开发了颠覆性、大批量制备高质量氮化铝薄膜模板专利技术
传统硅基等半导体材料已经无法满足当前电子器件的发展要求。氮化铝作为第三代/第四代半导体材料的典型代表，具有超宽禁带、高热导率、高击穿场强、高电子迁移率、耐腐蚀、耐辐射等优越物理化学性能，特别适合于制造射频通信器件、光电子器件、电力电子器件等，是紫外LED、紫外探测器、紫外激光、高功率/高频电子器件等最佳衬底材料，广泛应用于环保、电子、无线通讯、印刷、生物、医疗、军事等领域，如紫外净化/灭菌（污水处理、饮用水消毒、空气杀菌、表面杀菌、除臭等）、紫外固化、紫外催化、5G无线通信 SAW/BAW等器件、防伪检测、高密度存储、医学光照治疗、药物研发及保密通信、紫外空间探测等领域。
奥趋光电利用自有开发的一系列独有氮化铝模板设备及工艺专利技术制备出具有世界领先水平的高质量、大尺寸氮化铝模板。奥趋光电开发的氮化铝模板大批量制备工艺和设备具有稳定性好、可重复性高等优点，且其表征测试结果优于欧美日等大部分竞争对手。目前，奥趋光电是全球首家具备大批量2英寸/4英寸氮化铝模板制备能力的企业，2020年具备年产30万片2英寸/4英寸高性能氮化铝模板供应能力，以满足UVC-LED、紫外探测器、5G无线通信器件等市场的爆发性需求。