4月23日，2026九峰山论坛暨中国光谷国际化合物半导体产业博览会在光谷科技会展中心隆重开幕。论坛首日，“中国新质半导体创新发展三十年特展”同期举办，由工信部中国电子信息产业发展研究院与九峰山实验室联合摄制的国内首部化合物半导体大型专题纪录片《新质芯力量》正式首映。
奥趋光电技术（杭州）有限公司受邀亮相本次特展，现场展出新一代高良率、高均匀性2英寸AlN单晶衬底等核心产品。作为全球少数掌握高质量、大尺寸第四代半导体AlN单晶衬底完整制程及小批量量产能力的领军企业，奥趋光电在AlN关键战略材料领域的技术突破与产业化成果被《新质芯力量》纪录片列为典型案例进行专题采拍，企业代表亦受邀出席本次首映仪式。
纪录片摄制组足迹遍布南京、北京、厦门、杭州、西安、南昌、武汉等十余座城市，独家收录了郑有炓、甘子钊、张荣、杨德仁、江风益、陈小龙、祝世宁、郝跃等30多位院士、顶尖学者、龙头企业负责人的访谈影像，全景展现了我国化合物半导体从材料攻关到装备突破、从实验室到产业化的跨越之路。
“特展和纪录片，是本次论坛的最大特色。”九峰山实验室主任丁琪超介绍。作为今年九峰山论坛的重要板块，特展由工信部中国电子信息产业发展研究院、中国电子工程设计院与九峰山实验室联合策划，“筑基、奔涌、激荡、启新”四个部分完整呈现化合物半导体的发展脉络——
20世纪90年代，我国半导体产业在资源有限的条件下，开启硅基半导体与化合物半导体“双轨并进”的发展道路；
2000年左右，LED灯球走上货架，成为全球化合物半导体产业进入新阶段的关键里程碑；
2010年，化合物半导体告别单一的照明领域，成为5G通信、新能源汽车等新兴应用的“核心引擎”；
当前，我国化合物半导体产业整体水平与国际接近，“十五五”规划纲要明确要求第三代半导体的规模化应用，推动超宽禁带半导体产业化。
关于中国新质半导体创新发展三十年特展
中国新质半导体创新发展三十年特展由中国电子信息产业发展研究院、中国电子工程设计院与九峰山实验室联合策划。展览聚焦中国新质半导体创新发展历程，通过实物、史料完整呈现了化合物半导体产业从1956年国家战略规划、早期人才培养、筑基起步、发展壮大到自立自强的发展脉络。
展览按四大阶段梳理化合物半导体的技术突破、产业推进与关键节点，清晰展现了我国半导体从初生起步到逐步实现自主创新的演进历程。观众可在展区内沉浸式回顾中国半导体从“0”到“1”的跨越、从“跟跑”到“并跑”乃至“领跑”的奋斗足迹。
关于《新质芯力量》纪录片
《新质芯力量》是中国电子信息产业发展研究院与九峰山实验室联合拍摄的首部化合物半导体大型专题纪录片。该片由中国电子信息产业发展研究院集成电路研究所具体策划实施，邀请央视内参团队负责导演拍摄，以嘉宾访谈形式，邀请化合物半导体领域两院院士、知名专家及企业家，通过大量权威观点，深入剖析我国化合物半导体产业的发展历程、当前成就、痛点卡点、未来方向。
纪录片摄制组历时数月，足迹遍布南京、北京、厦门、杭州、西安、南昌、武汉等十余座城市，独家收录郑有炓、甘子钊、张荣、杨德仁、江风益、陈小龙、祝世宁、郝跃等30多位院士、顶尖学者、龙头企业负责人的珍贵访谈影像。系统梳理了从黄昆、谢希德、林兰英等科学家拓荒奠基，到当前产业链协同创新的奋斗历程，全景展现了我国化合物半导体从材料攻关到装备突破、从实验室到产业化的跨越之路。
关于九峰山论坛
九峰山论坛是一场聚焦化合物半导体产业技术发展的高端行业峰会。从2023年首届九峰山论坛集聚千人起步，到2026年九峰山论坛万人扬帆，高峰论坛携手全球相关领域权威科研机构、领军企业及行业专家代表，旨在分享行业前沿技术与资讯，积极推动相关领域科学技术进步，加强产学研协同，共同探索化合物半导体产业未来发展方向。
2026 CSE九峰山论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）和湖北九峰山实验室主办，于4月23日至25日在武汉光谷科技会展中心盛大启幕，作为国内该领域规模最大、规格最高的标杆性盛会，本届大会锚定新质生产力发展方向，构建技术突破、产业转化、生态共建、文化赋能的全新格局。大会汇聚全球顶尖智力资源与产业力量，院士学者、龙头企业、科研院所、投资机构与上下游生态齐聚，以高端论坛、专业展览、成果发布、项目签约、产业对接、特色活动为载体，贯通材料、设备、芯片、应用全创新链条，推动前沿技术加速产业化。立足光谷科创大走廊，链接全球创新网络，助力千亿级产业集群建设，共探前沿、共促合作、共领变革，共筑化合物半导体产业新未来。
关于奥趋光电
奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔的高技术、创新型企业，总部位于浙江省杭州市。公司核心专注于第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录，是制备5.5G/6G基站射频HEMT器件、相控阵雷达T/R芯片、紫外光电探测器/传感器等各类高温/高频射频器件、高频/高功率电子器件、紫外发光及激光器件的理想衬底材料。
奥趋光电经过多年的高强度研发投入，于2019年成功开发出全球最大，直径60mm的氮化铝单晶及晶圆，并于2022年开发出直径达76mm的铝极性氮化铝单晶及3英寸晶圆样片，奥趋光电同时也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供2英寸及以下尺寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品，同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2025年12月，共申请/授权国际、国内专利60余项，是全球范围内本领域专利数量最多的企业之一，被公认为本领域全球技术的领导者。
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