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2016年11月
2016年8月
2016年5月
奥趋光电成功制备出高质量3英寸氮化铝单晶晶体及3英寸衬底样片
奥趋光电发布了直径2英寸及以下尺寸高质量AlN单晶衬底产品，启动小批量制造出货
奥趋光电发布了5G射频滤波芯片的新一代高端压电材料——硅基/蓝宝石基铝钪氮薄膜模板产品
奥趋光电正式发布了面向5G射频前端滤波器应用的4英寸/6英寸硅基氮化铝薄膜模板产品
奥趋光电技术（杭州）有限公司正式入驻位于杭州市余杭经济技术开发区的公司总部
奥趋光电发布了2英寸/4英寸AlN模板量产计划，规划2020年实现不少于20万片2英寸/4英寸氮化铝模板总产能，是全球首家具备2英寸/4英寸AlN模板大规模制造能力的企业
奥趋光电发布2英寸/4英寸高质量氮化铝模板，并与领先的5G无线通信、紫外芯片及紫外探测器等领域的合作伙伴开始小批量AlN模板产品的流片测试
奥趋光电技术（杭州）有限公司完成了对苏州奥趋光电技术有限公司的全资收购
奥趋光电应诺贝尔物理奖获得者天野浩教授为会议主席的组委会邀请，在日本横滨举行的LED工业应用国际会议（LEDIA-2019）上，正式宣布正式推出了全球首批60mm AlN单晶及晶圆产品样片，标志着第三/四代半导体氮化铝单晶技术在全球范围内取得了突破性进展，为氮化铝单晶衬底材料在世界范围内的大规模产业化奠定了基础
奥趋光电项目顺利完成A轮融资
成立奥趋光电技术（杭州）有限公司，选址杭州市余杭经济技术开发区，成立产品研发、生产基地，并在余杭区召开的打造国际一流营商环境，建设全国数字经济先行区动员大会上，作为重点项目与区政府举行了签约仪式
基于自主设计开发的第二代全自动氮化铝单晶气相沉积炉，奥趋光电成功研发出全球首批直径60mm的高质量氮化铝单晶，并在全球紫外材料与器件国际会议（IWUMD2018）上展示了世界首批60mm AlN晶片样片，引发了业内的广泛关注。 同月，奥趋光电启动了公司的A轮融资
奥趋光电研发团队成功开发出具备完整的知识产权的第二代全自动氮化铝单晶气相沉积炉，这也是中国首台具备4英寸氮化铝单晶生长能力，且能实现全自动、产业化批量生产基础的高端装备
奥趋光电完成Pre-A轮融资
研发团队利用自主开发设计的氮化铝单晶生长全自动化装备及系列技术水平领先的独有专利技术，首次成功制得高质量氮化铝晶体
奥趋光电研发团队通过自主设计，成功开发出具备完整知识产权的第一代PVT法全自动氮化铝单晶气相沉积炉； 奥趋光电完成天使轮融资
苏州奥趋光电技术有限公司成立并在张家港国家级高新技术开发区/留学生创业园设立了研发中心