日前，奥趋光电技术（杭州）有限公司正式通过认定，获评国家高新技术企业。证书已于近日下达。
高新技术企业的认定，标志着奥趋光电在国家创新战略指引下，以硬核科技引领第四代半导体氮化铝材料自主化、产业化的实践，获得了国家级创新体系的认可。
奥趋光电多年根植于第四代半导体氮化铝单晶研发与制造，经过不懈的研发投入与产业化实践，突破国外对中国10多年的禁运，实现了2英寸氮化铝单晶晶圆的小批量量产，使中国成为继美国之后第二个具备2英寸氮化铝晶圆制备能力的国家，并与美国同期开发出3英寸晶圆，解决了我国在6G射频/功率芯片、国防军工等重点领域氮化铝材料受限的“卡脖子”难题，提升了关键战略材料的自主保障能力和国际竞争力。奥趋光电是国内唯一可商业化制造氮化铝单晶晶圆的企业，服务全球客户160余家，申请/授权相关专利60余项，牵头/参与多项国家、行业标准制定，于2023年荣获吉林省技术发明一等奖，并获国家重点研发计划重大专项、工信部氮化铝XXX项目和浙江省重点研发计划等项目支持。随着公司纳入高新技术企业管理体系，奥趋光电将通过高效的研发机制、持续的研发投入和大规模产业化技术突破，保障第四代半导体氮化铝关键材料的产业化应用需求，为国家科技自强、技术自立提供核心材料支撑，夯实中国半导体产业的安全基座。
关于奥趋光电
奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔的高技术、创新型企业，总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录，是制备5.5G/6G基站射频HEMT器件、相控阵雷达T/R芯片、紫外光电探测器/传感器等各类高温/高频射频器件、高频/高功率电子器件、紫外发光及激光器件的理想衬底材料。
奥趋光电经过多年的高强度研发投入，于2019年成功开发出全球最大，直径60mm的氮化铝单晶及晶圆，并于2022年开发出直径达76mm的铝极性氮化铝单晶及3英寸晶圆样片，奥趋光电同时也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供2英寸及以下尺寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品，同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2025年12月，共申请/授权国际、国内专利60余项，是全球范围内本领域专利数量最多的企业之一，被公认为本领域全球技术的领导者。