Industry news
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行业 | AlN单晶衬底，这个英寸非终点
氮化铝（AlN）是极具应用潜力的超宽禁带半导体材料，具有很多优良的性质。其禁带宽度高达6.2eV，具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学和热稳定性，以及高导热、抗辐射等优异性能。可作为紫外/深紫外...
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行业 | 北京大学沈波、许福军团队制备出高质量的p型AlGaN 短周期超晶格
近日，北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室、宽禁带半导体研究中心沈波、许福军团队在高Al组分AlGaN的高效p型掺杂研究中获得重要进展。
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行业 | 厦门大学研究团队最新成果：深紫外发光强度提高近2倍
近日，厦门大学研究团队创新性地设计了一种倒棱锥/台状人工纳米结构，通过纳米压印、干法刻蚀技术与湿法腐蚀工艺相结合，在发光波长短至 234 nm的(AlN)8/(GaN)2 有源层形成(0001)、(1...
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行业 | 德国AlScN项目有望将5G能耗减半
弗劳恩霍夫研究所IAF和IIS以及弗莱堡大学和多个工业合作伙伴已经开始了一个为期三年的项目，利用基于 AlScN 的组件和需求驱动的控制，在2025年前开发和测试一个节能的边缘云系统。德国联邦教育和研...
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行业 | 2022年度“十四五”国家重点研发计划启动，新型显示与战略性电子材料等24个重点专项指南征求意见
半导体产业网消息：2022年3月4日，记者从国家科技管理信息系统公共服务平台获悉，科技部发布了《关于征求“十四五”国家重点研发计划“煤炭清洁高效利用技术”等24个重点专项2022年度项目申报指南意见的...
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行业 | 奥趋光电王琦琨博士：PVT法生长高质量、大尺寸AlN单晶的最新进展与挑战
氮化铝（AlN）具有超宽禁带宽度（6.2 eV）、高热导率（340 W/m.K）、高击穿场强（11.7 MV/cm）、良好的紫外透过率、化学和热稳定性等优异性能，是制备高温高频及高功率电子器件以及高A...
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行业 | AlScN项目获得德国创新奖
弗劳恩霍夫研究所（Fraunhofer Institutes）IAF和IIS与弗莱堡大学（University of Freiburg）/INATECH一起，在德国联邦教育和研究部（BMBF）发起的 ...
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行业 | 小尺寸提高DUV LED效率
深紫外(DUV)光源具有许多有价值的应用，包括杀菌照射、光疗、水/空气/食品杀菌和光通信。但是，尽管对基于AlGaN的DUV LED的研究已取得了令人振奋的进展，但其工业应用仍处于起步阶段。
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行业 | 关键核心技术怎么攻关？建设科技创新中心！科技部表态了
在7月27日国新办举行的新闻发布会上，科技部部长王志刚说，在全面建成小康社会的历史进程中，科技创新的重要地位和作用越来越凸显，我国科技实力和创新能力的大幅跃升，既是全面建成小康社会的重要标志，也是全面...
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行业 | AlN衬底显示出对GaN-HEMTs的巨大应用前景
富士通的工程师声称，他们已经为 X 波段运行的基于 RF GaN 的 HEMTs的性能开辟了新天地。他们的器件在 AlN 衬底上制造，可提供超过 15 W mm-1 的功率密度，随着场板的引入和器件尺...
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