行业新闻
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动态 | 美国亚利桑那州立大学成功制备出3kV AlN基肖特二极管
氮化铝(AlN)具备优异性能,是电力电子器件领域极具应用前景的超宽禁带半导体材料,如其禁带宽度高达6.2eV、击穿场强高达12-15MV/cm及340W/m•K的高导热系数,这些特性导致Baliga品...
阅读全文行业 | 基于AlN单晶衬底的高性能N极性GaN/AlGaN/AlN HEMT功率器件
以美国康奈尔大学为首的研发团队宣称制备出基于AlN单晶衬底全球首个N极性GaN/AlGaN/AlN HEMT器件。
阅读全文行业 | 化合物半导体产业痛点堵点并存,产学研链条有待打通
“当前国际竞争已经由产品竞争、企业竞争上升为产业链之间的竞争,未来2至3年是化合物半导体产业发展的关键期,我国急需形成有国际竞争力产品的批量化供应能力。” 中国工程院院士,国家新材料产业发展专家咨询委...
阅读全文行业 | 射频芯片(RFIC)——5G通信的核心
随着5G时代的到来,5G通信已经成了人们非常关注和在乎的话题,然而,过去人们对手机的关注,往往集中在CPU、GPU、基带、屏幕、摄像头上。近几年,随着5G技术的出现,也随着国产射频芯片的崛起,5G射频...
阅读全文行业 | 中科潞安闫建昌博士:高性能、大尺寸是深紫外LED产业发展趋势
日前,山西中科潞安紫外光电技术有限公司总经理闫建昌在第八届国际第三代半导体论坛&第十九届中国国际半导体照明论坛,与参会嘉宾分享大功率深紫外LED产业化关键技术。
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