2024年5月22日至25日，2024中国国际半导体新材料发展（太原）大会将在山西太原召开。本次大会以“探索新材料，共享新机遇”为主题，邀请半导体新材料及相关产业链的国内外著名专家学者、头部企业代表共聚一堂，分享氮化铝、碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石等宽禁带半导体材料开发与应用领域的最新进展和前沿动态，共谋半导体新材料技术与产业的快速发展。奥趋光电作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业，受中国电子材料行业协会半导体材料分会邀请将出席本次会议，并就“超宽禁带半导体AIN单晶生长及其功率器件最新进展”发表主题报告。
本届大会由中国电子材料行业协会半导体材料分会主办，山西烁科晶体有限公司、中电科新型半导体晶体材料技术重点实验室承办，日中半导体协会、浙江晶盛机电股份有限公司、山西中电科新能源技术有限公司、安徽微芯长江半导体材料有限公司、河南中宜创芯发展有限公司等协办。会议邀请了国家科技部、工信部、商务部有关领导，中国科学院院士、南京大学教授祝世宁，中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃，中国科学院院士、浙江大学教授杨德仁，西安电子科技大学教授、副校长张进成，中科院物理所研究员、北京天科合达半导体股份有限公司首席科学家陈小龙，中科院苏州纳米所研究员徐科等将出席会议并发表主题演讲。大会将围绕氮化铝、碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石等半导体新材料的制备技术及其器件端应用进行深入研讨，并就行业重点、热点问题广泛交流，为政产学研用各类创新主体创造合作与协同的全新平台，助力我国半导体新材料领域的技术进步与产业快速发展。
关于中国国际半导体新材料发展（太原）大会
科技是国家强盛之基，创新是民族进步之魂。新一轮科技革命的纵深发展、创新超越，新一轮产业变革的持续发展、转型升级，新一轮军事力量的强劲发展、更新换代，都需要或依赖半导体新材料提供新基础、新技术，不断催生新动能、新业态。当前，半导体新材料已成全球高技术竞争和大国博弈的焦点之一。其中，以碳化硅、氮化镓材料为代表的宽禁带半导体材料，已在光伏、新能源汽车、储能及数据中心等重点领域批量应用；而以氮化铝、氧化镓、金刚石等为代表的超宽禁带半导体材料正凭借着其更优异的特性，引起了学术界、产业界及金融界的广泛关注，并已开始进行小批量的研发生产及应用。为扩大、增强半导体新材料的交流合作、产业协同发展，推进创新链、产业链的有效融合，共同应对当前时代的挑战，中国电子材料行业协会半导体材料分会充分发挥协会引领作用，与山西省政府联手，共同举办“2024中国国际半导体新材料发展（太原）大会”。
本次大会以“探索新材料，共享新机遇”为主题，将邀请国家科技部、工信部、商务部、山西省及中电科集团等有关领导，邀请半导体新材料及相关产业链的国内外著名专家、业界精英代表，围绕氮化铝、碳化硅、氮化镓、氧化镓、金刚石等半导体新材料的研制与器件应用，就行业热点问题开展积极广泛地交流与研讨，助力半导体新材料技术与产业快速发展，加快我国高水平科技自立自强步伐。
会议时间：2024年5月22日-25日（22日报到）
会议地点：山西潇河国际会议会展中心（山西太原市小店区潇河产业园区潇河大街89号）
会议主页：https://cifsnm2024.scievent.com/
关于奥趋光电
奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔，于2016年5月创立的高新技术、创新型企业，总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录，是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、高温/高频射频器件、高频/高功率电子及激光器件的理想衬底/压电材料。
奥趋光电经过多年的高强度研发投入，于2019年成功开发出全球最大，直径60mm的氮化铝单晶及晶圆，并于2022年开发出直径达76mm的铝极性氮化铝单晶及3英寸晶圆样片，奥趋光电同时也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供2英寸及以下尺寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品，同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2024年4月，共申请/授权国际、国内专利60余项，是全球范围内本领域专利数量最多的企业之一，被公认为本领域全球技术的领导者。