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奥趋光电祝您国庆快乐！
8月28日，《人工晶体学报》主编、中国科学院院士、南京大学学术委员会副主任祝世宁教授，《人工晶体学报》执行主编彭珍珍，《人工晶体学报》编委、南京大学赵刚教授等一行来访奥趋光电。《人工晶体学报》编委、奥...
2024年8月21日至23日，第四届紫外LED会议暨长治LED产业发展大会将在山西长治滨湖文旅服务中心举办。本届会议以“创新发展跨界共生，成果转化生态构建”为主题，邀请了来自紫外LED全产业链、多领域...
7月9日，第十八届全国MOCVD学术会议在湖北恩施华龙城大酒店圆满落幕。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企...
第十八届全国MOCVD学术会议于今日在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业亮...
奥趋光电祝您国庆快乐！
8月28日，《人工晶体学报》主编、中国科学院院士、南京大学学术委员会副主任祝世宁教授，《人工晶体学报》执行主编彭珍珍，《人工晶体学报》编委、南京大学赵刚教授等一行来访奥趋光电。《人工晶体学报》编委、奥趋光电首席执行官吴亮博士、研发总监王琦琨博士、综合管理部总经理陈鹏等进行了热情接...
2024年8月21日至23日，第四届紫外LED会议暨长治LED产业发展大会将在山西长治滨湖文旅服务中心举办。本届会议以“创新发展跨界共生，成果转化生态构建”为主题，邀请了来自紫外LED全产业链、多领域的专家、知名企业代表组成的百人嘉宾团，将共同探讨“紫外LED+”新机遇，挖掘紫外...
7月9日，第十八届全国MOCVD学术会议在湖北恩施华龙城大酒店圆满落幕。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业亮相本届大会，现场设展向与会嘉宾汇报展示了面向紫外光电器件、功率电子器件、微波...
第十八届全国MOCVD学术会议于今日在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业亮相本届大会，向与会嘉宾汇报展示面向紫外光电器件、功率电子器件、微波射频器件等应用...
2024年7月7-10日，由中国科学技术大学主办的第十八届全国MOCVD学术会议将在湖北恩施华龙城大酒店隆重举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸超宽禁带半导体AlN单晶衬底全套制程能力和小批量制造能力的领军企业，受组委会邀请将出席本次会议并发表主...
本文展示了基于单晶AlN衬底的高压AlN基金属-半导体场效应晶体管（MESFETs）及其电学特性表征。相较于采用异质衬底的AlN基MESFETs，本研究所开发的AlN-on-AlN基MESFETs在15μm漏栅间距下实现了超过2kV的高击穿电压，并且在已报道的AlN基MESFET...
氮化铝（AlN）是一种超宽带隙且极具前途的半导体材料，由于其高击穿电压、迁移率和热导率，它在电力电子和光电子应用方面具有显著优势。AlN基肖特基势垒二极管（SBD）和金属半导体场效应晶体管（MOSFET）已显示出巨大潜力，但受到高关态漏电流和实现欧姆接触的复杂结构等问题的限制。为...
本文报道了具有低理想因子（ 5 kA cm−2）以及高击穿电压（680 V）的氮化铝（AlN）肖特基势垒二极管。该器件结构由两层准垂直设计组成，包括一层轻掺杂的AlN漂移层和一层在AlN衬底上生长的高掺杂Al0.75Ga0.25N欧姆接触层。通过模拟、电流-电压测量和阻抗谱分析的...
HexaTech公司宣布与美国国防部国防高级研究计划局（DARPA）签署了一项为期多年的合同，作为该机构最近宣布的超宽带隙半导体（UWBGS）计划的一部分。UWBGS计划的目标是开发实现实用超宽带隙电子器件和启用超宽带隙应用所需的基础、高质量的材料。HexaTech在该计划中的角...
本文系统地从实验和模拟分析了AlN单晶衬底上Far UVC-LED的效率和寿命与波长的依赖关系，并观察到效率与发射波长之间存在正相关关系。在波长227 nm、230 nm、233 nm和235 nm下，WPE（Wall-Plug Efficiency）效率分别达到0.47%、1....
超宽带隙氮化铝（AlN）作为高功率电子器件的高吸引力材料脱颖而出。然而，AlN功率器件由于接触电阻率超过10-1 Ω cm2而面临性能挑战。在本工作中，我们展示了通过直接应用于n型AlN的精细金属化工艺，实现了10-4 Ω cm2级别的低接触电阻率。最小的接触电阻率达到5.82 ...
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