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新春开学季,龙年启新程!
春节快乐,诸事顺遂,旭龙腾云起,家和万事兴!
2024年1月24-26日,第38届NEPCON JAPAN电子科技博览会将在日本东京有明国际展览中心隆重举行。作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸氮化铝单晶衬底全套制程和制造能力的领先技术企业之一,奥趋光电技术(杭州)有限公司将亮相本届NEPCON JAPAN,展出包括2英寸A...
2024年1月18-19日,奥趋光电技术(杭州)有限公司参与的国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”专项——“AlN 单晶衬底制备和同质外延关键技术(共性关键技术类)”2023年项目年度会议在北京大学中关新园召开,奥趋光电作为课题牵头单位参会。
即日起至2024年2月28日,奥趋光电开启迎春回馈活动:Φ10mm AlN单晶片限量优惠50%
近日,吉林省人民政府发布了《吉林省人民政府关于2023年度吉林省科学技术奖励的决定》(吉政函〔2023〕80号),其中,奥趋光电技术(杭州)有限公司与战略合作伙伴中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、楚赟精工科技(上海)有限公司合作项目“低缺陷氮化铝材料制备关键技术及其深紫外光...
具有AlN通道层的二极管和晶体管具有高击穿电压,并能在极高的温度下工作
在硅的所有替代品中,可以说AlN(氮化铝)具有最大的潜力。由于具有6 eV的带隙,它的临界电场远高于所有竞争对手,这表明它有可能在阻断电压和特定导通电阻之间实现更好的权衡。
我们在AlN单晶衬底上制备出了低于 230 nm(Far-UVC)发光二极管(LED)。利用 20 个量子阱周期来增强有源层中的载流子注入,在 100 毫安工作电流下获得了超过 1-mW的输出功率(226 nm和 229 nm发光二极管的输出功率分别为 1.4 和 3.1 mW)...
AlxGa1-xN异质结场效应晶体管(HFET)一直是高压电力电子器件领域的研究焦点,凭借其可以通过改变铝组分实现可调节的高临界击穿场强,从而具备了超越前代产品的潜力。在这项工作中,我们展示了在体AlN单晶上的Al0.23Ga0.77N沟道HFET,其具有大于300 mA/mm的...
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在国防(雷达、SATCOM)和商业(5G 等)领域正处于快速发展阶段。而在这一发展阶段,标准的氮化镓异质结构仍未达到最佳性能。因此,我们建议转向氮化铝(AlN)平台。氮化铝可实现更优的异质结构设计,从而提高III族氮化物放大器的输出功率...
氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在国防(雷达、SATCOM)和商业(5G 等)领域正处于快速发展阶段。而在这一发展阶段,标准的氮化镓异质结构仍未达到最佳性能。因此,我们建议转向氮化铝(AlN)平台