创新研发了国内首台大尺寸、全自动氮化铝单晶气相沉积炉
世界各国为生长大尺寸氮化铝单晶，近50年来在晶体生长方法、生长工艺等方面作出了长期不懈努力，但研发进展非常缓慢。其中，物理气相沉积法被公认为生长块状氮化铝单晶的唯一方法，该方法也是生长大尺寸块状碳化硅单晶理想方法。尽管氮化铝单晶和碳化硅单晶生长的基础研究同时起步于20世纪70年代，而碳化硅单晶生长工艺进展迅速，目前国际上已成功研发并计划量产直径8英寸（200mm）碳化硅晶圆，但当前国际上有能力生长出直径1英寸（25.4mm）氮化铝单晶的科研机构及企业极其有限。由于氮化铝单晶生长温度高、生长条件非常苛刻，对氮化铝单晶生长的设备、热场及其控制系统提出了前所未有的挑战。因此，国务院、国家工信部将氮化铝单晶生长装备列入《中国制造2025》绿皮书有待突破的关键国产化装备。
奥趋光电项目研发团队通过自主设计，克服各种困难，分别成功开发出具备完整的知识产权的第一代、第二代全自动氮化铝单晶气相沉积炉。其中，奥趋光电第二代氮化铝单晶气相沉积炉是中国首台具备4英寸氮化铝单晶生长能力，且能实现全自动（几乎无需人工干预）、产业化批量生产基础的高端装备。基于该装备，奥趋光电2018年11月成功研发出全球首批直径60mm的高质量氮化铝单晶，奥趋光电这一重大进展为氮化铝单晶衬底材料在世界范围内的大规模产业化奠定了基础。
奥趋光电第二代氮化铝单晶气相沉积炉采用双钨电阻加热方式，两组加热器都采用先进的计算机控制技术进行独立控制，能实现炉内温度场的灵活、精确调节。热场保温材料全部采用耐高温且表面发射率低的高纯金属高钨材料，炉内挥发物少，生长的氮化铝单晶杂质含量少，位错密度低。设备主要包含真空炉体、加热隔热系统、电源供应与控制系统、炉内水冷系统。奥趋光电的第二代UTI-PVT-D075H单晶炉及其配套工艺技术等领域均取得了创新突破，并取得了含PCT在内的近30项发明专利。奥趋光电也由此成为全球唯一一家能够提供从长晶设备、长晶热场设计、热场模拟仿真技术开发与咨询、生长工艺优化到晶圆制程等全环节完整工艺解决方案与专业技术服务的高新技术、创新型企业。