2024年4月11日至14日，由浙江大学和剑桥大学共同主办的首届下一代电子与光子学国际会议（International Conference on Next Generation Electronics & Photonics, INGEP2024）将在浙江杭州召开。本届会议邀请了全球微电子和光子材料及器件领域的著名学者和科学家，共同分享电子学和光子学领域的前沿技术和最新进展。奥趋光电作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业，受组委会邀请出席本次会议并将发表“Recent progress and device prospects on bulk AlN crystals grown by PVT method”(超宽禁带半导体AlN材料PVT生长及其器件最新进展与应用前景展望)主题报告。
INGEP2024由浙江大学和剑桥大学共同主办。中国科学院院士/浙江大学教授杨德仁、中国工程院院士/浙江大学教授吴汉明、英国皇家工程院院士/浙江大学教授Gehan Amaratunga担任大会名誉主席。浙江大学骆季奎教授担任大会主席，浙江大学杨宗银教授担任大会执行主席。全球百余位本领域的知名学者和科学家将通过大会报告和特邀报告等形式围绕宽禁带半导体材料与器件技术，先进电子器件、存储器件，低维材料与器件技术，柔性与可穿戴电子设备，光电子器件与系统，先进显示技术，纳米光子学，集成量子光子学，光伏材料与技术，先进传感器、致动器、微机电系统，生物微机电系统和医学设备，微流体技术，能量收集技术以及无线传感技术等前沿科技开展深入交流，分享最新研究成果，共同探讨下一代电子学和光子学的发展方向。
关于INGEP2024
首届下一代电子与光子学国际会议（INGEP2024）定于2024年4月11日至14日在浙江省杭州市浙江大学紫金港校区召开。本届会议由浙江大学信息与电子工程学院和剑桥大学电子工程系共同主办，邀请了先进微电子和光子材料及器件领域的著名学者和科学家参加全体会议和特邀报告。本次会议旨在为来自世界各地的专家学者、科研人员、工程师和企业家创造高质量的交流平台，分享最新研究成果，就关键课题和前沿科技进行专业剖析和深入研讨，共谋技术进步并促进行业合作和产业发展。本次会议论文经审稿后，将在英国物理学会（IOP）、美国物理学会（AIPs）和瑞士MDPI出版社旗下期刊发表。
会议时间：
2024年4月11-14日（11日报到）
会议地点：
圆正启真酒店（浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号）
会议主页：
http://www.htcis.net/MeetingMain/Index/INGEP2024
关于奥趋光电
奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔，于2016年5月创立的高新技术、创新型企业，总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录，是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、高温/高频射频器件、高频/高功率电子及激光器件的理想衬底/压电材料。
奥趋光电经过多年的高强度研发投入，于2019年成功开发出全球最大，直径60mm的氮化铝单晶及晶圆，并于2022年开发出直径达76mm的铝极性氮化铝单晶及3英寸晶圆样片，奥趋光电同时也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供2英寸及以下尺寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品，同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2024年3月，共申请/授权国际、国内专利60余项，是全球范围内本领域专利数量最多的企业之一，被公认为本领域全球技术的领导者。