2024年7月7-10日，由中国科学技术大学主办的第十八届全国MOCVD学术会议将在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业，受组委会邀请将出席本次会议并发表主题报告，同时将在现场设展，向与会嘉宾汇报展示面向紫外光电器件、功率电子器件、微波射频器件等应用领域的高质量大尺寸AlN单晶衬底、硅基/蓝宝石基AlN/AlScN薄膜模板等产品。展位地点：恩施华龙城大酒店三楼A13展位，诚邀各位领导、专家、业界伙伴莅临参观指导和洽谈合作。
本届大会由中国有色金属学会、湖北省科学技术厅、湖北省恩施州人民政府指导，中国科学技术大学主办，《半导体学报》支持，奥趋光电技术（杭州）有限公司、中微半导体设备（上海）股份有限公司、上海谱幂精密仪器科技有限公司、武汉优炜芯科技有限公司、北京中博芯半导体科技有限公司等企业赞助。中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长、中关村半导体照明工程研发及产业联盟理事长吴玲担任大会主席。北京大学沈波教授，中科院苏州纳米所徐科研究员，中国科学技术大学龙世兵教授，中科院长春光机所黎大兵研究员，清华大学汪莱教授等分别担任大会程序委员会、组织委员会主席。会议将围绕材料生长、表征与装备，功率电子与射频器件，光电子器件与应用，超宽禁带半导体与前沿交叉等核心议题进行深入研讨，并就行业重点、难点、热点问题广泛交流，为产、学、研、用各个环节，以及不同领域的科研工作者和行业参与者创造学术交流、合作协同的高质量平台，助力我国我国MOCVD学术研究、技术进步及半导体材料与器件产业快速发展。
7月7-10日，定位湖北恩施，奥趋光电邀您相聚第十八届全国MOCVD学术会议。
关于第十八届全国MOCVD学术会议
金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术自二十世纪六十年代提出以来，取得了飞速进步，已经广泛应用于制备氮化物、砷化物、碲化物、氧化物等重要半导体材料及其量子结构，极大地推动了光电子器件和微电子器件与芯片的发展及产业化，也成为半导体超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料及相关器件研究的关键技术。未来MOCVD技术的发展将会给化合物半导体科学技术和产业发展带来更为广阔的前景。
作为MOCVD技术和化合物半导体材料器件研发交流的平台，全国MOCVD学术会议自1989年第一届会议举办以来，每两年举办一届，已经成功举办了十七届，会议规模和影响力越来越大，成为全国学术界和产业界广泛参与的学术盛会。本次会议选择在湖北恩施举行，届时与会专家学者、工程技术人员和企业家将围绕MOCVD生长机理与外延技术、MOCVD设备（整机/部件/配件/原材料）、材料结构与物性、光电子器件、电力电子器件、微波射频器件、LED智能照明与物联网、半导体激光器、光伏/光探测器、可见光通信技术等领域开展广泛交流，了解发展动态，促进相互合作。这次会议必将对我国MOCVD学术研究、技术进步及半导体产业发展起到有力的推动作用。
会议时间：2024年7月7 -10日（报到时间7月7日，开幕时间7月8日）
会议地点：恩施华龙城大酒店（湖北省恩施土家族苗族自治州恩施市施州大道469号）
会议主页：https://cifsnm2024.scievent.com/
关于奥趋光电
奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔，于2016年5月创立的高新技术、创新型企业，总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录，是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、高温/高频射频器件、高频/高功率电子及激光器件的理想衬底/压电材料。
奥趋光电经过多年的高强度研发投入，于2019年成功开发出全球最大，直径60mm的氮化铝单晶及晶圆，并于2022年开发出直径达76mm的铝极性氮化铝单晶及3英寸晶圆样片，奥趋光电同时也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供2英寸及以下尺寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品，同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2024年5月，共申请/授权国际、国内专利60余项，是全球范围内本领域专利数量最多的企业之一，被公认为本领域全球技术的领导者。