物理气相沉积法生长AlN单晶模拟仿真技术开发
通常，PVT法生长氮化铝单晶生长温度高达2000ºC - 2300ºC，且晶体生长在密闭环境下进行，单晶生长周期长、对温度场的稳定性及其控制系统精度提出了前所未有的挑战。由于氮化铝单晶生长温度高、生长条件非常苛刻，通过实际实验来调整工艺参数获取有限的实验数据极其困难且成本高昂，或具备不具备可行性。因此，利用数值模拟仿真手段，开展AlN晶体生长过程的仿真研究已成为分析、优化晶体生长过程不可或缺的工具。
由于目前全球无成熟、商业化的氮化铝PVT单晶生长模拟仿真软件，因此，奥趋光电组织研发团队并投入大量研发资金及研发人员，自主开发了先进的氮化铝PVT单晶生长工艺过程的有限元多项流传质模块、杂质分布预测模块、三维各向异性应力等缺陷计算分析等一系列模拟仿真计算模块，成为公司设备研发、热场设计及工艺研发利器，极大的缩短了产品研发周期、提升了内部研发效率及新产品面市周期。
