2024年1月18-19日，奥趋光电技术（杭州）有限公司参与的国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”专项——“AlN 单晶衬底制备和同质外延关键技术（共性关键技术类）”2023年项目年度会议在北京大学中关新园召开，奥趋光电作为课题牵头单位参会。
本次会议旨在规范项目管理，推动各项工作有序实施。科技部高技术中心项目领导代表项目主管单位发言，项目负责人北京大学于彤军教授代表项目团队和牵头单位作项目总体进展报告，各课题负责人分别汇报课题研究进展，项目责任专家及咨询专家组针对项目及子课题执行情况及技术重难点进行点评、指导。与会领导、专家学者、项目及各子课题负责人和技术骨干、管理人员围绕项目执行过程中的研究要点、工作亮点、进度节点以及存在的问题及解决方案等深入探讨并形成下一阶段的工作计划。为项目运营管理合规，课题研究顺利开展和既定目标有效达成提供了指导方针和保障机制。
此次会议由科学技术部高技术研究发展中心指导，项目牵头单位北京大学主办。科技部高技术中心材料处专项主管雷景亮、林喆，项目责任专家中科院长春光机所黎大兵研究员，咨询专家组中科院物理研究所韩秀峰研究员、中科院半导体研究所薛春来研究员、中国电子科技集团公司第四十六研究所赖占平研究员、清华大学汪莱教授、苏州长光华芯光电技术有限公司廖新胜研究员，北京大学宽禁带中心主任沈波教授，项目负责人北京大学于彤军教授以及项目各课题负责人、技术骨干出席会议。
关于“AlN 单晶衬底制备和同质外延关键技术”国家重点研发计划重大专项
国家重点研发计划“新型显示与战略性先进电子材料重点专项”项目——“AlN 单晶衬底制备和同质外延关键技术（共性关键技术类）”（2022YFB3605300），于2022年11月获得国家科技部立项支持。本重大专项以北京大学为牵头单位，联合奥趋光电技术（杭州）有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中国科学院半导体研究所、中国科学院物理研究所、北京中材人工晶体研究院有限公司、深圳大学、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、苏州紫灿科技有限公司等9家单位，面向高功率密度器件对AlN 衬底和同质外延生长技术的需求，开展大尺寸、高质量AlN 单晶衬底和模板材料生长技术及同质外延技术研究。
奥趋光电作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领先技术企业之一，担任课题牵头单位，并与北京中材人工晶体研究院共同承担相关子课题任务。本重大专项的立项及实施，对促进我国AlN单晶材料自主可控及其在高功率/高压/高频/高温电力电子器件、射频通信器件、深紫外光电子器件等诸多领域的商业化发展及国防军工领域的关键应用具有重大意义。
关于奥趋光电
奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔，于2016年5月创立的高新技术、创新型企业，总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录，是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、高温/高频射频器件、高频/高功率电子及激光器件的理想衬底/压电材料。
奥趋光电经过多年的高强度研发投入，于2019年成功开发出全球最大，直径60mm的氮化铝单晶及晶圆，并于2022年开发出直径达76 mm的铝极性氮化铝单晶及3英寸晶圆样片，奥趋光电同时也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供2英寸及以下尺寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品，同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2023年12月，共申请/授权国际、国内专利60余项，是全球范围内本领域专利数量最多的团队之一，被公认为本领域全球技术的领导者。