2018年12月9-12日，第三届国际紫外材料与器件会议（IWUMD-2018）在云南省昆明市云安会都酒店召开。来自中国、美国、俄罗斯、加拿大、德国、法国、日本、韩国等十二个国家和地区的270余位代表出席了本次会议。
本届会议由中国科学院半导体研究所、国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）和半导体照明联合创新国家重点实验室联合主办，北京大学、厦门大学、昆明理工大学共同协办。同时还得到了中科潞安、奥趋光电、TES、中乌新材、大族激光、隆兴达、脉科、美扬科技、纳维科技、国星光电、中国电子科技集团有限公司第二研究所、Crosslight、Aixtr-on、北方华创、鸿利智汇等单位的大力支持。
会议特别邀请了国内外在紫外材料和器件相关领域的20多位知名专家就AlN、BN和Ga2O3等的紫外材料的外延生长、物理机制和相关器件等方面做了特邀报告，充分展示了国内外在这些技术领域的最新成果和最新动态。
会议期间，奥趋光电应邀发表了专题报告，并同时发布了世界首片60mm AlN晶片样片，引发了业内人士的广泛关注。中科院半导体所李晋闽所长、顾瑛院士专程赴奥趋光电展位参观了60mm AlN晶片样片，与现场工作人员就产品技术问题进行了深入交流，同时对奥趋光电在氮化铝单晶领域取得的突破性进展给予了肯定和鼓励，并对AlN晶片在相关领域广泛应用，以及未来的工业化生产表示期待。
由于半导体照明新兴产业的带动，紫外材料和器件技术及其相关应用得到了前所未有的快速发展。本次会议为国内外从事紫外材料和器件相关技术研发的科研人员提供相互了解和交流的机会，促进了国内外紫外材料和器件相关研究机构的沟通与合作，为进一步加快我国紫外材料和器件技术创新及该技术的产业化推广应用起到了积极的作用。