11月12-17日，第14届氮化物半导体国际会议
（The 14th International Conference on Nitride Semiconductors）（ICNS-14）在日本福冈隆重举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体氮化铝单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领先技术企业之一出席本次盛会。公司CEO吴亮博士发表了题为“2-inch AlN Substrates with Absorption Coefficient below 15/cm at 220-240nm for Far-UVC Optoelectronics”的主题报告，分享了奥趋光电在AlN晶体生长有限元模拟仿真软件开发、氮化铝PVT长晶设备、AlN单晶生长工艺、单晶衬底制备等方面所取得的突破，包括成功实现直径达76 mm的铝极性AlN单晶锭生长及3英寸衬底样片制备的重要成果，并重点介绍了奥趋光电新一代具有世界领先水平的超高透过率AlN单晶衬底产品及与合作伙伴在远紫外（Far-UVC）器件开发和MOCVD/HVPE同质外延生长等领域的最新进展。
奥趋光电具有世界领先水平远紫外（Far-UVC）透过率AlN单晶衬底吸收系数及透光率图谱
本届国际会议汇集了全球氮化物半导体领域的众多顶尖专家学者和知名企业代表，日本晶体生长协会主席，东京大学教授Hiroshi Fujioka担任本届大会组委会主席，上智大学教授Katsumi Kishino、立命馆大学教授Yasushi Nanishi、千叶大学教授Akihiko Yoshikawa担任名誉主席，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员徐科、韩国能源技术研究所所长Euijoon Yoon等担任联合主席，三重大学教授Hideto Miyake担任筹划指导委员会主席，日本理化学研究所首席科学家Hideki Hirayama担任程序委员会主席。诺贝尔奖得主，名古屋大学教授Hiroshi Amano（天野浩）、康奈尔大学教授Debdeep Jena、瑞士洛桑联邦理工学院教授Elison Matioli等发表开幕式全员大会报告。中科院苏州纳米所徐科研究员发表闭幕式全员大会报告，北京大学沈波教授、王新强教授，厦门大学张宝平教授等分别担任分会主席。
诺贝尔奖得主、名古屋大学教授Hiroshi Amano（天野浩）做大会报告
近年来，全球氮化铝单晶衬底材料、器件技术快速发展。在氮化铝单晶衬底分会，除奥趋光电外，美国Crystal-IS创始人之一Leo J. Schowalter教授，Crystal-IS的James Grandusky博士、德国晶体生长研究所（IKZ）的Carsten Hartmann博士，德国埃尔朗根-纽伦堡大学、弗劳恩霍夫系统集成与器件技术研究所（Fraunhofer IISB）Elke Meissner博士、美国Hexatech创始人之一Zlatko Sitar教授、Hexatech的Rafael Dalmau博士及美国佐治亚理工学院Alan Doolittle教授等均分享了各自团队在AlN单晶衬底/器件等领域的最新进展及未来应用展望。
美国Crystal-IS创始人之一Leo J. Schowalter教授 （左）
美国Hexatech创始人之一Zlatko Sitar教授（右）
美国Crystal-IS的James Grandusky博士（左）
德国IKZ的Carsten Hartmann博士（右）
德国Fraunhofer IISB的Elke Meissner博士（左）
美国Hexatech的Rafael Dalmau博士（右）
美国佐治亚理工学院Alan Doolittle教授（右）
氮化铝单晶衬底分会部分演讲嘉宾
本届氮化物半导体国际会议（ICNS-14）由日本晶体生长协会、日本宽禁带半导体学会、日本科学促进协会（JSPS）晶体生长产业创新委员会R032等主办和资助。来自30余个国家的超过1200名专家学者、科研人员、工程师、企业家、政府机构代表和相关领域行业精英汇聚一堂，围绕III族氮化物半导体生长、表征、光学器件和电子器件四大核心议题，通过全体会议、专题会议、海报会议及工业展览等多种形式的深入研讨和广泛交流，展示了本领域各方面的研究进展与最新成果，剖析了行业所面临的各类机遇与挑战。大会收到了来自亚洲、欧洲、北美和大洋洲共30个国家和地区的近千篇会议论文摘要，这一庞大数字反映了氮化物材料和器件正持续受到学术界和产业界的关注，特别是UV-LED、Micro-LED、LD、VCSEL和垂直电子器件等先进半导体器件受到了越来越多的重视，这也表明了氮化物半导体材料及相关技术，在全球科研人员和业界的共同努力下，历经数十年的发展，已逐步向下游器件乃至终端应用领域延伸并与之深度绑定。本届国际会议的召开对全球III族氮化物半导体材料与器件技术近年来取得的进步和存在的挑战进行了全面系统地总结，为下一步各领域的技术攻关和产业化布局指明了方向和奠定了坚实基础，并将引领全球氮化物半导体行业的产学研协同、产业链融合和国际间专业化合作。
关于第14届氮化物半导体国际会议（ICNS-14）
氮化物半导体国际会议（ICNS）是III族氮化物半导体材料及其在光学器件和电子器件的应用科学和应用技术研究领域最重要、最前沿的国际学术会议，旨在为全球本领域内的高校、科研机构、企业和政府组织创造一个专业化的交流平台。第一届会议举办于1995年，由在日本名古屋举行的III-V氮化物专题研讨会和在美国波士顿举行的MRS氮化镓及相关材料国际研讨会组成，此后每2年举办一届，后续12次会议分别是在日本德岛的ICNS-2 1997，法国蒙彼利埃的ICNS-3 1999，美国丹佛的ICNS-4 2001，日本奈良的ICNS-5 2003，德国不来梅的ICNS-6 2005，美国拉斯维加斯的ICNS-7 2007，韩国济州岛的ICNS-8 2009，英国格拉斯哥的ICNS-9 2011，美国华盛顿的ICNS-10 2013，中国北京的ICNS-11 2015，法国斯特拉斯堡的ICNS-12 2017，和美国贝尔维尤的ICNS-13 2019。
本届会议（ICNS-14）原定于2021年举办，受全球疫情影响而延后，最终于2023年11月12-17日在日本福冈成功举办。ICNS-14设有全体会议、专题会议、海报会议和工业展览，为全球氮物化半导体研究人员和产业界提供了一个信息交流共享的绝佳平台。会议展示了III族氮化物半导体材料和器件领域最具影响力的科学技术成果，并围绕晶体生长、外延生长、掺杂、缺陷、表征，以及基于氮化物半导体材料的光学器件、功率电子器件等核心议题开展专业化研讨与广泛深入交流，将有效推动关键技术障碍的突破，促进氮化物半导体材料和器件的性能提升和未来更多应用的开发。
关于奥趋光电
奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔，于2016年5月创立的高新技术、创新型企业，总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录，是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、高温/高频射频器件、高频/高功率电子及激光器件的理想衬底/压电材料。
奥趋光电经过多年的高强度研发投入，于2019年成功开发出全球最大，直径60mm的氮化铝单晶及晶圆，并于2022年开发出直径达76 mm的铝极性氮化铝单晶及3英寸晶圆样片，奥趋光电同时也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供2英寸及以下尺寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品，同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2023年11月，共申请/授权国际、国内专利60余项，是全球范围内本领域专利数量最多的团队之一，被公认为本领域全球技术的领导者。