行业新闻

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行业 | AlN衬底外延实现创记录的p/n型掺杂浓度——MME外延开启新一代终极带隙半导体器件

今天的材料无法满足明天的需求。这并不表明GaN和SiC没有取得巨大的成功—它们正在改变电力电子领域,并使固态照明成为现实。然而,这些宽带隙材料在用于电网规模和电动汽车的高功率电力电子器件时存在其局限性...

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动态 | 美国亚利桑那州立大学成功制备出3kV AlN基肖特二极管

氮化铝(AlN)具备优异性能,是电力电子器件领域极具应用前景的超宽禁带半导体材料,如其禁带宽度高达6.2eV、击穿场强高达12-15MV/cm及340W/m•K的高导热系数,这些特性导致Baliga品...

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行业 | 基于AlN单晶衬底的高性能N极性GaN/AlGaN/AlN HEMT功率器件

以美国康奈尔大学为首的研发团队宣称制备出基于AlN单晶衬底全球首个N极性GaN/AlGaN/AlN HEMT器件。

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行业 | 高功率紫外LED的“最佳拍档”,AIN衬底近半年动作不断

为了得到光电性能更佳的外延片,衬底材料的选用对于 UV LED的外延质量具有重要意义。

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行业 | 化合物半导体产业痛点堵点并存,产学研链条有待打通

“当前国际竞争已经由产品竞争、企业竞争上升为产业链之间的竞争,未来2至3年是化合物半导体产业发展的关键期,我国急需形成有国际竞争力产品的批量化供应能力。” 中国工程院院士,国家新材料产业发展专家咨询委...

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行业 | 湖北九峰山实验室8寸中试线已通线运行,首批晶圆下线

据湖北日报报道,4月11日,湖北省委副书记、省长王忠林到湖北九峰山实验室调研,并出席湖北实验室建设推进会。

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行业 |《人工晶体学报》第八届编委会会议及第三届人工晶体材料青年学术会议成功召开

2023年4月7日,《人工晶体学报》第八届编委会会议在杭州富阳成功召开。

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行业 | 射频芯片(RFIC)——5G通信的核心

随着5G时代的到来,5G通信已经成了人们非常关注和在乎的话题,然而,过去人们对手机的关注,往往集中在CPU、GPU、基带、屏幕、摄像头上。近几年,随着5G技术的出现,也随着国产射频芯片的崛起,5G射频...

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行业 | 中科潞安闫建昌博士:高性能、大尺寸是深紫外LED产业发展趋势

日前,山西中科潞安紫外光电技术有限公司总经理闫建昌在第八届国际第三代半导体论坛&第十九届中国国际半导体照明论坛,与参会嘉宾分享大功率深紫外LED产业化关键技术。

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