英文标题：
Crystal IS and Asahi Kasei have achieved 99% usable area on 100 mm bulk aluminum nitride substrate
原文链接：
https://www.cisuvc.com/crystal-is-improves-100mm-substrate/
Crystal IS，一家旭化成公司，今天宣布成功实现了直径为100 mm的单晶氮化铝（AlN）衬底的批量生产，这些衬底的可用面积达到99%，以满足当前UVC LED的需求，生产将在美国进行。AlN的超宽带隙和高热导率不仅有助于提高UVC LED器件的可靠性和性能，还有助于提高下一代射频和功率器件的性能。
“在过去九个月里，我们大直径衬底质量的提升展示了我们在晶体生长方面团队的专业知识，”Crystal IS总裁兼首席执行官Eoin Connolly说。“AlN固有的热优势可以在关键任务和电信应用中实现更高性能的射频和功率器件——我们很高兴与合作伙伴进一步开发这种材料以满足他们的需求。”
这一成就紧随公司于2023年8月宣布首次实现直径100 mm的AlN单晶消息，该成果在2024年年度半导体奖中赢得了半导体电子材料类别的最高奖项。该年度半导体奖由电子器件行业资讯组织，该行业杂志由东京产业时报公司出版。
Crystal IS在其位于纽约Green Island的总部生产大单晶AlN衬底，并于2023年末开始对外销售直径为2英寸的衬底，用于射频和功率器件的研究与开发（译者注：1）Crystal IS为化工巨头旭化成全资子公司，此前Crystal IS所有生产的AlN单晶衬底仅在旭化成内部使用，不对外销售。2）由于瓦森纳协议，美国至2011年开始任意尺寸AlN单晶对中国实施禁运，此次对外销售仍对中国实施禁运）。这一100 mm直径的里程碑进展加速了AlN衬底新应用的开发，因为它可以集成到现有射频和功率器件生产线中。该公司计划今年向其关键合作伙伴提供100 mm直径的衬底，这些衬底将专门在美国工厂生产，并继续扩展UVC LED以外的业务，如射频和功率器件。
原文源于【Crystal IS 官网】
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