥匠心精神，并在成果产业化、产品市场化的道路上不断前进。最后，杨德仁院士与吴亮博士就科创中心与奥趋光电未来多方面的产学研合作、人才交流等深入交换意见，并达成了广泛共识。
会后，吴亮博士一行在皮孝东教授等的带领下，参观了科创中心先进半导体研究院的产品展厅和实验室、超净间等，对现场展示的高质量碳化硅晶圆、氧化镓晶圆等先进材料及其下游器件和应用产品留下了深刻印象。
关于浙江大学杭州国际科创中心
浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）成立于2019年2月28日，是新时代浙江大学和杭州市全面深化市校战略合作共建的重大科技创新平台。
科创中心以打造世界一流水平，引领未来发展的全球顶尖科技创新中心为目标，面向国家重大战略、区域发展重大需求和国际科学前沿，聚焦物质科学、信息科学、生命科学的会聚融通，打通前沿科学研究、颠覆性技术研发和成果产业化的全链条，是深入贯彻习近平总书记考察浙江重要讲话精神的重大决策部署，是打造“展示新时代中国特色社会主义的重要窗口”的具体举措，是全面落实省委十四届七次全会部署、建设高水平创新型省份、打造科创高地的重大标志性工程。
科创中心坚持体制机制创新，努力打造新型研发机构，集聚一批擅长产学研协同的战略科学家、掌握前沿技术的创业家、面向核心科技的投资家，致力建设面向人才培养、前沿科技和社会服务的新型大学校区，推动成果转化、技术交易和产业投资的开放科技园区，促进技术创新、产业创新和制度创新的卓越创新特区，打造先进制造业的示范地、创新经济的策源地、硬核科技的集聚地。
关于奥趋光电
奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔，于2016年5月创立的高新技术、创新型企业，总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录，是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、高温/高频射频器件、高频/高功率电子及激光器件的理想衬底/压电材料。
奥趋光电经过多年的高强度研发投入，成功开发出全球最大，直径60mm的氮化铝单晶及晶圆，也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供2英寸及以下尺寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品，同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2022年6月，共申请/授权国际、国内专利50余项，是全球范围内本领域专利数量最多的团队之一，被公认为本领域全球技术的领导者。