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7月8日，2025年度国家科学技术奖揭晓。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为第二完成单位参与攻关的“高性能氮化铝基半导体材料制备及其光电芯片关键技术”项目，斩获国家技术发明奖二等奖，拿下国家级顶尖科技荣...
致敬努力奋斗的平凡人，奥趋光电祝您五一节快乐！
4月23日，2026九峰山论坛暨中国光谷国际化合物半导体产业博览会在光谷科技会展中心隆重开幕。论坛首日，“中国新质半导体创新发展三十年特展”同期举办，由工信部中国电子信息产业发展研究院与九峰山实验室联...
近日，国际知名行业媒体Semiconductor Review 公布了“2026年亚洲最佳氮化铝单晶衬底制造商（Top AlN Single Crystal Wafer Substrate Manuf...
2026年3月18-19日，由浙江大学杭州国际科创中心、硅及先进半导体材料全国重点实验室、国家第三代半导体技术创新中心和半导体在线主办的第二届第四代半导体研讨会在浙江杭州成功举办。奥趋光电技术（杭州）...
7月8日，2025年度国家科学技术奖揭晓。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为第二完成单位参与攻关的“高性能氮化铝基半导体材料制备及其光电芯片关键技术”项目，斩获国家技术发明奖二等奖，拿下国家级顶尖科技荣誉。
致敬努力奋斗的平凡人，奥趋光电祝您五一节快乐！
4月23日，2026九峰山论坛暨中国光谷国际化合物半导体产业博览会在光谷科技会展中心隆重开幕。论坛首日，“中国新质半导体创新发展三十年特展”同期举办，由工信部中国电子信息产业发展研究院与九峰山实验室联合摄制的国内首部化合物半导体大型专题纪录片《新质芯力量》正式首映。
近日，国际知名行业媒体Semiconductor Review 公布了“2026年亚洲最佳氮化铝单晶衬底制造商（Top AlN Single Crystal Wafer Substrate Manufacturer in Asia 2026）”评选结果，奥趋光电技术（杭州）有限公...
2026年3月18-19日，由浙江大学杭州国际科创中心、硅及先进半导体材料全国重点实验室、国家第三代半导体技术创新中心和半导体在线主办的第二届第四代半导体研讨会在浙江杭州成功举办。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸第四代半导体氮化铝单晶衬底全套制程能...
2026年3月18-19日，由浙江大学杭州国际科创中心、硅及先进半导体材料全国重点实验室、国家第三代半导体技术创新中心和半导体在线主办的第二届第四代半导体研讨会将在浙江杭州举行。奥趋光电技术（杭州）有限公司作为全球极少数几家具备高质量、大尺寸第四代半导体AlN单晶衬底全套制程能力...
富铝AlGaN是制备深紫外光电器件与高功率功率电子的理想候选材料，然而在低成本蓝宝石衬底上实现高效n型导电仍面临巨大挑战，这主要归因于高位错密度、缺陷辅助补偿效应以及有限的施主激活效率。本研究系统研究了MOVPE外延生长的Al₀.₆₈Ga₀.₃₂N中Si掺杂行为，并阐明了制约其电...
德国弗劳恩霍夫集成系统与器件技术研究所（IISB）与PVA TePla AG在联合实验室框架下整合专业优势，共同致力于氮化铝（AlN）晶体的生长。作为欧洲首个此类合作项目，该联合实验室可实现直径2英寸单晶AlN衬底的小批量生产，以满足业界研发需求。此举将显著改善AlN衬底在欧洲的...
本研究在单晶AlN衬底上生长了高铝组分 AlₓGa₁₋ₓN (0.7 < x < 1) 分布式极化掺杂准垂直肖特基势垒二极管（SBD）。该器件表现出优异的整流特性，具备高达约 14 kA/cm² 的正向电流密度及约 8.3 MV/cm 的击穿场强。同时，该二极管呈现出低理想因子（...
原文标题 Record forward-current for AlGaN Schottky barrier diodes 原文链接 https://compoundsemiconductor.net/article/124419/Record_...
我们报道了采用再生长外延 AlN 栅极中间层的超宽禁带（UWBG）AlGaN 极化梯度场效应晶体管（PolFET）。通过引入外延 AlN 栅极中间层显著提高了击穿强度，平均击穿场强超过 6.94 MV/cm，这代表了横向场效应晶体管的先进水平，同时保持了超过 1 A/mm 的优异...
本文报道了超宽禁带（UWBG）富铝 Al₀.₆₈Ga₀.₃₂N 沟道高电子迁移率晶体管（HEMTs）在常压氮气氛围中 850 °C 下的工作特性。我们采用原位测试技术，系统表征了器件在高达 850 °C 温度下的变温直流（DC）电学特性，并监测了其在 850 °C 恒温老化 60...
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