原文发布日期
2024年4月8日
美国国家科学基金会资助的项目旨在开发由超宽带隙半导体AlN制成的高效功率场效应晶体管（FETs）。
亚利桑那州立大学电气工程助理教授傅厚强（音译）获得了美国2024年国家科学基金会教师早期职业发展计划（CAREER）奖，以探索超宽带隙半导体AlN在电力电子中的应用潜力。
傅教授的目标是开发AlN基功率场效应晶体管（FETs），这些晶体管能够以更高的效率运行，并且能够比硅（Si）、碳化硅（SiC）或氮化镓（GaN）制成的晶体管承受更高的温度和电压。
尽管AlN十分具有前景，但由于缺乏关于如何有效地将该材料用于电力电子的知识，使其无法充分发挥潜力。
傅教授将领导一项为期五年的研究，以确定如何最好地克服使用AlN所面临的主要问题。这将主要集中在如何最好地生长制造AlN所需的晶体、对其进行精炼、将其制造成功率电子器件，以及将这些器件集成到电气系统中。
“新型AlN基功率电子器件可以提供卓越的性能，并对电网现代化、交通电气化和温室气体排放产生重大影响，”傅教授说。“这些电子器件还将显著提高当前电网基础设施的韧性、可靠性和效率。它们还将有助于减轻电力中断对健康和经济的影响，提高能源安全。”
奥趋光电此前报道过傅厚强教授成功开发出3 kV AlN基肖特基二极管：
1） High-voltage AlN Schottky barrier diodes on bulk AlN substrates by MOCVD, Dinusha Herath Mudiyanselage et al, 2024 Appl. Phys. Express 17 014005.
论文链接：
https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1882-0786/ad15f4
2) 3 kV AlN Schottky Barrier Diodes on Bulk AlN Substrates by MOCVD.
论文预印版链接：https://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/2311/2311.05130.pdf
3）奥趋报道链接：
https://www.utrendtech.com/index.php?route=blog/post&blog_post_id=873
原文源于【CS Compound Semiconductor】
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