行业新闻

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行业 | 挑战极限:SiC/Ga2O3/AlN基功率器件最新进展

在硅的所有替代品中,可以说AlN(氮化铝)具有最大的潜力。由于具有6 eV的带隙,它的临界电场远高于所有竞争对手,这表明它有可能在阻断电压和特定导通电阻之间实现更好的权衡。

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行业 | 日本化工巨头旭化成基于AlN单晶衬底实现低于230 nm、长寿命mW级Far UVC-LED

我们在AlN单晶衬底上制备出了低于 230 nm(Far-UVC)发光二极管(LED)。利用 20 个量子阱周期来增强有源层中的载流子注入,在 100 毫安工作电流下获得了超过 1-mW的输出功率(2...

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行业 | 法国基于单晶AlN实现高可靠性Al0.23Ga0.77N沟道型HEFT耐高压电子器件

AlxGa1-xN异质结场效应晶体管(HFET)一直是高压电力电子器件领域的研究焦点,凭借其可以通过改变铝组分实现可调节的高临界击穿场强,从而具备了超越前代产品的潜力。在这项工作中,我们展示了在体Al...

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行业 | 基于超宽禁带半导体氮化铝平台的下一代电子器件(一)

氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在国防(雷达、SATCOM)和商业(5G 等)领域正处于快速发展阶段。而在这一发展阶段,标准的氮化镓异质结构仍未达到最佳性能。因此,我们建议转向氮化铝(Al...

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行业 | 基于超宽禁带半导体氮化铝平台的下一代电子器件(二)

氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在国防(雷达、SATCOM)和商业(5G 等)领域正处于快速发展阶段。而在这一发展阶段,标准的氮化镓异质结构仍未达到最佳性能。因此,我们建议转向氮化铝(Al...

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行业 | 天野浩团队通过极化掺杂实现接近理想因子的AlN基垂直p-n结二极管

本文报道了在AlN单晶衬底上制备出近乎理想品质因子的垂直AlxGa1−xN(0.7≤ x <1.0)p-n结二极管,p-n结的p型层和n型层均采用分布式极化掺杂(DPD),而不是传统的杂质掺杂,克服了...

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行业 | 南卡罗来纳大学/加州大学基于AlN单晶衬底实现创纪录品质因子AlGaN异质结

我们报道了在单晶AlN衬底上实现了高质量n-Al0.87Ga0.13N-A0.64Ga0.36N异质结构。对于这些赝晶异质结构,我们使用高分辨率的X射线和X射线形貌分析其穿透位错密度为7×103 cm...

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行业 | 佐治亚理工学院新型AlN基半导体技术有望重塑行业

佐治亚理工学院Alan Doolittle教授团队正在进行一项曾被认为是不可能的研究:将电绝缘体转化为超宽带隙半导体,这一研究成果为高功率电力电子器件、光电子器件及更多领域带来了突破性应用前景。

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行业 | 富士通实现X-band AlN基GaN HEMT器件创纪录功率密度24.4 W/mm

本文报道了一种基于AlN单晶衬底的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT),其在X-band实现了创纪录的高输出功率密度24.4 W/mm。通过使用高密度二维电子气沟道和再生欧姆接触,实现了1...

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行业 | 北卡罗来纳州立大学实现接近理想因子的硅掺杂AlN肖特基接触

实现了室温下理想因子低至1.5的n型Si掺杂AlN肖特基接触,从与温度相关的I–V曲线测试中提取出1.9 eV的与温度无关的肖特基势垒高度。在串联电阻中观察到300meV的激活能,其对应于深硅施主态的...

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