6月25-26日，“十四五”国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2024年度第三代半导体材料与器件技术方向19个项目中期检查会议在杭州光学精密机械研究所召开。奥趋光电作为“AlN单晶衬底制备和同质外延关键技术”项目（编号2022YFB3605300，项目负责人北京大学于彤军教授）的子课题牵头单位出席会议。
“AlN单晶衬底制备和同质外延关键技术”项目负责人于彤军教授（左三）及各子课题负责人合影
本次中期检查会议由国家自然科学基金委员会高技术研究发展中心召集，“AlN单晶衬底制备和同质外延关键技术”等19个项目的负责人、子课题负责人和骨干成员参会，北京大学沈波教授、中科院苏州纳米所徐科研究员、中科院长春光机所黎大兵研究员、浙江大学盛况教授、上海飞博激光科技有限公司董事长廖新胜、中科院半导体所薛春来研究员、中科院上海光机所张龙研究员等组成专家组，国家自然科学基金委员会高技术研究发展中心材料处、浙江省科技厅、杭州市科技局以及上海/杭州光学精密机械研究所相关领导出席会议。
于彤军教授做“AlN单晶衬底制备和同质外延关键技术”项目中期检查汇报
会议通过专家组审阅项目中期执行情况报告和相关支撑证明材料、听取各项目课题负责人中期检查汇报、质询和研讨等环节，对照项目任务书逐项评审了研究内容、年度计划、考核指标的完成情况，以及后半阶段的工作计划、差距和保障验收的具体措施。包括对项目任务书规定内容的完成情况、技术方向和技术路线的合理性、实施进度与计划的一致性、取得的重要进展及成果、成员投入的时间及精力情况、资金拨付与使用情况、项目配套支撑条件落实情况、一体化组织实施及管理运行情况以及实施中的突出问题等进行了严格审查与评价，分析了存在的问题或隐患，提出了改进建议，并形成了中期检查意见。
关于“AlN单晶衬底制备和同质外延关键技术”国家重点研发计划重点专项
国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项——“AlN单晶衬底制备和同质外延关键技术（2022YFB3605300）”，于2022年11月获得国家科技部正式立项。本项目以北京大学为牵头单位，联合奥趋光电技术（杭州）有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、中国科学院半导体研究所、中国科学院物理研究所、北京中材人工晶体研究院有限公司、深圳大学、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟、苏州紫灿科技有限公司等9家单位，面向高功率密度器件对AlN衬底和同质外延生长技术的需求，开展大尺寸、高质量AlN 单晶衬底和模板材料生长技术及同质外延技术研究。
奥趋光电作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领先技术企业之一，担任子课题牵头单位，与北京中材人工晶体研究院共同承担相关子课题任务。该重点专项的立项及实施，对促进我国AlN单晶材料自主可控及其在高功率/高压/高频/高温电力电子器件、射频通信器件、深紫外光电子器件等诸多领域的商业化发展及国防军工领域的关键应用具有重大意义。
关于奥趋光电
奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔，于2016年5月创立的高新技术、创新型企业，总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录，是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、高温/高频射频器件、高频/高功率电子及激光器件的理想衬底/压电材料。
奥趋光电经过多年的高强度研发投入，于2019年成功开发出全球最大，直径60mm的氮化铝单晶及晶圆，并于2022年开发出直径达76mm的铝极性氮化铝单晶及3英寸晶圆样片，奥趋光电同时也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供2英寸及以下尺寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品，同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2024年6月，共申请/授权国际、国内专利60余项，是全球范围内本领域专利数量最多的企业之一，被公认为本领域全球技术的领导者。