近日，科技部公布了“十四五”国家重点研发计划重点专项立项信息，奥趋光电参与的国家重点研发计划重点专项“氮化铝单晶衬底制备和同质外延关键技术”（新型显示与战略性电子材料专项）获批立项，项目编号2022YFB3605300。该国家重点研发计划重点专项以北京大学为牵头单位，联合奥趋光电技术（杭州）有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中国科学院半导体研究所、中国科学院物理研究所、北京中材人工晶体研究院有限公司、深圳大学、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、苏州紫灿科技有限公司等9家单位，各方围绕氮化铝（AlN）单晶衬底制备和同质外延关键技术进行课题分工，共同执行项目任务。奥趋光电作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和批量制造能力的领先技术企业之一，担任课题牵头单位，并与北京中材人工晶体研究院共同承担相关子课题任务。
作为新一代战略性电子材料，AlN具有超宽禁带宽度（6.2 eV）、高热导率（340 W/(m∙K)）、高击穿场强（15.4 MV/cm）、良好的紫外透过率、化学和热稳定性等优异性能（见图一），是高温、高频、高功率、高压电子器件以及高Al组分深紫外光电器件的理想衬底材料，特别适合于制造高温、高频、高功率及高压电力电子器件（见图二）、射频通信器件、深紫外光电子器件等。全球范围的AlN单晶材料制备技术几乎与碳化硅同时起步，由于AlN单晶衬底的生长技术难度大、尺寸偏小、位错密度高、紫外透过率较差等，与较为成熟的SiC、GaN产业链相比，AlN的产业化应用才悄然开始。国内AlN材料研发起步较晚，并且十多年以来欧美任意尺寸的AlN单晶衬底对中国一直实施禁运。 “氮化铝单晶衬底制备和同质外延关键技术” 重点专项的立项，对促进我国AlN单晶材料自主可控及其在高功率/高压/高频/高温电力电子器件、射频通信器件、深紫外光电子器件等诸多领域的商业化发展及国防军工领域的关键应用具有重大意义。
图一：各种半导体材料特性比较图
图二：各种半导体材料功率器件应用领域比较图
关于国家重点研发计划
国家重点研发计划由中央财政资金设立，面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求，重点资助事关国计民生的农业、能源资源、生态环境、健康等领域中需要长期演进的重大社会公益性研究，事关产业核心竞争力、整体自主创新能力和国家安全的战略性、基础性、前瞻性重大科学问题、重大共性关键技术和产品研发，以及重大国际科技合作等，加强跨部门、跨行业、跨区域研发布局和协同创新，为国民经济和社会发展主要领域提供持续性的支撑和引领。
国家重点研发计划按照重点专项、项目分层次管理。重点专项是国家重点研发计划组织实施的载体，聚焦国家重大战略任务、以目标为导向，从基础前沿、重大共性关键技术到应用示范进行全链条创新设计、一体化组织实施。项目是国家重点研发计划组织实施的基本单元。项目可根据需要下设一定数量的课题。课题是项目的组成部分，按照项目总体部署和要求完成相对独立的研究开发任务，服务于项目目标。
关于奥趋光电
奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔，于2016年5月创立的高新技术、创新型企业，总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录，是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、高温/高频射频器件、高频/高功率电子及激光器件的理想衬底/压电材料。
奥趋光电经过多年的高强度研发投入，成功开发出全球最大，直径60mm的氮化铝单晶及晶圆，也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供2英寸及以下尺寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品，同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2022年11月，共申请/授权国际、国内专利50余项，是全球范围内本领域专利数量最多的团队之一，被公认为本领域全球技术的领导者。