行业新闻
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行业 | 新一代AlN基功率器件引领碳中和：日本NTT成功开发出全球首款耐压1700V的AlN基晶体管
日本NTT公司（TYO：9432）对外宣布，其首次使用高质量AlN单晶衬底实现了全球首款耐压1700V、耐温高达500℃的新一代晶体管，即使在500℃高温下，其漏电电流也能保持在极低的10-8A/mm...
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行业 | 郝跃院士团队在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面获重要进展
半导体产业网讯：从西安电子科技大学微电子学院官网获悉，近期，西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授、周弘教授等在超宽禁带半导体氧化镓功率器件研究方面取得重要进展，研制出一种新型的空穴超注入p-NiO/...
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行业 | 宁波材料所在氮化物宽禁带半导体极性调控及应用取得系列研究进展
宽禁带半导体以GaN、SiC等材料为代表，具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、高频下功率特性优良等优越性能，在半导体照明、5G通信、智能电网、新能源汽车、消费类电子、国防安全等领域拥有广阔的应用前景...
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行业 | 至芯半导体成功研制日盲深紫外器件 拓展紫外探测及图像传感领域
至芯半导体成功研发出AlGaN的高灵敏日盲型深紫外光的光电探测器，相关成果已申请发明专利（申请号: 202210045910.6），这一成果为实现高性能日盲深紫外光电探测器和图像传感提供了一种新的策略...
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行业 | AlN单晶衬底，这个英寸非终点
氮化铝（AlN）是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料，具有很多优良的性质。其禁带宽度高达6.2eV，具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学和热稳定性，以及高导热、抗辐射等优异性能。可作为紫外/深紫外...
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行业 | 北京大学沈波、许福军团队制备出高质量的p型AlGaN 短周期超晶格
近日，北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室、宽禁带半导体研究中心沈波、许福军团队在高Al组分AlGaN的高效p型掺杂研究中获得重要进展。
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行业 | 厦门大学研究团队最新成果：深紫外发光强度提高近2倍
近日，厦门大学研究团队创新性地设计了一种倒棱锥/台状人工纳米结构，通过纳米压印、干法刻蚀技术与湿法腐蚀工艺相结合，在发光波长短至 234 nm的(AlN)8/(GaN)2 有源层形成(0001)、(1...
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行业 | 德国AlScN项目有望将5G能耗减半
弗劳恩霍夫研究所IAF和IIS以及弗莱堡大学和多个工业合作伙伴已经开始了一个为期三年的项目，利用基于 AlScN 的组件和需求驱动的控制，在2025年前开发和测试一个节能的边缘云系统。德国联邦教育和研...
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