动态 | 奥趋光电将应邀出席第三届射频滤波器创新技术大会

2024-07-01 管理员


2024年7月2日至4日,2024第三届射频滤波器创新技术大会将在安徽合肥召开。本次大会以“宽带·共存”为主题,邀请了射频滤波材料、器件、芯片及相关产业链的资深专家学者、头部企业代表共聚一堂,围绕5G、6G和Wi-Fi 7等高频、大带宽滤波器技术,共同探讨关键基础材料、器件设计、EDA软件、封装测试与工艺装备等核心议题,协同推动射频滤波器领域的原始创新能力,促进产学研融合和产业生态的跨越式发展。

 

 

2024年7月2日至4日,2024第三届射频滤波器创新技术大会将在安徽合肥召开。本次大会以“宽带·共存”为主题,邀请了射频滤波材料、器件、芯片及相关产业链的资深专家学者、头部企业代表共聚一堂,围绕5G、6G和Wi-Fi 7等高频、大带宽滤波器技术,共同探讨关键基础材料、器件设计、EDA软件、封装测试与工艺装备等核心议题,协同推动射频滤波器领域的原始创新能力,促进产学研融合和产业生态的跨越式发展。奥趋光电作为全球极少数几家具备高质量大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底、2-8英寸5G射频前端滤波器用蓝宝石基/硅基AlN/AlScN薄膜模板全套制程能力和批量制造能力的领军企业,受组委会邀请将出席本次会议,并发表主题报告。

 

                                             

 

本届大会由中国科学技术大学、合肥高新区管委会指导,安徽云塔电子(安努奇)科技有限公司主办,上海新硅聚合半导体有限公司、武汉敏声技术有限公司协办。中国科学技术大学党委常委、副校长吴枫担任大会名誉主席;云塔科技(安努奇)总经理、中国科学技术大学微电子学院教授左成杰,上海新硅聚合半导体创始人、中科院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣,武汉敏声董事长、武汉大学教授孙成亮共同担任大会主席。会议邀请了北京大学教授沈波、清华大学教授潘峰、浙江大学教授董树荣、中国科学技术大学教授孙海定、电子科技大学教授鲍景富、北京汉天下电子有限公司董事长杨清华、北京赛微电子股份有限公司董事长杨云春、天通瑞宏科技有限公司董事长沈瞿欢、偲百创(深圳)科技有限公司CEO龚颂斌、杭州左蓝微电子技术有限公司董事长张树民、奥趋光电技术(杭州)有限公司CEO吴亮等行业专家和众多知名高校、院所、企业代表。大会将通过主题报告、交流对话、学生Poster等多种形式,深度聚焦新材料、新工艺、新设计,围绕射频滤波器基础理论、技术创新、成果转化、生态建设、学生培养等话题展开深入研讨,在技术交流与思想碰撞中共同探究本领域的发展前沿与创新路线。通过产学研协同和创新生态的构建促进创新成果落地转化,推进国内射频滤波器产业生态的构建和快速发展,为国内企业进一步投身国际市场竞争赋能。

 

 

 

关于第三届射频滤波器创新技术大会

 

 

在5G商用已逐步铺开而6G技术正加速定型的当下,人工智能(AI)、无人驾驶等新兴应用不断取得突破,各行各业对无线通信以及射频滤波器技术的高速率、大带宽、高抑制、低插损等性能指标提出更高要求,同时在世界格局重置的大背景下高端射频芯片和核心元器件的国产化变得尤为迫切。因此,安徽云塔电子科技有限公司、武汉敏声新技术有限公司、上海新硅聚合半导体有限公司共同联合发起了第三届射频滤波器创新技术大会。本届大会旨在提升我国在声表面波(SAW、TC-SAW、IHP-SAW、TF-SAW、X-SAW等)、体声波(BAW、FBAR、XBAR等)、Hybrid等方面的原始创新能力,会议聚焦射频滤波器领域的基础研究与产业化创新成果,特别是应用于5G、6G和Wi-Fi 7的高频、大带宽滤波器技术,面向滤波器发展的关键基础材料、器件设计、EDA软件、封装测试与工艺装备等,推动该领域的产学研融合与跨越式发展。

 

大会将于2024年7月2日-4日在安徽合肥洲际酒店隆重召开。在下一代无线通信标准的驱动下,本届大会以“宽带·共存”为主题,以学术交流与成果展示为重点,将组织30余场主题报告,内容涵盖材料、工艺、设计、封装、测试、设备等全产业链环节,广泛探究射频滤波器从理论研究到产业落地的不同可能性,为与会者解析不同技术方向、生产环节、产业链条中的问题与挑战,并分享解决方案,共同推进整个创新生态的产学研协同,为国内射频滤波器产业的发展与壮大出谋划策。

 

本届大会将为射频滤波器以及射频前端与射频集成电路领域的科研学者、公司高管、工程师、投资机构、产业链上下游等从业人员带来一场技术盛宴,搭建一个让信息、资源与成果快速传播与共享的交流平台。此外,本次大会还设置了政府招商政策推介、学生Poster展览与求职对接等新环节,为行业的多元化可持续发展探索新的路径。

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会议时间:2024年7月2日-4日

会议地点:安徽省合肥市合肥洲际酒店

 

 

关于奥趋光电

 

奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔,于2016年5月创立的高新技术、创新型企业,总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售,核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录,是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、高温/高频射频器件、高频/高功率电子及激光器件的理想衬底/压电材料。

 

奥趋光电经过多年的高强度研发投入,于2019年成功开发出全球最大,直径60mm的氮化铝单晶及晶圆,并于2022年开发出直径达76mm的铝极性氮化铝单晶及3英寸晶圆样片,奥趋光电同时也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供2英寸及以下尺寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品,同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2024年6月,共申请/授权国际、国内专利60余项,是全球范围内本领域专利数量最多的企业之一,被公认为本领域全球技术的领导者。