2023年4月6日，奥趋光电技术（杭州）有限公司（以下简称“奥趋光电”）参与的国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”专项项目—— “AlN 单晶衬底制备和同质外延关键技术（共性关键技术类）” （编号2022YFB3605300，项目负责人于彤军教授）项目启动会在北京大学中关新园召开。此次项目启动会由项目牵头单位北京大学主办，科技部高技术中心材料处杨斌研究员、项目责任专家中科院长春光机所黎大兵研究员和中科院苏州纳米所徐科研究员及相关咨询专家，校科研部副部长李新征、重大项目办公室主任廖日坤、宽禁带半导体研究中心主任沈波及项目学术骨干等40余人与会，奥趋光电作为子课题牵头负责单位参会。
会上，科技部高技术中心杨斌研究员在致辞中充分肯定了项目的重大意义和具备的工作基础，希望项目团队坚持面向科技前沿和国家重大需求、不断推进项目进展，加强课题之间的交流融合，充分发挥北大等项目承担单位在新型显示与战略性电子材料领域的引领作用。随后，北京大学于彤军教授向与会领导及专家详细汇报了项目的总体情况及实施方案，项目责任专家中科院长春光机所黎大兵研究员携咨询专家组通过提问、研讨，对各课题的实施方案进行了论证，并就项目启动的各项事宜给予了建设性指导。
于彤军代表项目团队表示，为了力争取得一批具有国际影响力的原创成果，将严格遵循科技部和北京大学相关规章制度。会议梳理了项目任务书分工及实施方案计划，讨论通过了本项目的管理机制、组织架构、财务制度、文档及成果管理规程等，为项目顺利启动和高效推进奠定了坚实基础。
此次启动会明确了项目开局及下一阶段的主要工作，为项下各课题的研发工作提供了方向引导、专家指导和制度保障，确保了项目各方目标一致、责任明确、行动协同，为项目整体有序实施提供了保障，会议取得圆满成功！本次启动会的胜利召开标志着由北京大学牵头负责的国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重大专项研究工作的全面开展。
关于“AlN 单晶衬底制备和同质外延关键技术”国家重点研发计划重大专项
国家重点研发计划“新型显示与战略性先进电子材料重点专项”项目——“AlN 单晶衬底制备和同质外延关键技术（共性关键技术类）”（2022YFB3605300），于2022年11月获得国家科技部立项支持。本重大专项以北京大学为牵头单位，联合奥趋光电技术（杭州）有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中国科学院半导体研究所、中国科学院物理研究所、北京中材人工晶体研究院有限公司、深圳大学、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、苏州紫灿科技有限公司等9家单位，面向高功率密度器件对AlN 衬底和同质外延生长技术的需求，开展大尺寸、高质量AlN 单晶衬底和模板材料生长技术及同质外延技术研究。
奥趋光电作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领先技术企业之一，担任课题牵头单位，并与北京中材人工晶体研究院共同承担相关子课题任务。本重大专项的立项及实施，对促进我国AlN单晶材料自主可控及其在高功率/高压/高频/高温电力电子器件、射频通信器件、深紫外光电子器件等诸多领域的商业化发展及国防军工领域的关键应用具有重大意义。
关于奥趋光电
奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔，于2016年5月创立的高新技术、创新型企业，总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录，是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、高温/高频射频器件、高频/高功率电子及激光器件的理想衬底/压电材料。
奥趋光电经过多年的高强度研发投入，于2019年成功开发出全球最大，直径60mm的氮化铝单晶及晶圆，并于2022年开发出直径达76 mm的铝极性氮化铝单晶及3英寸晶圆样片，奥趋光电同时也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供2英寸及以下尺寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品，同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2023年3月，共申请/授权国际、国内专利60余项，是全球范围内本领域专利数量最多的团队之一，被公认为本领域全球技术的领导者。
信息来源于北京大学新闻网