7月14日至17日，由中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会和中国硅酸盐学会主办的第十九届全国晶体生长与材料学术会议（CCCG-19）在天津成功召开。奥趋光电技术（杭州）有限公司应组委会邀请出席大会，并发表题为“高质量2英寸AlN单晶生长技术进展及大批量制备面临的挑战”的邀请报告，分享了奥趋光电在氮化铝晶体生长有限元模拟仿真软件开发、全自动化氮化铝PVT单晶生长设备、氮化铝单晶生长热场设计与工艺、单晶衬底制备、下游器件制备等方面的最新进展，包括实现直径76 mm铝极性AlN单晶锭生长及3英寸衬底样片制备、超高透过率AlN单晶衬底产品及其在器件MOCVD/HVPE等同质外延生长领域的最新成果。
天津理工大学功能晶体研究院院长胡章贵教授、中国工程院院士，天津理工大学吴以成教授、天津理工大学副校长叶宁教授、中国科学院院士，南京大学祝世宁教授等先后主持大会开幕式及邀请报告。中国科学院院士，燕山大学田永君教授、中国科学院院士，浙江大学杨德仁教授、西北工业大学介万奇教授、中国工程物理研究院郑万国研究员、西安交通大学徐卓教授、天津大学龚俊波教授等发表精彩大会报告。
本届会议由天津理工大学、南开大学、天津大学、河北工业大学、天津工业大学、中国电科46所、中国电科13 所和山东大学晶体材料国家重点实验室等承办，旨在搭建晶体材料及相关领域科研技术人员之间相互学习、交流和合作平台，提升本领域科研实力和科学技术水平，推动功能晶体材料研究进步，满足国家重大需求，促进晶体材料及相关产业发展。大会下设晶体生长理论与方法，非线性光学晶体，激光晶体，半导体晶体，压电、闪烁、铁电和铁性晶体，人工微结构和新概念晶体，工业与药物结晶，学科交叉先进功能晶体及应用，有机光电子分子与晶体材料，晶体生长技术与装备等分会。与会专家学者和企业代表围绕晶体生长与材料技术各领域的创新研发、产品开发和应用技术等议题，展开了深入研讨，交流了近年来晶体材料相关领域的最新研发成果，探讨了中国晶体事业面临的机遇、挑战和未来发展方向，促进了业内多角度、深层次、全方位的学术交流与产学研融合，将有效推动我国晶体生长与先进材料技术和产业的发展与进步。
关于全国晶体生长与材料学术会议
三年一次的全国晶体生长与材料会议是由中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会主办的系列会议，旨在促进人工晶体生长技术和晶体材料科学与工程研究最新成果的交流，推动理论研究和产业化技术的发展，开拓人工晶体材料在国民经济高技术领域的应用。第一届全国晶体生长与材料学术会议于1976年在苏州召开。进入本世纪以来，分别在上海、北京、福州、宁波、合肥、哈尔滨和西安举办了第十二至十八届全国晶体生长与材料学术会议。参会者均在600人以上，成为我国晶体生长领域学术交流和促进学术进步的重要会议。
第十九届全国晶体生长与材料学术会议（CCCG-19）于2023年7月14-17日在天津市社会山国际会议中心召开。本次会议由中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会和中国硅酸盐学会主办，由天津理工大学、南开大学、天津大学、河北工业大学、天津工业大学、中国电科46所、中国电科13所和山东大学晶体材料国家重点实验室等承办。会议旨在搭建晶体材料及相关领域科研技术人员之间相互学习、交流和合作平台，提升本领域科研实力和科学技术水平，推动功能晶体材料研究进步，满足国家重大需求，促进晶体材料及相关产业发展。会议同期举办了晶体应用和产业论坛、晶体及相关设备展览。
关于奥趋光电
奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔，于2016年5月创立的高新技术、创新型企业，总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录，是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、高温/高频射频器件、高频/高功率电子及激光器件的理想衬底/压电材料。
奥趋光电经过多年的高强度研发投入，于2019年成功开发出全球最大，直径60mm的氮化铝单晶及晶圆，并于2022年开发出直径达76 mm的铝极性氮化铝单晶及3英寸晶圆样片，奥趋光电同时也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供2英寸及以下尺寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品，同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2023年6月，共申请/授权国际、国内专利60余项，是全球范围内本领域专利数量最多的团队之一，被公认为本领域全球技术的领导者。